本發(fā)明涉及基板處理裝置，更詳細地說，涉及一種利用等離子體執(zhí)行對基板的處理的基板處理裝置。

背景技術(shù)：

1、基板處理裝置是在基板表面執(zhí)行沉積、蝕刻等基板處理的裝置，一般由形成密閉處理空間的工藝腔室、設(shè)置在工藝腔室內(nèi)而支撐基板的基板支撐部、設(shè)置在基板支撐部的上部而噴射用于執(zhí)行工藝的氣體的氣體噴射部構(gòu)成。

2、其中，基板處理裝置可根據(jù)基板處理的種類來施加諸如利用等離子體的電源，為此，基板支撐部可與工藝腔室一起接地而產(chǎn)生電位差。

3、另外，傳統(tǒng)的基板處理裝置具有陰影框架，該陰影框架覆蓋預(yù)設(shè)的基板邊緣的一部分而阻止暴露于工藝氣體，從而防止對基板邊緣的基板處理并防止在工藝過程中損壞基板，但由于不能對陰影框架進行單獨的接地，電荷無法傳遞到外部而蓄積在內(nèi)部。

4、這種情況下，傳統(tǒng)的基板處理裝置的問題在于，因陰影框架內(nèi)電荷的持續(xù)蓄積，基板表面和陰影框架上瞬間產(chǎn)生電弧，損壞包括陰影框架和基板支撐部在內(nèi)的組件并降低基板處理工藝的穩(wěn)定性。

5、另外，為了改善這種問題，陰影框架的材質(zhì)采用難以蓄積電荷的陶瓷等絕緣材料，但由于反復(fù)被支撐及安置在基板支撐部和支撐框架上的陰影框架的特性，存在因反復(fù)接觸和沖擊導(dǎo)致破裂或受損而增加制造成本的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明的目的在于，為了解決上述問題而提供一種提高了可靠性的具有接地性能的基板處理裝置。

3、解決問題的手段

4、為了達成所述目的而提出本發(fā)明，本發(fā)明公開一種基板處理裝置，包括：工藝腔室100，內(nèi)部形成密閉的處理空間s；基板支撐部200，可升降地設(shè)置在所述工藝腔室100，支撐基板10；陰影框架300，擱置于所述工藝腔室100內(nèi)，執(zhí)行基板處理時，隨著所述基板支撐部200的上升而位于所述基板10邊緣上側(cè)；接地連接部400，位于所述工藝腔室100內(nèi)，在所述陰影框架300上升狀態(tài)下，通過彈性力加壓接觸所述陰影框架300，將所述陰影框架300接地連接。

5、本發(fā)明還可包括：突出支撐部500，突出于所述工藝腔室100內(nèi)面，設(shè)置有所述接地連接部400而形成所述陰影框架300的向所述工藝腔室100側(cè)壁的接地路徑。

6、所述接地連接部400在當所述陰影框架300下降時被壓縮，隨著所述陰影框架300上升，通過彈性力保持與所述陰影框架300底面的接觸。

7、本發(fā)明還可包括：支撐框架600，設(shè)置在所述工藝腔室100內(nèi)面中除所述突出支撐部500之外的區(qū)域，隨著所述基板支撐部200的下降，支撐所述陰影框架300。

8、所述接地連接部400被設(shè)置在所述基板支撐部200邊緣而隨著所述基板支撐部200的上升而與所述陰影框架300接觸，形成對所述陰影框架300的基于所述基板支撐部200的接地路徑。

9、本發(fā)明還可包括：底面接地部800，一端與所述基板支撐部200底面結(jié)合，另一端與所述工藝腔室100底面結(jié)合而執(zhí)行對所述基板支撐部200的接地連接。

10、本發(fā)明還可包括：支撐框架600，以與所述工藝腔室100內(nèi)面中所述陰影框架300邊緣對應(yīng)地設(shè)置，隨著所述基板支撐部200的下降而支撐所述陰影框架300；側(cè)面接地部700，設(shè)置在所述基板支撐部200，通過隨著所述基板支撐部200的上升而與所述支撐框架600的接觸，將所述基板支撐部200接地連接。

11、所述接地連接部400隨著所述基板支撐部200的上升而貫通所述支撐框架600而與所述陰影框架300接觸，所述側(cè)面接地部700隨著所述基板支撐部200的上升而通過與所述支撐框架600底面的干涉而被壓縮，加壓接觸所述支撐框架600底面。

12、本發(fā)明還可包括：支撐框架600，以與所述工藝腔室100內(nèi)面中所述陰影框架300邊緣對應(yīng)地設(shè)置，隨著所述基板支撐部200的下降而支撐所述陰影框架300，所述接地連接部400被設(shè)置在所述支撐框架600而形成對所述陰影框架300的基于所述支撐框架600的接地路徑。

13、設(shè)置多個所述接地連接部400，以平面上所述陰影框架300中心為基準而形成對稱。

14、沿著平面上所述陰影框架300邊緣，交替地分別設(shè)置多個所述側(cè)面接地部700和所述接地連接部400。

15、沿著平面上所述陰影框架300邊緣，分別設(shè)置多個所述接地連接部400及所述側(cè)面接地部700，所述側(cè)面接地部700的數(shù)量多于所述接地連接部400。

16、所述接地連接部400可包括：接觸軸部410，包括與所述陰影框架300接觸的接觸板411和從所述接觸板411延長形成的軸412；彈性部420，圍住所述軸412而設(shè)置，一端被所述接觸板411側(cè)支撐；支撐部430，支撐所述彈性部420的另一端，從而使所述彈性部420隨著所述接觸軸部410的相對移動而壓縮及伸長。

17、以與所述突出支撐部500底面結(jié)合地設(shè)置所述支撐部430。

18、所述接地連接部400還可包括：帶部450，一端與所述接觸板411結(jié)合，另一端與所述突出支撐部500結(jié)合，使所述接觸板411與所述突出支撐部500通電。

19、所述陰影框架300被支撐在安置于所述基板10邊緣上面或所述基板10上面的掩膜20上。

20、發(fā)明的效果

21、本發(fā)明的基板處理裝置的優(yōu)點在于，通過執(zhí)行對陰影框架的接地，阻止陰影框架內(nèi)電荷的蓄積，防止電弧的產(chǎn)生及其工藝影響，提高工藝收率。

22、并且，本發(fā)明的基板處理裝置的優(yōu)點在于，通過接地連接部直接連接陰影框架和工藝腔室而形成最小距離的接地路徑，從而增強對陰影框架的接地性能。

23、并且，本發(fā)明的基板處理裝置的優(yōu)點在于，通過在基座部安裝接地連接部而執(zhí)行對陰影框架的接地，從而易于安裝及維護接地連接部。

技術(shù)特征：

1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，

13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及基板處理裝置，更詳細地說，涉及一種利用等離子體執(zhí)行對基板的處理的基板處理裝置。本發(fā)明公開一種基板處理裝置，包括：工藝腔室(100)，內(nèi)部形成密閉的處理空間(S)；基板支撐部(200)，可升降地設(shè)置在所述工藝腔室(100)，支撐基板(10)；陰影框架(300)，擱置于所述工藝腔室(100)內(nèi)，執(zhí)行基板處理時，隨著所述基板支撐部(200)的上升而位于所述基板(10)邊緣上側(cè)；接地連接部(400)，位于所述工藝腔室(100)內(nèi)，在所述陰影框架(300)上升狀態(tài)下，通過彈性力加壓接觸所述陰影框架(300)，將所述陰影框架(300)接地連接。

技術(shù)研發(fā)人員：姜顯
受保護的技術(shù)使用者：圓益IPS股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19