1.發(fā)光二極管，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述多孔層的第一折射率小于所述無孔層的第二折射率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述多孔層和所述無孔層各自包括與所述第一半導(dǎo)體層至所述第三半導(dǎo)體層中的任何兩個的半導(dǎo)體材料相同的半導(dǎo)體材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述光學(xué)層包括氮化鎵、氮化銦鎵和氮化鋁鎵中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述多孔層的厚度滿足以下等式1，并且所述無孔層的厚度滿足以下等式2:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述無孔層的厚度是所述多孔層的厚度的2m0+1倍，其中，m0是0或更大的整數(shù)。
7.顯示設(shè)備，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，還包括：
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，還包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，在所述半導(dǎo)體結(jié)結(jié)構(gòu)的所述側(cè)表面上，所述側(cè)表面絕緣層的延伸方向相對于所述厚度方向傾斜。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，穿過所述側(cè)表面反射層和所述側(cè)表面絕緣層中的每一個形成有暴露所述第二電極部分的所述上表面的部分區(qū)域的開口。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示設(shè)備，其中，
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示設(shè)備，還包括：
14.制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在垂直于所述厚度方向的方向上，所述多孔層的第一寬度大于所述無孔層的第二寬度。