1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括邏輯區(qū)；
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)的頂部、所述器件柵結(jié)構(gòu)的頂部與所述擦除柵結(jié)構(gòu)的頂部齊平。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：器件柵插塞，貫穿所述器件柵結(jié)構(gòu)頂部的層間介質(zhì)層、并與所述器件柵結(jié)構(gòu)電連接；
5.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述硬掩模層的步驟包括：在所述疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)側(cè)部的基底上形成遮擋層，所述遮擋層覆蓋部分或全部所述疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且露出所述硬掩模層頂部；
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝去除所述硬掩模層。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)側(cè)部的基底上形成遮擋層的步驟中，所述遮擋層的材料包括有機(jī)材料。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，去除所述硬掩模層后，還包括：去除所述遮擋層。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述遮擋層。
11.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，沿所述硬掩模層圖形化所述疊層材料層的步驟包括：以所述硬掩模層為掩膜圖形化所述第二柵極材料層，去除所述硬掩模層暴露的第二柵極材料層，保留剩余第二柵極材料層作為所述控制柵結(jié)構(gòu)；
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成覆蓋所述控制柵結(jié)構(gòu)和硬掩模層側(cè)壁的側(cè)墻之后，以所述側(cè)墻和硬掩模層共同為掩膜圖形化所述第一柵極材料層之前，還包括：去除所述存儲(chǔ)單元區(qū)中，相鄰所述疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)相背側(cè)壁上部分厚度的側(cè)墻。
13.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，提供所述基底的步驟中，所述基底還包括邏輯區(qū)；
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在同一步驟中形成所述器件柵結(jié)構(gòu)和擦除柵結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述器件柵結(jié)構(gòu)和擦除柵結(jié)構(gòu)的步驟包括：形成覆蓋所述基底和疊層?xùn)沤Y(jié)構(gòu)的第三柵極材料層；
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述層間介質(zhì)層之后，所述形成方法還包括：形成貫穿所述控制柵頂部的層間介質(zhì)層、并與所述控制柵結(jié)構(gòu)電連接的控制柵插塞；
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在同一步驟中形成所述控制柵插塞和器件柵插塞。
18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述位線插塞、控制柵插塞和器件柵插塞的步驟包括：形成貫穿所述位線區(qū)的基底頂部的層間介質(zhì)層、所述控制柵結(jié)構(gòu)頂部的層間介質(zhì)層、以及所述器件柵結(jié)構(gòu)頂部的層間介質(zhì)層的開口；
19.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，提供所述基底的步驟中，所述硬掩膜層的材料包括氮化硅；