本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及封裝件及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體工業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸來不斷改進(jìn)各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多組件集成至給定區(qū)中。然而，隨著最小部件尺寸減小，出現(xiàn)了應(yīng)該解決的額外問題。例如，一個(gè)值得關(guān)注的問題是封裝件內(nèi)的應(yīng)力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：將第一封裝組件附接至襯底，其中，所述第一封裝組件包括：中介層；多個(gè)管芯，位于所述中介層上；以及模制材料，圍繞所述多個(gè)管芯；以及將多個(gè)加固結(jié)構(gòu)附接至所述多個(gè)管芯的頂面，其中，所述模制材料沒有所述多個(gè)加固結(jié)構(gòu)。

2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種形成封裝件的方法，包括：將組件附接至封裝襯底，其中，所述組件包括第一管芯；在所述第一管芯的第一拐角區(qū)域上形成第一加固結(jié)構(gòu)，其中，所述第一加固結(jié)構(gòu)與所述第一管芯完全欠疊；以及在所述第一管芯的第二拐角區(qū)域上形成第二加固結(jié)構(gòu)，其中，所述第二加固結(jié)構(gòu)與所述第一管芯完全欠疊。

3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種封裝件，包括：中介層，附接至封裝襯底；第一半導(dǎo)體管芯，接合至所述中介層；第二半導(dǎo)體管芯，接合至所述中介層；第一加固結(jié)構(gòu)，附接至所述第一半導(dǎo)體管芯的頂面，其中，所述第一加固結(jié)構(gòu)鄰近所述第一半導(dǎo)體管芯的第一側(cè)；第二加固結(jié)構(gòu)，附接至所述第二半導(dǎo)體管芯的頂面，其中，所述第二加固結(jié)構(gòu)鄰近所述第二半導(dǎo)體管芯的第一側(cè)，其中，所述第一半導(dǎo)體管芯的所述第一側(cè)背離所述第二半導(dǎo)體管芯的所述第一側(cè)；以及模制材料，位于所述中介層上，其中，所述模制材料與所述第一加固結(jié)構(gòu)和所述第二加固結(jié)構(gòu)分隔開。

技術(shù)特征：

1.一種形成封裝件的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)加固結(jié)構(gòu)的所述加固結(jié)構(gòu)分別附接至所述多個(gè)管芯的所述管芯的對(duì)應(yīng)拐角。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述管芯的所述對(duì)應(yīng)拐角是所述多個(gè)管芯的相對(duì)于所述中介層的所述中心橫向更靠近所述中介層的邊緣的拐角。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：將蓋附接至所述多個(gè)管芯的頂面，其中，所述蓋沒有與所述多個(gè)加固結(jié)構(gòu)物理接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：將第二封裝組件附接至所述襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：將支撐環(huán)附接至所述襯底。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)加固結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)(cte)大于所述多個(gè)管芯的熱膨脹系數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述多個(gè)加固結(jié)構(gòu)在所述第一封裝組件附接至所述襯底之前附接至所述多個(gè)管芯的所述頂面。

9.一種形成封裝件的方法，包括：

10.一種封裝件，包括：

技術(shù)總結(jié)
方法包括：將第一封裝組件附接至襯底，其中，第一封裝組件包括：中介層；管芯，位于中介層上；以及模制材料，圍繞管芯；以及將加固結(jié)構(gòu)附接至管芯的頂面，其中，模制材料沒有加固結(jié)構(gòu)。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及封裝件及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：楊聰偉,汪金華,李宗彥,鄭心圃,言瑋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15