技術(shù)特征：

1.一種多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，在所述蓋板層上形成所述主體結(jié)構(gòu)的過(guò)程包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，在同一層圖案化的所述電極層中，所述內(nèi)電極的相對(duì)兩側(cè)均設(shè)置有所述端電極，且所述內(nèi)電極的其中一側(cè)與相鄰的所述端電極相接，另一側(cè)與相鄰的所述端電極間隔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，在制備相鄰兩層圖案化的所述電極層的過(guò)程中，采用不同的光罩光刻對(duì)應(yīng)的所述電極層，以使垂向上相鄰的兩層所述內(nèi)電極分別與不同側(cè)邊的所述端電極相接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，所述介質(zhì)層和所述電極層均具有感光性；以及，在所述光刻工藝過(guò)程中，使用的曝光顯影液的ph值>6；且所述顯影液的離子濃度范圍為：0.1％～30％。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，沿所述切割道切割所述主體結(jié)構(gòu)及所述蓋板層，以分為多個(gè)所述晶粒的過(guò)程包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，所述蓋板層和所述介質(zhì)層的厚度范圍均為：0.1微米～100微米；所述電極層的厚度范圍均為：0.1微米～10微米；以及，所述端面內(nèi)電極的尺寸滿足如下公式：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，在所述蓋板層上形成所述主體結(jié)構(gòu)之后，且在切割所述主體結(jié)構(gòu)及所述蓋板層之前，所述多層陶瓷電容器的制備方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器的制備方法，其特征在于，在切割所述主體結(jié)構(gòu)及所述蓋板層之后，所述多層陶瓷電容器的制備方法還包括：

10.一種多層陶瓷電容器，其特征在于，采用如權(quán)利要求1～9中任意一項(xiàng)所述的多層陶瓷電容器的制備方法制備而成，且所述多層陶瓷電容器包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種多層陶瓷電容器及其制備方法。其中，所述制備方法是采用光刻工藝替代傳統(tǒng)的絲印方式來(lái)形成所述電極層，避免了絲印工藝引起的圖形形變，確保形成精準(zhǔn)的電極圖案。以及，采用涂刷漿料和烘烤的方式逐層形成所述電極層和所述介質(zhì)層，有效避免了堆疊工藝產(chǎn)生的層間移位的問(wèn)題，利于控制上下電極層間的交錯(cuò)面積。此外，在光刻所述電極層的同時(shí)，還光刻形成端電極，并使得相鄰的各層所述端電極相接，且經(jīng)切割后可以直接作為端面內(nèi)電極，無(wú)需再單獨(dú)執(zhí)行浸漬工藝。因此，所述制備方法不僅提高了制備效率，還改善了內(nèi)外電極的導(dǎo)通性，并優(yōu)化器件的射頻特性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉孝濤,王李明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：唯捷創(chuàng)芯（天津）電子技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15