1.一種陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板中設(shè)置有微流道層和微泵，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，所述微流道層的非微流道區(qū)域和所述微流道在第一方向上交錯分布，所述第一方向平行于所述陶瓷基板的表面，所述非微流道區(qū)域用于設(shè)置導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷基板，其特征在于，還包括支撐層，與所述微流道層層疊設(shè)置，用于支撐所述微流道層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基板，其特征在于，所述微流道層的遠(yuǎn)離所述支撐層的一側(cè)用于設(shè)置元器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基板，其特征在于，所述支撐層設(shè)置于所述微流道層的兩側(cè)，其中，所述微流道層的一側(cè)的所述支撐層用于設(shè)置元器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷基板，其特征在于，所述支撐層的遠(yuǎn)離所述微流道層的一側(cè)用于設(shè)置元器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6任一項所述的陶瓷基板，其特征在于，所述微流道層的熱膨脹系數(shù)與所述支撐層的熱膨脹系數(shù)的差值的絕對值小于預(yù)設(shè)閾值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的陶瓷基板，其特征在于，所述微流道平行于所述陶瓷基板的表面的截面的形狀包括s型、并聯(lián)型、串并聯(lián)結(jié)合型、渦旋型、圓柱針肋型、凹槽陣列型中任意一種或者多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的陶瓷基板，其特征在于，所述微流道的寬度或者直徑在10微米至10000微米的范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9任一項所述的陶瓷基板，其特征在于，所述微流道層包括入口和出口，所述冷卻介質(zhì)從所述入口進(jìn)入所述微流道層，從所述出口流出所述微流道層。
11.一種陶瓷基板的制備方法，其特征在于，包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述微流道層的非微流道區(qū)域和所述微流道在第一方向上交錯分布，所述第一方向平行于所述陶瓷基板的表面，所述非微流道區(qū)域用于設(shè)置導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求13至16任一項所述的方法，其特征在于，所述微流道層的熱膨脹系數(shù)與所述支撐層的熱膨脹系數(shù)的差值的絕對值小于預(yù)設(shè)閾值。
18.根據(jù)權(quán)利要求11至17任一項所述的方法，其特征在于，所述微流道平行于所述陶瓷基板的表面的截面的形狀包括s型、并聯(lián)型、串并聯(lián)結(jié)合型、渦旋型、圓柱針肋型、凹槽陣列型中任意一種或者多種。
19.根據(jù)權(quán)利要求11至18任一項所述的方法，其特征在于，所述微流道的寬度或者直徑在10微米至10000微米的范圍內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求11至19任一項所述的方法，其特征在于，所述微流道層包括入口和出口，所述冷卻介質(zhì)從所述入口進(jìn)入所述微流道層，從所述出口流出所述微流道層。
21.一種電子器件，其特征在于，包括元器件和如權(quán)利要求1至10中任一項所述的陶瓷基板，所述元器件設(shè)置于所述陶瓷基板之上。