1.一種復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述等離子體處理包括對所述保護層和/或所述載流子功能層表面提供等離子氣體；
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述將所述載流子功能層置于設(shè)定溶劑的氛圍的步驟包括對所述載流子功能層進行加熱，加熱的溫度為150℃～250℃；和/或，加熱的時間為10min～60min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述使所述載流子材料溶液沉積，形成載流子功能層的步驟包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述載流子功能材料包括空穴功能材料、電子功能材料中任一項；和/或
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述載流子功能材料為空穴功能材料，所述空穴功能材料包括空穴注入材料和/或空穴傳輸材料，所述空穴注入材料包括聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)、聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6－四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、聚酯碳酸銅、過渡金屬氧化物、過渡金屬硫系化合物中的一種或其組合；和/或，
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合薄膜的制備方法，其特征在于，所述載流子功能材料為電子功能材料，所述電子功能材料包括摻雜或非摻雜無機材料、有機材料中的一種或其組合；
8.一種復(fù)合薄膜，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至7所述的任一項所述的復(fù)合薄膜的制備方法制備而成。
9.一種光電器件，其特征在于，包括依次層疊的底電極、功能層和頂電極，其中，所述功能層包括采用如權(quán)利要求1至7所述的任一項所述制備方法制備得到的復(fù)合薄膜，或者包括如權(quán)利要求8所述的復(fù)合薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電器件，其特征在于，所述底電極和所述頂電極分別包括金屬氧化物電極或者摻雜或非摻雜透明金屬氧化物之間設(shè)置金屬的復(fù)合電極，所述金屬氧化物電極的材料包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的一種或幾種，所述復(fù)合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一種或幾種。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電器件，其特征在于，所述功能層包括層疊的載流子功能層和保護層，所述載流子功能層靠近所述保護層的一側(cè)和/或所述保護層表面帶有電荷；
12.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求9至11任一項所述的光電器件。