本發(fā)明涉及集成電路制造設(shè)備，特別是涉及一種可改善成膜均勻性的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、濺射鍍膜技術(shù)是一種在真空環(huán)境下，通過電場加速的高能粒子（通常是氬離子）轟擊靶材，將靶材中的原子及其他粒子打出并沉積在基體上，從而形成所需薄膜的技術(shù)。其具有沉積速度快、可控性高、鍍膜種類多等諸多優(yōu)點而得到越來越廣泛的應(yīng)用。

2、反應(yīng)濺射是濺射鍍膜技術(shù)中的一種，其是在濺射靶材的過程中，向鍍膜腔體中通入反應(yīng)氣體，靶材粒子與反應(yīng)氣體反應(yīng)形成諸如氧化物或氮化物等化合物薄膜。反應(yīng)濺射鍍膜效率與濺射粒子濃度和反應(yīng)氣體的量息息相關(guān)。

3、現(xiàn)有的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，反應(yīng)氣體都是通過固定于腔體上的進氣管路輸送到鍍膜腔體中。由于進氣管路的出氣口的位置固定不變，因此反應(yīng)氣體在鍍膜空間中的分布在整個鍍膜期間是不變的，且通常是對應(yīng)晶圓中心區(qū)域的反應(yīng)氣體分布多而邊緣分布少，而晶圓中心區(qū)域也通常是濺射粒子密度最高的區(qū)域。這容易導(dǎo)致沉積的薄膜出現(xiàn)中間厚邊緣薄的問題，尤其是鍍膜時間越久，這種不均勻的情況越嚴重。

4、應(yīng)該注意，上面對技術(shù)背景的介紹只是為了方便對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整的說明，并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因為這些方案在本發(fā)明的背景技術(shù)部分進行了闡述而認為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種可改善成膜均勻性的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，以解決現(xiàn)有的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備因反應(yīng)氣體的出氣位置固定不變，容易導(dǎo)致沉積的薄膜出現(xiàn)膜厚不均等問題。

2、為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種可改善成膜均勻性的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，所述反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備包括鍍膜腔體、載臺、濺射組件、反應(yīng)氣體進氣管路及驅(qū)動組件；所述載臺位于鍍膜腔體內(nèi)，用于承載待鍍膜的基板；所述濺射組件位于鍍膜腔體頂部，用于產(chǎn)生濺射粒子；所述反應(yīng)氣體進氣管路包括環(huán)狀管路及多個噴氣管，環(huán)狀管路環(huán)設(shè)于濺射組件和載臺之間，其與反應(yīng)氣體源連通，多個噴氣管在環(huán)狀管路的同一圓周上間隔分布，且噴氣管一端與環(huán)狀管路連接，另一端向環(huán)狀管路的內(nèi)側(cè)延伸，用于輸送反應(yīng)氣體，其中，至少部分噴氣管可水平伸縮，所述驅(qū)動組件與可水平伸縮的噴氣管連接，用于在鍍膜過程中調(diào)整對應(yīng)噴氣管的長度，由此調(diào)整反應(yīng)氣體在鍍膜空間的分布。

3、可選地，所述噴氣管包括波紋管。

4、可選地，所述反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備還包括設(shè)置于波紋管上方，用于防止濺射粒子沉積于波紋管表面的擋片。

5、更可選地，所述擋片與環(huán)狀管路可拆卸連接。

6、在一可選方案中，所述驅(qū)動組件包括成對極性相同或相反的電磁鐵，與噴氣管相連接的一對電磁鐵在未通電時水平間隔，當(dāng)通電時兩者相互吸引或遠離，由此使對應(yīng)的噴氣管沿水平方向收縮或伸展。

7、更可選地，所述電磁鐵的非磁吸面鍍有磁屏蔽層。

8、可選地，可伸縮的噴氣管與不可伸縮的噴氣管交替間隔分布。

9、可選地，所述反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備還包括自濺射組件外圍延伸到載臺周向外圍的擋板，所述環(huán)狀管路固定于所述擋板上。

10、可選地，至少部分噴氣管包括可拆卸連接的第一段管路和第二段管路，第一段管路的一端與環(huán)狀管路連接，另一端與第二段管路螺紋連接。

11、可選地，第一段管路可伸縮，第二段管路不可伸縮。

12、如上所述，本發(fā)明提供的可改善成膜均勻性的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，具有以下有益效果：本發(fā)明提供的可改善成膜均勻性的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備通過采用可伸縮的噴氣管，且通過驅(qū)動組件在鍍膜過程中調(diào)整噴氣管的伸縮，由此調(diào)節(jié)噴氣管的水平長度，改善反應(yīng)氣體在鍍膜空間的分布，有助于提高鍍膜均勻性，提高生產(chǎn)良率。該設(shè)備結(jié)構(gòu)簡潔，且無需停機就可實現(xiàn)鍍膜過程中的調(diào)節(jié)，有助于提高設(shè)備產(chǎn)出率。

技術(shù)特征：

1.一種可改善成膜均勻性的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備包括鍍膜腔體、載臺、濺射組件、反應(yīng)氣體進氣管路及驅(qū)動組件；所述載臺位于鍍膜腔體內(nèi)，用于承載待鍍膜的基板；所述濺射組件位于鍍膜腔體頂部，用于產(chǎn)生濺射粒子；所述反應(yīng)氣體進氣管路包括環(huán)狀管路及多個噴氣管，環(huán)狀管路環(huán)設(shè)于濺射組件和載臺之間，其與反應(yīng)氣體源連通，多個噴氣管在環(huán)狀管路的同一圓周上間隔分布，且噴氣管一端與環(huán)狀管路連接，另一端向環(huán)狀管路的內(nèi)側(cè)延伸，用于輸送反應(yīng)氣體，其中，至少部分噴氣管可水平伸縮，所述驅(qū)動組件與可水平伸縮的噴氣管連接，用于在鍍膜過程中調(diào)整對應(yīng)噴氣管的長度，由此調(diào)整反應(yīng)氣體在鍍膜空間的分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述噴氣管包括波紋管。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備還包括設(shè)置于波紋管上方，用于防止濺射粒子沉積于波紋管表面的擋片。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述擋片與環(huán)狀管路可拆卸連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，可伸縮的噴氣管與不可伸縮的噴氣管交替間隔分布。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備還包括自濺射組件外圍延伸到載臺周向外圍的擋板，所述環(huán)狀管路固定于所述擋板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，至少部分噴氣管包括可拆卸連接的第一段管路和第二段管路，第一段管路的一端與環(huán)狀管路連接，另一端與第二段管路螺紋連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，第一段管路可伸縮，第二段管路不可伸縮。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述驅(qū)動組件包括成對極性相同或相反的電磁鐵，與噴氣管相連接的一對電磁鐵在未通電時水平間隔，當(dāng)通電時兩者相互吸引或遠離，由此使對應(yīng)的噴氣管沿水平方向收縮或伸展。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述電磁鐵的非磁吸面鍍有磁屏蔽層。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種可改善成膜均勻性的反應(yīng)濺射鍍膜設(shè)備，包括鍍膜腔體、載臺、濺射組件、反應(yīng)氣體進氣管路及驅(qū)動組件；載臺位于鍍膜腔體內(nèi)，用于承載待鍍膜的基板；濺射組件位于鍍膜腔體頂部，用于產(chǎn)生濺射粒子；所述反應(yīng)氣體進氣管路包括環(huán)狀管路及多個噴氣管，環(huán)狀管路環(huán)設(shè)于濺射組件和載臺之間，其與反應(yīng)氣體源連通，多個噴氣管在環(huán)狀管路的同一圓周上間隔分布，且噴氣管一端與環(huán)狀管路連接，另一端向環(huán)狀管路的內(nèi)側(cè)延伸，用于輸送反應(yīng)氣體，其中，至少部分噴氣管可水平伸縮，所述驅(qū)動組件與可水平伸縮的噴氣管連接，用于在鍍膜過程中調(diào)整對應(yīng)噴氣管的長度，由此調(diào)整反應(yīng)氣體在鍍膜空間的分布。本發(fā)明有助于提高鍍膜均勻性，提高生產(chǎn)良率。

技術(shù)研發(fā)人員：忻圣波,封擁軍,宋維聰,李文濤
受保護的技術(shù)使用者：陛通半導(dǎo)體設(shè)備（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/10