本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種改善圖像傳感器白噪聲的方法。

背景技術(shù)：

1、圖像傳感器作為將光信號轉(zhuǎn)為電信號的關(guān)鍵器件，其性能和質(zhì)量直接影響著所獲取圖像的品質(zhì)。其中白像素(white?pixel)是評估cis(前照式圖像傳感器)器件性能的一個重要指標(biāo)，直接反應(yīng)器件的成像質(zhì)量。

2、為應(yīng)對圖像傳感器白像素問題，一方面可在后期圖像處理過程中開發(fā)多種算法和技術(shù)檢測修復(fù)白像素，另一方面則是通過工藝改善(原物料、金屬離子控制、退火修復(fù)損傷、吸雜除雜等)。

3、為解決上述問題，需要提出一種新型的改善圖像傳感器白噪聲的方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種改善圖像傳感器白噪聲的方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中白像素壞點(diǎn)影響圖像傳感器質(zhì)量的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種改善圖像傳感器白噪聲的方法，包括：

3、步驟一、提供襯底，在所述襯底上形成第一外延層，利用離子注入在所述第一外延層上表面形成用于捕獲金屬雜質(zhì)的吸雜因子層；

4、步驟二、在所述第一外延層上形成第二外延層；

5、步驟三、在所述第二外延層上形成圖像傳感器。

6、優(yōu)選地，步驟一中的所述襯底為p型襯底。

7、優(yōu)選地，步驟一中的所述第一外延層的厚度為1至6微米。

8、優(yōu)選地，步驟一中以離子注入的離子源為c元素。

9、優(yōu)選地，步驟一中的所述金屬雜質(zhì)包括fe/cu/ni中的至少一種。

10、優(yōu)選地，步驟二中的所述第二外延層的厚度為1至6微米。

11、優(yōu)選地，步驟三中的所述圖像傳感器為前照式圖像傳感器。

12、優(yōu)選地，所述襯底的背面設(shè)置有背封結(jié)構(gòu)。

13、優(yōu)選地，步驟三中的所述圖形傳感器的形成方法包括：利用多次離子注入在所述第二外延層上形成光電二極管陣列；形成金屬連線結(jié)構(gòu)；形成抗反射增透膜；形成濾光片；制作微透鏡。

14、如上所述，本發(fā)明的改善圖像傳感器白噪聲的方法，具有以下有益效果：

15、本發(fā)明的吸雜因子層能夠捕獲金屬雜質(zhì)，改善白像素壞點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于，至少包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：步驟一中的所述襯底為p型襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：步驟一中的所述第一外延層的厚度為1至6微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：步驟一中以離子注入的離子源為c元素。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：步驟一中的所述金屬雜質(zhì)包括fe/cu/ni中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：步驟二中的所述第二外延層的厚度為1至6微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：步驟三中的所述圖像傳感器為前照式圖像傳感器。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：所述襯底的背面設(shè)置有背封結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善圖像傳感器白噪聲的方法，其特征在于：步驟三中的所述圖形傳感器的形成方法包括：利用多次離子注入在所述第二外延層上形成光電二極管陣列；形成金屬連線結(jié)構(gòu)；形成抗反射增透膜；形成濾光片；制作微透鏡。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種改善圖像傳感器白噪聲的方法，提供襯底，在襯底上形成第一外延層，利用離子注入在第一外延層上表面形成用于捕獲金屬雜質(zhì)的吸雜因子層；在第一外延層上形成第二外延層；在第二外延層上形成圖像傳感器。本發(fā)明的吸雜因子層能夠捕獲金屬雜質(zhì)，改善白像素壞點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭曉輝,張棟,范曉,王函
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15