1.一種大容量非易失存儲器的單粒子效應(yīng)測試分析系統(tǒng),其特征在于,包括:上位機模塊、fpga控制模塊、程控電源模塊;
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大容量非易失存儲器的單粒子效應(yīng)測試分析系統(tǒng),其特征在于:所述執(zhí)行各類邏輯電路單粒子功能中斷及單粒子翻轉(zhuǎn)的鑒別分析,包括:根據(jù)預(yù)設(shè)各類單粒子功能錯誤的錯誤位圖規(guī)則對存儲器芯片中讀出的兆比特級數(shù)據(jù)碼流進行分析,實時鑒別各類單粒子功能中斷,同時鑒別和上傳具有地址分布隨機性的存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)事件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種大容量非易失存儲器的單粒子效應(yīng)測試分析系統(tǒng),其特征在于:所述數(shù)據(jù)信息,包括:存儲單元單粒子翻轉(zhuǎn)錯誤數(shù)據(jù)及其地址、邏輯電路單粒子功能中斷事件、存儲器芯片指令執(zhí)行情況、全“0”字和全“1”字數(shù)目、操作執(zhí)行超時情況。
4.一種利用權(quán)利要求3所述系統(tǒng)進行大容量非易失存儲器的單粒子效應(yīng)測試分析的方法,其特征在于,包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于:所述工作模式包括靜態(tài)上電模式、動態(tài)循環(huán)只讀模式和動態(tài)循環(huán)擦讀寫讀模式。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于:所述靜態(tài)上電模式,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于:所述動態(tài)循環(huán)只讀模式,包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于:所述各級單粒子功能中斷的判定具體規(guī)則如下:
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于:所述動態(tài)循環(huán)擦讀寫讀模式,包括:讀操作中根據(jù)讀出的錯誤數(shù)據(jù)鑒別各類單粒子效應(yīng),擦除操作和編程操作中出現(xiàn)的單粒子功能中斷通過操作執(zhí)行超時現(xiàn)象來鑒別,包括: