技術(shù)特征：

1.一種氮化鎵器件，其特征在于，包括：襯底、緩沖層、溝道層、勢(shì)壘層、p型層、柵極、源極和漏極，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵器件，其特征在于，所述柵極包括全包覆結(jié)構(gòu)，所述全包覆結(jié)構(gòu)覆蓋所述p型層的上表面和所述p型層的兩個(gè)側(cè)面；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化鎵器件，其特征在于，所述全包覆結(jié)構(gòu)為肖特基柵極金屬，所述肖特基柵極金屬與所述勢(shì)壘層、所述p型層之間均形成肖特基接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化鎵器件，其特征在于，所述全包覆結(jié)構(gòu)包括歐姆柵極金屬和肖特基柵極金屬，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氮化鎵器件，其特征在于，沿所述p型層的延伸方向，所述歐姆柵極金屬的形狀包括直線形、s型或z型；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵器件，其特征在于，所述柵極包括半包覆結(jié)構(gòu)，所述半包覆結(jié)構(gòu)覆蓋所述p型層的上表面和所述p型層的第一側(cè)面，或者，覆蓋所述p型層的上表面和所述p型層的第二側(cè)面；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵器件，其特征在于，

8.一種氮化鎵器件的制備方法，其特征在于，包括步驟：

9.一種模組，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的氮化鎵器件，所述模組包括功率模組、射頻模組、集成射頻前端模組。

10.一種設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的模組。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種氮化鎵器件及其制備方法、模組、設(shè)備，氮化鎵器件，包括：襯底、緩沖層、溝道層、勢(shì)壘層、p型層、柵極、源極和漏極，其中，襯底、緩沖層、溝道層、勢(shì)壘層自下至上依次層疊；p型層位于勢(shì)壘層上；柵極覆蓋p型層的上表面和p型層的至少一個(gè)側(cè)面，且與勢(shì)壘層相接觸，柵極與p型層形成柵帽結(jié)構(gòu)；源極和漏極位于勢(shì)壘層上，且分布在柵帽結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。本發(fā)明的氮化鎵器件克服了現(xiàn)有技術(shù)中凹槽柵結(jié)構(gòu)和使用碳化硅襯底的GaN?HEMT帶來(lái)的問(wèn)題，在保持高性能、高穩(wěn)定性的同時(shí)，顯著降低了制造成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜度，實(shí)現(xiàn)了更高的安全性和應(yīng)用便利性，為模組和設(shè)備的集成化、小型化提供了理想的解決方案。

技術(shù)研發(fā)人員：祝杰杰,錢(qián)禹辰,馬曉華,李萌迪,秦靈潔,郝躍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15