技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，

5.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，

9.一種存儲(chǔ)裝置，包括：

10.一種電子設(shè)備，包括：

技術(shù)總結(jié)
提供一種存儲(chǔ)密度高的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括第一層及第一層的上方的第二層。第一層包括第一至第四導(dǎo)電體、第一至第五絕緣體及第一半導(dǎo)體，第二層包括第五至第七導(dǎo)電體、第六、第七絕緣體及第二半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電體上依次形成有第一絕緣體、第二導(dǎo)電體、第二絕緣體及第三導(dǎo)電體，它們各自設(shè)置有以第一導(dǎo)電體為底面的第一開口。第一開口中依次形成有第一半導(dǎo)體、第四絕緣體及第四導(dǎo)電體。第三絕緣體位于第三導(dǎo)電體的側(cè)面及第二絕緣體的頂面。第五導(dǎo)電體位于第四導(dǎo)電體的頂面及第五絕緣體的頂面。第五導(dǎo)電體上依次形成有第六絕緣體及第六導(dǎo)電體，它們各自設(shè)置有以第五導(dǎo)電體為底面的第二開口。第二開口中依次形成有第二半導(dǎo)體、第七絕緣體及第七導(dǎo)電體。

技術(shù)研發(fā)人員：木村肇,山崎舜平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15