一個或多個實施方式涉及顯示設(shè)備和制造該顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

1、顯示設(shè)備可視地顯示數(shù)據(jù)。最近，顯示設(shè)備的用途已經(jīng)多樣化。另外，隨著顯示設(shè)備已經(jīng)變得更薄和更輕，它們的使用范圍得到了擴大。

2、為了實現(xiàn)薄且輕的顯示設(shè)備，顯示設(shè)備可配置為包括使用薄膜封裝層而不使用包括玻璃材料的封裝基板來封裝的發(fā)射區(qū)域。薄膜封裝層可配置為防止雜質(zhì)(比如氧氣或水分)滲透進入發(fā)光元件，并且通過覆蓋顯示設(shè)備的顯示區(qū)域來使顯示區(qū)域的上表面平坦化。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一個或多個實施方式包括薄且輕的顯示設(shè)備。然而，這樣的技術(shù)目標(biāo)僅為示例，并且本公開不限于此。

2、另外的方面將部分在隨后的描述中陳述并且部分將從描述中是顯而易見的，或可通過呈現(xiàn)的本公開的實施方式的實踐而了解到。

3、根據(jù)一個或多個實施方式，顯示設(shè)備包括：基板；設(shè)置在基板上的發(fā)光元件；以及覆蓋發(fā)光元件并且包括第一無機薄膜封裝層、第二無機薄膜封裝層和混合層的封裝層，其中第二無機薄膜封裝層設(shè)置在第一無機薄膜封裝層上并且具有小于第一無機薄膜封裝層的膜密度的膜密度，并且混合層設(shè)置在第二無機薄膜封裝層上并包括硅元素和碳元素并且進一步包括氮元素和/或氧元素。

4、第一無機薄膜封裝層的厚度可小于第二無機薄膜封裝層的厚度。

5、混合層可具有小于第一無機薄膜封裝層的膜密度的膜密度。

6、第一無機薄膜封裝層和第二無機薄膜封裝層中的每一個可包括硅元素和氮元素。

7、第一無機薄膜封裝層中的氮元素與硅元素的比例可小于第二無機薄膜封裝層中的氮元素與硅元素的比例。

8、第一無機薄膜封裝層的膜密度可在約2.70克每立方厘米(g/cm3)至約4.00g/cm3的范圍內(nèi)。

9、第二無機薄膜封裝層的膜密度可在約1.70g/cm3至約2.10g/cm3的范圍內(nèi)。

10、第一無機薄膜封裝層的折射率可大于第二無機薄膜封裝層的折射率。

11、封裝層可進一步包括設(shè)置在混合層上的第三無機薄膜封裝層。

12、第三無機薄膜封裝層的膜密度可大于第二無機薄膜封裝層的膜密度。

13、混合層可包括碳氮化硅(sicxny)、碳氧化硅(sioxcy)和碳氮氧化硅(sioxcynz)中的至少一種。

14、根據(jù)一個或多個實施方式，顯示設(shè)備包括：基板；設(shè)置在基板上的發(fā)光元件；以及覆蓋發(fā)光元件的封裝層，其中封裝層包括：設(shè)置在封裝層的最下部分中的第一無機薄膜封裝層；直接設(shè)置在第一無機薄膜封裝層上并且具有小于第一無機薄膜封裝層的膜密度的膜密度的第二無機薄膜封裝層；以及設(shè)置在第二無機薄膜封裝層上并且具有小于第一無機薄膜封裝層的膜密度的膜密度的混合層。

15、混合層可包括硅元素和碳元素并且可進一步包括氮元素和/或氧元素。

16、第一無機薄膜封裝層的厚度可小于第二無機薄膜封裝層的厚度。

17、根據(jù)一個或多個實施方式，制造顯示設(shè)備的方法包括：在基板上形成發(fā)光元件；在發(fā)光元件上形成第一無機薄膜封裝層；在第一無機薄膜封裝層上形成具有小于第一無機薄膜封裝層的膜密度的膜密度的第二無機薄膜封裝層；以及在第二無機薄膜封裝層上形成包括硅元素和碳元素并且進一步包括氮元素和/或氧元素的混合層。

18、第一無機薄膜封裝層的沉積速率可小于第二無機薄膜封裝層的沉積速率。

19、第一無機薄膜封裝層的厚度可小于第二無機薄膜封裝層的厚度。

20、混合層可具有小于第一無機薄膜封裝層的膜密度的膜密度。

21、形成第一無機薄膜封裝層可包括使用原子層沉積法。

22、形成混合層可包括使用含有具有n-si鍵的化合物和具有o-si鍵的化合物中的至少一種的前體。

技術(shù)特征：

1.一種顯示設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第一無機薄膜封裝層的厚度小于所述第二無機薄膜封裝層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述混合層具有小于所述第一無機薄膜封裝層的所述膜密度的膜密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第一無機薄膜封裝層和所述第二無機薄膜封裝層中的每一個包括硅元素和氮元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中所述第一無機薄膜封裝層中的所述氮元素與所述硅元素的比例小于所述第二無機薄膜封裝層中的所述氮元素與所述硅元素的比例。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第一無機薄膜封裝層的所述膜密度在2.70g/cm3至4.00g/cm3的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第二無機薄膜封裝層的所述膜密度在1.70g/cm3至2.10g/cm3的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述第一無機薄膜封裝層的折射率大于所述第二無機薄膜封裝層的折射率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述封裝層進一步包括設(shè)置在所述混合層上的第三無機薄膜封裝層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中所述第三無機薄膜封裝層的膜密度大于所述第二無機薄膜封裝層的所述膜密度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中所述混合層包括碳氮化硅、碳氧化硅和碳氮氧化硅中的至少一種。

12.一種顯示設(shè)備，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中所述混合層包括硅元素和碳元素并且進一步包括氮元素和/或氧元素。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中所述第一無機薄膜封裝層的厚度小于所述第二無機薄膜封裝層的厚度。

15.一種制造顯示設(shè)備的方法，所述方法包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一無機薄膜封裝層的沉積速率小于所述第二無機薄膜封裝層的沉積速率。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一無機薄膜封裝層的厚度小于所述第二無機薄膜封裝層的厚度。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述混合層具有小于所述第一無機薄膜封裝層的所述膜密度的膜密度。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述第一無機薄膜封裝層包括使用原子層沉積法。

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中形成所述混合層包括使用含有具有n-si鍵的化合物和具有o-si鍵的化合物中的至少一種的前體。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及顯示設(shè)備及其制造方法。顯示設(shè)備，包括：基板；設(shè)置在基板上的發(fā)光元件；以及覆蓋發(fā)光元件并且包括第一無機薄膜封裝層、第二無機薄膜封裝層和混合層的封裝層。第二無機薄膜封裝層設(shè)置在第一無機薄膜封裝層上并且具有小于第一無機薄膜封裝層的膜密度的膜密度，并且混合層設(shè)置在第二無機薄膜封裝層上并包括硅元素和碳元素并且進一步包括氮元素和/或氧元素。

技術(shù)研發(fā)人員：尹現(xiàn)燮,金鐘祐,吳昭令,鄭雨錫,河載興
受保護的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19