本公開涉及顯示，具體而言，涉及一種發(fā)光基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、傳統(tǒng)非晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管具有自發(fā)光、廣視角、響應(yīng)快、柔性可彎曲、高效、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，是新一代的全彩顯示和固態(tài)照明技術(shù)，目前已成功應(yīng)用于智能手機(jī)和大尺寸電視等顯示領(lǐng)域。

2、相比于傳統(tǒng)的有機(jī)非晶態(tài)無定型材料，有機(jī)晶體材料具有規(guī)則的分子排布、低雜質(zhì)含量、良好的穩(wěn)定性以及高載流子遷移率，因此，基于有機(jī)晶體材料的晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管在提高器件的效率和穩(wěn)定性方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。

3、需要說明的是，在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供一種發(fā)光基板及其制備方法，可降低有機(jī)晶態(tài)薄膜的成膜難度。

2、根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一種發(fā)光基板的制備方法，所述發(fā)光基板包括至少一個(gè)晶態(tài)oled，所述晶態(tài)oled包括依次層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光功能單元和第二電極；

3、所述發(fā)光基板的制備方法包括：

4、提供輔助基板，所述輔助基板的表面具有非晶硅層；

5、在所述非晶硅層表面形成發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層包括各個(gè)所述晶態(tài)oled的所述發(fā)光功能單元；

6、在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述輔助基板的一側(cè)形成第二電極層，所述第二電極層具有各個(gè)所述晶態(tài)oled的所述第二電極；

7、去除所述輔助基板；

8、在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成第一電極層，所述第一電極層具有各個(gè)所述晶態(tài)oled的所述第一電極。

9、在本公開的一種實(shí)施方式中，所述非晶硅層的厚度為5～500nm，含氫量2wt％～30wt％；

10、所述非晶硅層的表面粗糙度小于0.5nm。

11、在本公開的一種實(shí)施方式中，所述非晶硅層的厚度為5～15nm，含氫量5wt％～10wt％。

12、在本公開的一種實(shí)施方式中，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

13、在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述輔助基板的一側(cè)形成第二電極層后，在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置驅(qū)動(dòng)背板層。

14、在本公開的一種實(shí)施方式中，在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置驅(qū)動(dòng)背板層包括：

15、在所述第二電極層表面形成連接層，在所述連接層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)設(shè)置所述驅(qū)動(dòng)背板層；

16、其中，所述連接層的厚度大于0.2μm。

17、在本公開的一種實(shí)施方式中，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

18、在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成所述第一電極層后，在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置薄膜封裝層。

19、在本公開的一種實(shí)施方式中，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

20、在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述輔助基板的一側(cè)形成第二電極層后，在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置薄膜封裝層。

21、在本公開的一種實(shí)施方式中，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

22、在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成第一電極層后，在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置驅(qū)動(dòng)背板層。

23、在本公開的一種實(shí)施方式中，在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置驅(qū)動(dòng)背板層包括：

24、在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)形成連接層，在所述連接層遠(yuǎn)離所述第一電極層的一側(cè)設(shè)置所述驅(qū)動(dòng)背板層。

25、其中，所述連接層的厚度大于0.2μm。

26、根據(jù)本公開的第二個(gè)方面，還提供一種發(fā)光基板，所述發(fā)光基板通過上述任一實(shí)施方式所述的發(fā)光基板的制備方法來制備。

27、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光基板包括至少一個(gè)晶態(tài)oled，所述晶態(tài)oled包括依次層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光功能單元和第二電極；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層的厚度為5～500nm，含氫量2wt％～30wt％；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述非晶硅層的厚度為5～15nm，含氫量5wt％～10wt％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，在所述第二電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置驅(qū)動(dòng)背板層包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光基板的制備方法還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光基板的制備方法，其特征在于，在所述第一電極層遠(yuǎn)離所述發(fā)光功能層的一側(cè)設(shè)置驅(qū)動(dòng)背板層包括：

10.一種發(fā)光基板，其特征在于，所述發(fā)光基板通過權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的發(fā)光基板的制備方法來制備。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供一種發(fā)光基板及其制備方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光基板包括至少一個(gè)晶態(tài)OLED，所述晶態(tài)OLED包括依次層疊設(shè)置的第一電極、發(fā)光功能單元和第二電極；所述發(fā)光基板的制備方法包括：提供輔助基板，所述輔助基板的表面具有非晶硅層；在所述非晶硅層表面形成發(fā)光功能層，所述發(fā)光功能層包括各個(gè)所述晶態(tài)OLED的所述發(fā)光功能單元；在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述輔助基板的一側(cè)形成第二電極層，所述第二電極層具有各個(gè)所述晶態(tài)OLED的所述第二電極；去除所述輔助基板；在所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述第二電極層的一側(cè)形成第一電極層，所述第一電極層具有各個(gè)所述晶態(tài)OLED的所述第一電極?？山档陀袡C(jī)晶態(tài)薄膜的成膜難度。

技術(shù)研發(fā)人員：閆華杰,王明星,孫倩,張娟,孫孟娜,黃清雨,焦志強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15