本申請案主張美國第18/508,568號專利申請案的優(yōu)先權(quán)(即優(yōu)先權(quán)日為“2023年11月14日”)，其內(nèi)容以全文引用的方式并入本文中。本公開關(guān)于一種切割結(jié)構(gòu)、一種半導(dǎo)體元件及一種半導(dǎo)體元件的制備方法。特別是有關(guān)于一種包含該切割結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件，以及一種半導(dǎo)體元件的制備方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體元件使用在不同的電子應(yīng)用，例如個人電腦、手機、數(shù)碼相機，或其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件的尺寸逐漸地變小，以符合計算能力所逐漸增加的需求。然而，在尺寸變小的制程期間，增加不同的問題，且如此的問題持續(xù)增加。因此，仍然持續(xù)著在達(dá)到改善品質(zhì)、良率、效能與可靠度以及降低復(fù)雜度方面的挑戰(zhàn)。

2、上文的“先前技術(shù)”說明僅提供背景技術(shù)，并未承認(rèn)上文的“先前技術(shù)”說明揭示本公開的標(biāo)的，不構(gòu)成本公開的先前技術(shù)，且上文的“先前技術(shù)”的任何說明均不應(yīng)作為本案的任一部分。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的一實施例提供一種切割結(jié)構(gòu)，包括二主要切割絕緣層，位于一次要切割絕緣層的兩端并向上延伸，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層共同構(gòu)成一u形剖面輪廓；一導(dǎo)電部，位于該切割絕緣層上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍；以及一覆蓋部，位于該導(dǎo)電部上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍。

2、本公開的另一實施例提供一種半導(dǎo)體元件，包括一隔離層，位于一基底中，以在一頂視圖中沿一第一傾斜方向界定一預(yù)切割區(qū)域；至少二切割結(jié)構(gòu)，位于該預(yù)切割區(qū)域中，分別包括：二主要切割絕緣層，位于一次要切割絕緣層的兩端并向上延伸；一導(dǎo)電部，位于該次要切割絕緣層上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍；以及一覆蓋部，位于該導(dǎo)電部上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍。該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層共同構(gòu)成一u形剖面輪廓。一主動區(qū)借由一對相鄰的切割結(jié)構(gòu)而界定在該預(yù)切割區(qū)域內(nèi)。

3、本公開的另一實施例提供一種半導(dǎo)體元件的制備方法，包括形成一隔離層在一基底中以界定一預(yù)切割區(qū)域，該預(yù)切割區(qū)域在一頂視圖中沿一第一傾斜方向延伸，形成一下圖案層在該基底上，以及形成一中間圖案圖層在該下圖案圖層上；使用一主要遮罩層圖案化該下圖案層和該中間圖案層，該主要遮罩層在一頂視圖中沿著一第二傾斜方向延伸，形成一第一下圖案層及一第一中間圖案層，其暴露出該預(yù)切割區(qū)域；形成一上圖案圖層以覆蓋該主要下圖案圖層、該主要中間圖案圖層以及該預(yù)切割區(qū)域；使用一次要遮罩層圖案化該上圖案層，該次要遮罩層沿著與該第一傾斜方向和該第二傾斜方向交叉的一第一方向延伸，得到一主要上圖案層，其包括暴露該預(yù)切割區(qū)域的至少二第一類型空間以及暴露該主要中間圖案層的一第二類型空間；以及加深該第一類型空間以形成至少二第一類型凹陷在該預(yù)切割區(qū)域中，并形成至少二切割結(jié)構(gòu)在該第一類型凹陷中。該第一傾斜方向與該第二傾斜方向相交，并且由相鄰的一對切割結(jié)構(gòu)在該預(yù)切割區(qū)域內(nèi)界定一主動區(qū)。

4、由于本公開的半導(dǎo)體元件的設(shè)計，切割結(jié)構(gòu)和主動區(qū)的形成可以與字元線結(jié)構(gòu)的形成整合。這種整合降低了制造半導(dǎo)體元件的復(fù)雜度和成本。另外，借由精心控制該等主要切割絕緣層和該等次要切割絕緣層的制程參數(shù)，可以實現(xiàn)切割結(jié)構(gòu)的良好控制的絕緣能力。

5、上文已相當(dāng)廣泛地概述本公開的技術(shù)特征及優(yōu)點，使下文的本公開詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文揭示的概念與特定實施例可作為修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)或制程而實現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫離后附的權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。

技術(shù)特征：

1.一種切割結(jié)構(gòu)，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的切割結(jié)構(gòu)，其中該二主要切割絕緣層和該覆蓋部的各上表面大致呈共面。

3.如權(quán)利要求2所述的切割結(jié)構(gòu)，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層的各下表面大致呈共面。

4.如權(quán)利要求2所述的切割結(jié)構(gòu)，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層的各該下表面于不同的垂直位面。

5.如權(quán)利要求2所述的切割結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電部包括一底部段和一頂部段，該底部段位于該次要切割絕緣層上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍，且該頂部段位于該底部段和該覆蓋部之間并且被該二主要切割絕緣層所橫向包圍。

6.如權(quán)利要求5所述的切割結(jié)構(gòu)，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層包括相同材料。

7.如權(quán)利要求5所述的切割結(jié)構(gòu)，其中該二主要切割絕緣層與該次要切割絕緣層的不同材料。

8.一種半導(dǎo)體元件，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該二主要切割絕緣層、該覆蓋部和該基底的各上表面大致呈共面。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層的各下表面大致呈共面。

11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中在該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層的各下表面處于不同的垂直位面。

12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該導(dǎo)電部包括一底部段和一頂部段，該底部段位于該次要切割絕緣層上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍，且該頂部段位于該底部段和該覆蓋部之間并且被該二主要切割絕緣層所橫向包圍。

13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層包括相同材料。

14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層包括不同材料。

15.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，還包括一第一字元線結(jié)構(gòu)，位于該主動區(qū)中。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一字元線結(jié)構(gòu)包括：

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一字元線介電層的一下表面位于一垂直位面，高于該第二切割絕緣層的一下表面的一垂直位面。

18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一字元線介電層與該次要切割絕緣層包括相同材料。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種切割結(jié)構(gòu)、包含該切割結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件及該半導(dǎo)體元件的制備方法。該切割結(jié)構(gòu)包括二主要切割絕緣層，位于一次要切割絕緣層的兩端并向上延伸，其中，該二主要切割絕緣層和該次要切割絕緣層共同構(gòu)成一U形剖面輪廓；一導(dǎo)電部，位于該次要切割絕緣層上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍；以及一覆蓋部，位于該導(dǎo)電部上并被該二主要切割絕緣層所橫向包圍。

技術(shù)研發(fā)人員：魏均諺
受保護的技術(shù)使用者：南亞科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15