1.一種雙區(qū)加熱的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積腔體晶圓基座，包括基座主體，所述基座主體上設(shè)置晶圓凹槽，其特征在于：晶圓凹槽分為中心區(qū)域和邊緣區(qū)域兩部分，中心區(qū)域和邊緣區(qū)域采用兩套內(nèi)嵌加熱元件及溫度傳感器來獨(dú)立加熱，中心區(qū)域位置設(shè)置中心區(qū)域內(nèi)嵌加熱元件，中心區(qū)域內(nèi)嵌加熱元件連接中心區(qū)域加熱元件電源線和中心區(qū)域熱電偶溫度傳感器，邊緣區(qū)域位置設(shè)置邊緣區(qū)域內(nèi)嵌加熱元件，邊緣區(qū)域內(nèi)嵌加熱元件連接邊緣區(qū)域加熱元件電源線和邊緣區(qū)域熱電偶溫度傳感器。
2.如權(quán)利要求1所述的一種雙區(qū)加熱的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積腔體晶圓基座，其特征在于：以基座主體的中心為圓心，直徑150~250mm的區(qū)域?yàn)橹行膮^(qū)域，以晶圓凹槽的外緣為基準(zhǔn)，向內(nèi)側(cè)延伸25~75mm的圓環(huán)區(qū)域?yàn)檫吘墔^(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的一種雙區(qū)加熱的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積腔體晶圓基座，其特征在于：所述基座主體內(nèi)設(shè)置內(nèi)嵌接地電極，所述基座主體的下方設(shè)置接地，所述基座主體的下方設(shè)置真空密封。