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適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法與流程

文檔序號(hào):41944624發(fā)布日期:2025-05-16 14:01閱讀:4來(lái)源:國(guó)知局
適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法與流程

本發(fā)明涉及電極濺射,尤其涉及一種適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法。


背景技術(shù):

1、金剛石功率負(fù)載用于射頻電路中阻抗匹配和吸收功率,頻段主要覆蓋dc~ku頻段,工作溫度范圍為-55℃~+100℃,工作頻段可達(dá)40ghz,具有頻率響應(yīng)寬、體積小、功率高、重量輕等優(yōu)勢(shì);可廣泛應(yīng)用于航空航天、雷達(dá)、電子對(duì)抗、以及微波t/r組件等領(lǐng)域,是裝備高頻化、小型化的理想選擇。

2、金剛石功率負(fù)載在使用時(shí)需要接地電極,這種接地電極需要在極薄的產(chǎn)品側(cè)面(通常高度為基板的厚度,即0.127、0.254、0.381mm)濺射電極層金屬(如圖1所示),目前現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于接地電極的棱邊處的電極膜層通常使用濺射中粒子繞射進(jìn)行沉積,繞射的粒子因在沉積過(guò)程中帶有不可控的角度,導(dǎo)致沉積效果不可控,具體表現(xiàn)為繞射過(guò)度致使產(chǎn)品正面出現(xiàn)彩虹衍射紋、繞射不足致使產(chǎn)品側(cè)面棱邊電極膜層不連續(xù)(圖2所述)。

3、綜上所述現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于接地電極的棱邊處的濺射電極膜層的方法中,存在產(chǎn)品工藝良品率低,導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性堪憂的問(wèn)題。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,解決現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)于接地電極的棱邊處的濺射電極膜層的方法中,存在產(chǎn)品工藝良品率低,導(dǎo)致產(chǎn)品可靠性堪憂的問(wèn)題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,所述適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法包括如下步驟:

3、s1、在金剛石基片表面根據(jù)基片的厚度用激光挖出相應(yīng)槽寬的帶倒角的通槽;

4、s2、對(duì)挖槽金剛石基片進(jìn)行超聲清洗;

5、s3、將清洗后的挖槽金剛石基片按設(shè)定方向擺放在濺射工裝上,進(jìn)行濺射,當(dāng)濺射完挖槽金剛石基片的正面后,將挖槽金剛石基片翻面,對(duì)挖槽金剛石基片的背面進(jìn)行濺射;

6、s4、將濺射種子層的挖槽金剛石基片進(jìn)行帶膠電鍍;

7、s5、使用刻蝕技術(shù)在挖槽金剛石基片上刻蝕出不同形狀的設(shè)計(jì)圖形;

8、s6、使用裂片技術(shù)使得挖槽金剛石基片分裂,得到多個(gè)具有棱邊濺射層的接地電極產(chǎn)品;

9、s7、對(duì)接地電極產(chǎn)品的側(cè)面棱邊進(jìn)行檢測(cè)。

10、其中,在步驟s1中,所述金剛石基片的厚度與所述通槽的寬度的比例在0.84:1~0.95:1,利用激光在金剛石基片上挖出通槽時(shí),采用紫外皮秒激光器在低功率下,進(jìn)行變焦挖槽。

11、其中,在步驟s2中,對(duì)挖槽金剛石基片進(jìn)行超聲清洗的具體步驟為:使用濃硫酸或者濃鹽酸超聲清洗挖槽金剛石基片,酸洗后使用去離子水和酸堿溶劑反復(fù)超聲清洗。

12、其中,在步驟s3中,所述濺射工裝是平行于濺射靶材的,底部帶有可平行于靶材方向往復(fù)運(yùn)動(dòng)的滑軌。

13、其中,在步驟s5中,使用刻蝕技術(shù)在挖槽金剛石基片上刻蝕出不同形狀的設(shè)計(jì)圖形的具體步驟為:使用噴膠機(jī),將正性光刻膠均勻的噴在旋轉(zhuǎn)的挖槽金剛石基片上,使得挖槽金剛石基片的正面和通槽的內(nèi)壁都覆蓋了光刻膠,之后使用曝光機(jī),將掩模版上的圖形通過(guò)光照射在正性光刻膠上,通過(guò)顯影將非圖形區(qū)域的光刻膠洗掉,再將挖槽金剛石基片浸入刻蝕液中,將沒(méi)有光刻膠保護(hù)的區(qū)域的膜層刻蝕掉,使之刻蝕出接地電極產(chǎn)品的設(shè)計(jì)圖形。

14、其中,在步驟s6中,使用裂片技術(shù)使得挖槽金剛石基片分裂,得到多個(gè)具有棱邊濺射層的接地電極產(chǎn)品的具體步驟為:使用激光半切技術(shù),將挖槽金剛石基片按照接地電極產(chǎn)品的尺寸用激光劃出深度為80%的切割道,再佩戴手套,由工作人員手動(dòng)將挖槽金剛石基片掰開(kāi),得到多個(gè)具有棱邊濺射層的接地電極產(chǎn)品。

15、其中,在步驟s7中,對(duì)接地電極產(chǎn)品的側(cè)面棱邊進(jìn)行檢測(cè)的具體步驟包括:工作人員利用目測(cè)的方式,對(duì)接地電極產(chǎn)品的側(cè)面棱邊的濺射層的外觀進(jìn)行檢測(cè),利用附著力檢測(cè)方法對(duì)接地電極產(chǎn)品的側(cè)面棱邊的濺射層的附著力進(jìn)行檢測(cè),利用抗剪切力檢測(cè)方法對(duì)接地電極產(chǎn)品的側(cè)面棱邊的濺射層的抗剪切力進(jìn)行檢測(cè)。

16、其中,在步驟s7中,利用附著力檢測(cè)方法對(duì)接地電極產(chǎn)品的側(cè)面棱邊的濺射層的附著力進(jìn)行檢測(cè)的具體步驟為:使用測(cè)試膠帶對(duì)接地電極的側(cè)面進(jìn)行膠帶剝離,接地電極粘在膠帶上,排除空氣后,迅速拉起膠帶,剝離一次后,將顯微鏡放大倍數(shù)調(diào)整為30~40倍,將濺射層側(cè)面向上,并調(diào)整目鏡焦距使圖像清晰,分選出產(chǎn)品側(cè)面金屬層脫皮的不合格品。

17、本發(fā)明的一種適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,采用在金剛石基板挖出通槽,依次在基片的正反兩面濺射金屬膜層,使濺射的金屬粒子通過(guò)基片表面的通槽沉積在槽內(nèi)壁來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的側(cè)面電極種子層的制作,再通過(guò)將濺射后的基片浸入電鍍槽內(nèi)進(jìn)行電鍍,電鍍液在桶槽中流通,并將金屬膜層電鍍到槽內(nèi)壁表面,從而實(shí)現(xiàn)接地電極產(chǎn)品的制作,并且采用上述方法制備的接地電極產(chǎn)品的棱邊濺射層能夠滿足附著力和抗剪切力的測(cè)試,大幅提高接地電極產(chǎn)品的良品率和可靠性。



技術(shù)特征:

1.一種適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:

2.如權(quán)利要求1所述的適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,

3.如權(quán)利要求2所述的適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,

4.如權(quán)利要求3所述的適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,

5.如權(quán)利要求3所述的適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,

6.如權(quán)利要求4所述的適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,

7.如權(quán)利要求5所述的適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,

8.如權(quán)利要求7所述的適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電極濺射技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種適用于金剛石功率負(fù)載的接地電極棱邊濺射層的制造方法:采用在金剛石基板挖出通槽,依次在基片的正反兩面濺射金屬膜層,使濺射的金屬粒子通過(guò)基片表面的通槽沉積在槽內(nèi)壁來(lái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的側(cè)面電極種子層的制作,再通過(guò)將濺射后的基片浸入電鍍槽內(nèi)進(jìn)行電鍍,電鍍液在桶槽中流通,并將金屬膜層電鍍到槽內(nèi)壁表面,從而實(shí)現(xiàn)接地電極產(chǎn)品的制作,并且采用上述方法制備的接地電極產(chǎn)品的棱邊濺射層能夠滿足附著力和抗剪切力的測(cè)試,大幅提高接地電極產(chǎn)品的良品率和可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員:楊臻,黃儉幫,王艷艷,王磊,劉運(yùn)福,代樂(lè),高國(guó)平
受保護(hù)的技術(shù)使用者:成都宏科電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/15
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