1.一種襯底托架，包括：
襯底支架；和
環(huán)繞所述襯底支架的臺(tái)階部，
其中，所述臺(tái)階部的側(cè)面和下部中的至少一個(gè)包括凹進(jìn)區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托架，其中，所述凹進(jìn)區(qū)域被設(shè)置在所述臺(tái)階部的所述側(cè)面并包括延伸入所述側(cè)面中的凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底托架，其中，所述臺(tái)階部包括上臺(tái)階和具有與所述上臺(tái)階的高度不同的高度的下臺(tái)階，并且
所述凹槽具有比所述下臺(tái)階的寬度更大的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底托架，其中，所述下臺(tái)階的上表面在與所述凹槽延伸的方向平行的方向上延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底托架，其中，所述下臺(tái)階的上表面在與所述凹槽延伸的方向不平行的方向上延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底托架，其中，所述下臺(tái)階的所述上表面，從所述下臺(tái)階的所述上表面從所述上臺(tái)階下降的位置，在朝向所述上臺(tái)階的上表面的延伸表面的傾斜方向上延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托架，其中，所述凹進(jìn)區(qū)域被設(shè)置在所述臺(tái)階部的所述下部中并沿所述臺(tái)階部的所述下部延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底托架，其中，所述凹進(jìn)區(qū)域具有比所述臺(tái)階部的寬度更大的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托架，還包括在所述凹進(jìn)區(qū)域的至少一部分中填充的彈性材料。
10.一種襯底托架，被配置成與反應(yīng)器壁面密封接觸，所述襯底托架包括：
襯底容置區(qū)域；和
接觸區(qū)域，其環(huán)繞所述襯底容置區(qū)域并與所述反應(yīng)器壁面密封接觸，
其中，當(dāng)在所述面密封接觸期間向所述接觸區(qū)域施加壓力時(shí)，所述接觸區(qū)域具有彈性行為。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的襯底托架，其中，所述接觸區(qū)域的側(cè)面和下部中的至少一個(gè)具有凹進(jìn)形狀。
12.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括：
反應(yīng)器壁；
襯底托架，被配置成與所述反應(yīng)器壁面密封接觸并與所述反應(yīng)器壁限定反應(yīng)區(qū)域；和
氣體供應(yīng)單元，被配置成向所述反應(yīng)區(qū)域供應(yīng)氣體，
其中，當(dāng)在所述面密封接觸期間向所述襯底托架施加壓力時(shí)，所述襯底托架具有彈性行為。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中，在所述面密封接觸期間，在所述襯底托架與所述反應(yīng)器壁之間形成空間。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的襯底托架，其中，所述襯底托架的至少一部分包括上臺(tái)階和具有與所述上臺(tái)階的高度不同的高度的下臺(tái)階，并且
在所述面密封接觸期間在所述上臺(tái)階和所述反應(yīng)器壁之間形成所述空間。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，還包括環(huán)繞所述反應(yīng)器壁的外腔室，
其中，通過(guò)所述外腔室產(chǎn)生在所述面密封接觸期間向所述襯底托架施加的所述壓力。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中，所述襯底托架包括延伸入所述襯底托架的側(cè)面中的凹槽。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中，所述凹槽延伸入與所述反應(yīng)區(qū)域交疊的區(qū)域中。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中，所述襯底托架的下部具有臺(tái)階形狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體制造設(shè)備，其中，所述臺(tái)階形狀延伸入與所述反應(yīng)區(qū)域交疊的區(qū)域中。
20.一種半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括：
第一反應(yīng)器壁；
第二反應(yīng)器壁；
氣體供應(yīng)單元，被配置成向所述第一反應(yīng)器壁內(nèi)的區(qū)域和所述第二反應(yīng)器壁內(nèi)的區(qū)域供應(yīng)氣體；
外腔室，其環(huán)繞所述第一反應(yīng)器壁和所述第二反應(yīng)器壁；
第一襯底托架，被配置成垂直移動(dòng)并與所述第一反應(yīng)器壁面密封接觸；和第二襯底托架，被配置成垂直移動(dòng)并與所述第二反應(yīng)器壁面密封接觸，
其中，所述第一襯底托架和所述第二襯底托架中的至少一個(gè)包括臺(tái)階部，并且
所述臺(tái)階部的側(cè)面和下部中的至少一個(gè)包括凹進(jìn)區(qū)域，當(dāng)在所述面密封接觸期間通過(guò)所述外腔室向所述凹進(jìn)區(qū)域施加壓力時(shí)所述凹進(jìn)區(qū)域具有彈性行為。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托架，還包括填充所述凹進(jìn)區(qū)域的至少一部分的至少一個(gè)支撐件。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托架，其中，所述支撐件具有比所述臺(tái)階部的熱膨脹系數(shù)更低的熱膨脹系數(shù)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底托架，其中，所述至少一個(gè)支撐件包括多個(gè)支撐件，并且所述支撐件沿所述襯底托架的圓周不對(duì)稱地布置。