本發(fā)明涉及陶瓷-金屬封接,具體而言涉及一種高可靠陶瓷金屬外殼及其制備方法。
背景技術(shù):
1、隨著現(xiàn)代電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展,電子信息系統(tǒng)及設(shè)備向大規(guī)模集成化、小型化、和高可靠性方向發(fā)展,對(duì)于作為承載其基礎(chǔ)材料的導(dǎo)熱性能也要求越來(lái)越苛刻。要求其外部承載芯片的保護(hù)殼體須具備有較高的導(dǎo)熱性能,使得芯片在持續(xù)工作的情況下,可以有效的將產(chǎn)生的熱量傳遞出去,從而實(shí)現(xiàn)芯片穩(wěn)定工作,提高芯片的服役壽命。且其熱膨脹系數(shù)需要與芯片的熱膨脹系數(shù)相匹配,避免因?yàn)樾酒ぷ鲿r(shí)出現(xiàn)膨脹差異較大,導(dǎo)致芯片失效的問(wèn)題。
2、因此,急需開(kāi)發(fā)一種高可靠的陶瓷金屬外殼,其具備有良好的強(qiáng)度,優(yōu)異的散熱性能和與芯片較為匹配的熱膨脹系數(shù)來(lái)保障最終器件的穩(wěn)定運(yùn)行。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種高可靠陶瓷金屬外殼及其制備方法,其目的旨在迅速地的傳遞芯片工作產(chǎn)生的熱量,使得其可以高效、穩(wěn)定的運(yùn)行。
2、本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種高可靠陶瓷金屬外殼,包括陶瓷底板、金屬?lài)蚝鸵€,所述金屬?lài)蛲ㄟ^(guò)焊料與所述陶瓷底板焊接,所述陶瓷底板上設(shè)有若干第一通孔,所述引線穿設(shè)于所述第一通孔內(nèi),所述引線通過(guò)焊料環(huán)與所述陶瓷底板焊接;所述第一通孔內(nèi)壁均做有金屬化處理,所述陶瓷底板表面設(shè)有金屬化涂層,所述金屬?lài)虿捎萌髦螐?fù)合結(jié)構(gòu)材料。
3、其中,金屬化處理和金屬化涂層均采用表面涂刷的鉬錳漿料的方式,目的是為了便于后續(xù)與金屬之間的焊接。
4、進(jìn)一步地,所述的陶瓷底板為高導(dǎo)熱陶瓷材料;所述金屬?lài)驗(yàn)楦邔?dǎo)熱材料。所述陶瓷底板的材質(zhì)為氮化鋁陶瓷,選用牌號(hào)為an-170、an-200或an-230中的一種;所述金屬?lài)虿捎玫娜髦螐?fù)合結(jié)構(gòu)材料為cmc。
5、進(jìn)一步地,所述第一通孔內(nèi)壁的金屬化厚度為0.05~0.1mm;所述陶瓷底板的四周邊均涂刷有寬度為1.9~2.1mm的金屬化涂層。
6、進(jìn)一步地,所述引線一側(cè)端面為丁面,用于后道與內(nèi)部芯片的鍵合;所述丁面直徑為引線直徑的1.3~1.5倍。
7、一種高可靠陶瓷金屬外殼的制備方法,包括如下步驟:
8、1)將金屬?lài)蚺c腔內(nèi)定位模具進(jìn)行適配,在金屬?lài)蚨嗣嬷梅臿gcu28成型焊料片;
9、2)將陶瓷底板置于金屬?lài)蚨嗣嫔线M(jìn)行貼合;
10、3)將引線插入陶瓷底板上對(duì)應(yīng)的第一通孔內(nèi),在引線上套設(shè)與其直徑相匹配的agcu28成型焊料環(huán);
11、4)將外引線定位模具與引線進(jìn)行適配;
12、5)將組裝好的金屬外殼產(chǎn)品放入氮?dú)浠旌蠚夥諣t中進(jìn)行焊接,焊接溫度795~805℃。
13、進(jìn)一步地,所述腔內(nèi)定位模具內(nèi)設(shè)有用于定位所述金屬?lài)虻膰蛎た?,用于定位所述陶瓷底板的第一定位孔,和用于定位所述引線的引線盲孔;所述第一定位孔深度為0.9~1mm。用于保障后續(xù)與芯片鍵合時(shí)的鍵合強(qiáng)度。
14、進(jìn)一步地,所述腔內(nèi)定位模具中用于定位所述引線的引線盲孔的孔徑為引線直徑的1.2~1.4倍,用于釋放焊接后的殘余應(yīng)力。
15、進(jìn)一步地,所述外引線定位模具上設(shè)有用于定位引線的第二通孔,所述外引線定位模具上設(shè)有用于定位陶瓷底板的第二定位孔;所述第二定位孔的深度為5.3~5.7mm。
16、進(jìn)一步地,焊接時(shí),采用氮?dú)錃怏w混合,氫氣濃度為氮?dú)獾?~1.5倍。
17、進(jìn)一步地,焊接時(shí)長(zhǎng)為6~8min,隨即以3~5℃/min的降溫速率完成封接。
18、本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比,通過(guò)本發(fā)明制備的一種高可靠陶瓷金屬外殼,其采用高導(dǎo)熱陶瓷材料作為底部承載芯片的載體,高導(dǎo)熱金屬?lài)蜃鳛楸Wo(hù)墻體,使得芯片得以全方位的保護(hù)并可以有效的將其工作時(shí)的熱量快速散出,具有優(yōu)良的電絕緣性、密封性、耐蝕性及熱膨脹匹配性,其優(yōu)異的導(dǎo)熱性可使得內(nèi)部芯片穩(wěn)定、高效的輸出信號(hào),極大的提高了信號(hào)傳輸?shù)男?,提高了整個(gè)封接器件的使用壽命。
1.一種高可靠陶瓷金屬外殼,其特征在于:包括陶瓷底板、金屬?lài)蚝鸵€,所述金屬?lài)蛲ㄟ^(guò)焊料與所述陶瓷底板焊接,所述陶瓷底板上設(shè)有若干第一通孔,所述引線穿設(shè)于所述第一通孔內(nèi),所述引線通過(guò)焊料環(huán)與所述陶瓷底板焊接;所述第一通孔內(nèi)壁均做有金屬化處理,所述陶瓷底板表面設(shè)有金屬化涂層,所述金屬?lài)虿捎萌髦螐?fù)合結(jié)構(gòu)材料。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼,其特征在于:所述陶瓷底板的材質(zhì)為氮化鋁陶瓷,選用牌號(hào)為an-170、an-200或an-230中的一種;所述金屬?lài)虿捎玫娜髦螐?fù)合結(jié)構(gòu)材料為cmc。
3.如權(quán)利要求1所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼,其特征在于:所述第一通孔內(nèi)壁的金屬化厚度為0.05~0.1mm;所述陶瓷底板的四周邊均涂刷有寬度為1.9~2.1mm的金屬化涂層。
4.如權(quán)利要求1所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼,其特征在于:所述引線一側(cè)端面為丁面,所述丁面直徑為引線直徑的1.3~1.5倍。
5.如權(quán)利要求1所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
6.如權(quán)利要求5所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼的制備方法,其特征在于:所述腔內(nèi)定位模具內(nèi)設(shè)有用于定位所述金屬?lài)虻膰蛎た祝糜诙ㄎ凰鎏沾傻装宓牡谝欢ㄎ豢?,和用于定位所述引線的引線盲孔;所述第一定位孔的深度為0.9~1mm。
7.如權(quán)利要求6所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼的制備方法,其特征在于:所述腔內(nèi)定位模具中用于定位所述引線的引線盲孔的孔徑為引線直徑的1.2~1.4倍。
8.如權(quán)利要求5所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼的制備方法,其特征在于:所述外引線定位模具上設(shè)有用于定位引線的第二通孔,所述外引線定位模具上設(shè)有用于定位陶瓷底板的第二定位孔;所述第二定位孔的深度為5.3~5.7mm。
9.如權(quán)利要求5所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼的制備方法,其特征在于:焊接時(shí),采用氮?dú)錃怏w混合,氫氣濃度為氮?dú)獾?~1.5倍。
10.如權(quán)利要求5所述的一種高可靠陶瓷金屬外殼的制備方法,其特征在于:焊接時(shí)長(zhǎng)為6~8min,隨即以3~5℃/min的降溫速率完成封接。