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從襯底處理室清掃毒性和腐蝕性材料的制作方法

文檔序號:41943175發(fā)布日期:2025-05-16 14:00閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種使用大氣執(zhí)行襯底處理系統(tǒng)的處理室的預防性維護的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包含:

2.根據(jù)權利要求1所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成通過使用所述大氣執(zhí)行所述處理室的所述預防性維護,而從所述處理室、所述第一多個閥及歧管和所述第二多個閥及歧管去除含鹵素殘留物。

3.根據(jù)權利要求1所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成執(zhí)行比所述后續(xù)清掃持續(xù)更長的時間段的所述初始清掃。

4.根據(jù)權利要求1所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成在所述初始清掃期間,關閉所述第二多個閥及歧管并開啟所述第一多個閥及歧管,以清掃所述第一多個閥及歧管,同時將所述處理室中的壓強維持在所述第一壓強與所述第二壓強之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成在所述后續(xù)清掃期間,關閉所述第一多個閥及歧管并開啟所述第二多個閥及歧管,以清掃所述第二多個閥及歧管,同時將所述處理室中的壓強維持在所述第一壓強與所述第三壓強之間。

6.根據(jù)權利要求1所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成:

7.一種使用大氣執(zhí)行襯底處理系統(tǒng)的處理室的預防性維護的方法,所述方法包含:

8.根據(jù)權利要求7所述的方法,其中清掃所述處理室、所述第一多個閥和所述第二多個閥包含從所述處理室、所述第一多個閥、所述第二多個閥和與所述第一多個閥及所述第二多個閥相關聯(lián)的歧管去除含鹵素殘留物。

9.根據(jù)權利要求7所述的方法,其還包含清掃所述處理室及所述第一多個閥持續(xù)比清掃所述處理室及所述第二多個閥更長的時間段。

10.根據(jù)權利要求7所述的方法,其還包含:

11.一種使用大氣執(zhí)行襯底處理系統(tǒng)的處理室的預防性維護的系統(tǒng),所述系統(tǒng)包含:

12.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成從所述處理室、所述第一多個閥及歧管、以及所述第二多個閥及歧管去除含鹵素殘留物。

13.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成清掃所述處理室以及所述第一多個閥及歧管持續(xù)比清掃所述處理室以及所述第二多個閥及歧管更長的時間段。

14.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成:

15.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成:

16.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成:

17.根據(jù)權利要求16所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成在所述第一預定時間段之后:

18.根據(jù)權利要求11所述的系統(tǒng),其中所述控制器被配置成:


技術總結
一種使用大氣執(zhí)行襯底處理系統(tǒng)的處理室的預防性維護的系統(tǒng)包含:第一多個閥及歧管、第二多個閥及歧管、以及控制器。所述第一多個閥及歧管位于所述處理室的下游。所述第二多個閥及歧管位于所述處理室的上游。所述控制器被配置成通過以下操作來執(zhí)行所述預防性維護:初始清掃所述處理室和所述第一多個閥及歧管,同時將所述處理室中的壓強維持在第一壓強與第二壓強之間,所述第二壓強大于所述第一壓強且小于大氣壓強;以及后續(xù)清掃所述處理室和所述第二多個閥及歧管,同時將所述處理室中的壓強維持在所述第一壓強與第三壓強之間,所述第三壓強小于所述第一壓強。

技術研發(fā)人員:拉維·帕馬,桑頓·努伊蘇德,喬納森·派爾,雷蒙德·喬納森斯,瑞伊斯·阿梅爾·迪恩,賽·拉查孔達,尼尚特·周晗,樸俊和,肖恩·東海林,邁克爾·拉莫,高恩錫,阿斯溫·阿加西婭·布查卡拉瓦里
受保護的技術使用者:朗姆研究公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/5/15
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