本公開涉及一種等離子體處理裝置及其處理方法。

背景技術(shù)：

1、已知有一種等離子體處理裝置，其使用配置于真空容器內(nèi)的天線在所述真空容器內(nèi)產(chǎn)生感應(yīng)耦合性的等離子體。等離子體處理裝置根據(jù)其類別，對被處理物實施使用所產(chǎn)生的等離子體的規(guī)定的等離子體處理。

2、另外，在等離子體處理裝置中，已知一種有對在等離子體關(guān)閉時形成于被處理物的膜厚進行測定的裝置。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本專利特開2018-157120號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、關(guān)于在等離子體處理裝置的內(nèi)部實時地掌握被實施等離子體處理的被處理物的狀態(tài)，有改善的余地。

3、本公開是鑒于所述問題點而成，其目的在于提供一種可實時地掌握被實施等離子體處理的被處理物的狀態(tài)的等離子體處理裝置。

4、解決問題的技術(shù)手段

5、為了解決所述課題，本公開的一方面的等離子體處理裝置包括：處理室；天線，生成用于在所述處理室的內(nèi)部產(chǎn)生等離子體的磁場；電源，向所述天線供給用于生成所述磁場的高頻電流；第一拍攝部，對所述處理室的內(nèi)部進行拍攝；以及控制部，所述電源通過使所述高頻電流的大小周期性地增減而間歇性地產(chǎn)生所述等離子體，所述控制部對所述第一拍攝部進行控制以獲取與所述等離子體的熄滅同步的所述處理室的內(nèi)部的圖像作為第一圖像。

6、另外，本公開的等離子體處理裝置的處理方法中，所述等離子體處理裝置包括：處理室；天線，生成用于在所述處理室的內(nèi)部產(chǎn)生等離子體的磁場；電源，向所述天線供給用于生成所述磁場的高頻電流；以及第一拍攝部，對所述處理室的內(nèi)部進行拍攝，所述等離子體處理裝置的處理方法包括：等離子體產(chǎn)生工序，通過利用所述電源使所述高頻電流的大小周期性地增減而間歇性地產(chǎn)生所述等離子體；以及第一圖像獲取工序，通過所述第一拍攝部獲取與所述等離子體的熄滅同步的所述處理室的內(nèi)部的圖像作為第一圖像。

7、發(fā)明的效果

8、通過本公開的一實施例，可提供一種可實時地掌握被實施等離子體處理的被處理物的狀態(tài)的等離子體處理裝置及等離子體處理裝置的處理方法。

技術(shù)特征：

1.一種等離子體處理裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，還包括照明部，所述照明部對所述處理室的內(nèi)部進行照明。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其中，所述照明部與所述等離子體的熄滅同步地對所述處理室的內(nèi)部進行照明。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，還包括等離子體發(fā)光監(jiān)視器，所述等離子體發(fā)光監(jiān)視器對在所述處理室的內(nèi)部產(chǎn)生的等離子體進行監(jiān)視。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，還包括顯示部，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，還包括第二拍攝部，所述第二拍攝部對所述等離子體進行拍攝，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其中，所述第一拍攝部兼作所述第二拍攝部。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的等離子體處理裝置，還包括顯示部，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的等離子體處理裝置，還包括通信接口部，所述通信接口部能夠與外部設(shè)備連接，

10.一種等離子體處理裝置的處理方法，所述等離子體處理裝置包括：處理室；天線，生成用于在所述處理室的內(nèi)部產(chǎn)生等離子體的磁場；電源，向所述天線供給用于生成所述磁場的高頻電流；以及第一拍攝部，對所述處理室的內(nèi)部進行拍攝，所述等離子體處理裝置的處理方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種可實時地掌握被實施等離子體處理的被處理物的狀態(tài)的等離子體處理裝置。等離子體處理裝置(1)包括：天線(8)；電源(9)，向天線(8)供給用于產(chǎn)生磁場的高頻電流；拍攝部，對處理室的內(nèi)部進行拍攝；以及控制部。電源(9)通過使高頻電流的大小周期性地增減而間歇性地產(chǎn)生等離子體?？刂撇繉ε臄z部進行控制以獲取與等離子體的熄滅同步的處理室的內(nèi)部的圖像作為第一圖像。

技術(shù)研發(fā)人員：酒井敏彥,東大介,藤原將喜
受保護的技術(shù)使用者：日新電機株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15