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一種氮化鋁單晶生長方法與流程

文檔序號:11147600閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種氮化鋁單晶生長方法,長晶時的溫度曲線和壓力曲線簡單可控;在氮化鋁燒結(jié)體表面進(jìn)行長晶,生長得到的氮化鋁單晶體內(nèi)部幾乎無缺陷;通過采用鎢材料制備坩堝,雜質(zhì)引入極少;能夠得到最大尺寸為厘米級的氮化鋁單晶;長晶成本較低。

技術(shù)研發(fā)人員:吳亮;曹凱;汪佳;劉理想;龔加瑋;王智昊;王琦琨
受保護(hù)的技術(shù)使用者:蘇州奧趨光電技術(shù)有限公司
文檔號碼:201611196928
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.22
技術(shù)公布日:2017.05.10

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