專利名稱：用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，至少一個用于檢 測磁場的傳感器識別設(shè)置在液壓缸活JPfr上的困案，并由此確定所述活塞 的位置。
背景技術(shù)：
用于液壓舡的位置測量系統(tǒng)在對沖程長度的控制和調(diào)節(jié)需要準(zhǔn)確地知 道活塞的位罝的愔況下使用。EP0 618 373B1公開了一種位置測量系統(tǒng)，其中，活S^t設(shè)置有凹槽 結(jié)構(gòu)并且對該結(jié)構(gòu)進(jìn)行磁性掃描.通常采用非常深的結(jié)構(gòu)，且所述結(jié)構(gòu)填 充有陶瓷涂層.這種陶瓷涂層非常堅硬，但是其缺點是^的陶資顆粒會 磨蝕損壞液壓缸的密封系統(tǒng)，因此，具有陶瓷涂層的系統(tǒng)不適用于多氣釭 沖程的情況并且限制了其使用壽命。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中活 塞桿的表面性質(zhì)得到改進(jìn)，從而減小磨損并由此延長所述系統(tǒng)的使用壽命，M本發(fā)明，所述目的通過提供如本發(fā)明的權(quán)利要求1所述的用于液 壓缸的位置測量系統(tǒng)而實現(xiàn).在此，活塞桿的桿芯由具有高磁化率的金屬制成，并且具有jM^沿軸向的凹槽結(jié)構(gòu)。所述凹槽結(jié)構(gòu)填充有磁化率低于 桿芯的磁化率的金屬.軸向位置固定的磁體產(chǎn)生根據(jù)凹槽結(jié)構(gòu)變化的磁 場，并由至少一個傳感器測量該磁場的變化。由于磁場的變化依賴于凹槽 結(jié)構(gòu)的位置，活塞的位置可以通過測量所逸磁場的變化而確定。由于使用金屬來填充凹槽結(jié)構(gòu)，這使活塞桿在^yt、磨損度、抗腐蝕 性和使用壽命等方面具有優(yōu)良的表面性質(zhì)，這些性質(zhì)相當(dāng)于不具有位置測量系統(tǒng)的活塞軒的性質(zhì)。具體地，由此，所i^面非常光滑，從而諸如密封系統(tǒng)等的其它釭部件不會被損壞并且整個系統(tǒng)具有較長的使用壽命。進(jìn) 一步講，使用金屬來填充凹槽結(jié)構(gòu)，這使凹槽結(jié)構(gòu)深度較小，從而其切口 效應(yīng)可以忽略，并且對缸的構(gòu)造不需要進(jìn)行改變。而且，進(jìn)行評估的整個 傳感器系統(tǒng)以及電子系統(tǒng)在無壓區(qū)域的系統(tǒng)中設(shè)置，不會受到壓力峰值的 損壞?？傮w上講，本發(fā)明提供了一種構(gòu)造簡單且極為耐用的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)可以低成本地制迭^L採作，特別是由于低磨損還可以用于多氣缸沖程的系統(tǒng)。而且，本發(fā)明的測量系統(tǒng)可以結(jié)合在任意缸中，而不用"質(zhì)上改 變釭的構(gòu)造。優(yōu)選地，所迷至少一個傳感器沿特定方向測量所逸磁場，這樣增強(qiáng)了 傳感器對磁場臾化的炎歉l優(yōu)選地，所u體是^體，其南北軸線根據(jù)所述傳感器(30、 40)的i更置和方向延伸。W地，所述南北軸線可相 對活塞徑向地Jl伸，而至少一個傳感器測量磁場的特定方向與軸向垂直地 延伸。由此，確保凹橫結(jié)構(gòu)的軸向移位極大地影響傳感器測量的磁場，這 樣增強(qiáng)了位置齲重的準(zhǔn)確度和可靠性。優(yōu)選地，所述凹橫結(jié)構(gòu)包括凹部和凸部，其中，優(yōu)選地，在軸向上相 鄰的凹橫結(jié)構(gòu)的凹部或凸部彼jW^巨離相同，進(jìn)一步優(yōu)選地，凹槽結(jié)構(gòu)沿軸向具有周期性、具體4JM^為正弦曲線的形狀.通過這種周期性變化的結(jié) 構(gòu)，當(dāng)活1^速動時，由至少一個傳感器測量的磁場隨著活:i^f的運動周期性變化，因此便于位置的確定。所測量的雄場以這樣的一個周期的變化與活塞桿位置沿軸向通過兩相 鄰凹部或凸部間的距離的移位相對應(yīng)。通過在所測量的磁場中對周期進(jìn)行 計數(shù)，可以容易地計算活塞位置的相對運動。為了同時提供對絕對位罝的確定，優(yōu)選地，可以省略個別凹部或凸部 以形成參考標(biāo)記。優(yōu)選地，參考標(biāo)記設(shè)置為使位于兩個相鄰參考標(biāo)記之間 的凸部或凹部的數(shù)目在整個所述凹槽結(jié)構(gòu)上各不相同，從而每個位于兩參
考標(biāo)記之間的間隔均由凸部或凹部的數(shù)目明確Ak4^.最i^E傳感器檢測 到第二參考標(biāo)記后，由此還可以確切地指示活;g^f的絕對位置。本發(fā)明的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)、具體是具有本發(fā)明用于確定活 塞桿的絕對位置的參考標(biāo)記的位置測量系統(tǒng)具有如下的優(yōu)點，由于使用了 兩個傳感器，可以明確地識別參考標(biāo)記，并由此得到僅具有幾個傳感器的 結(jié)構(gòu)簡單、成本^*的構(gòu)造.另外，所述系統(tǒng)可以采用小而節(jié)省空間的形 式實現(xiàn)，并且不需要相對活塞桿以固定的徑向位置安裝，這樣又能夠使所 述構(gòu)造的結(jié)構(gòu)簡羊，成本低廉。優(yōu)選地，麥考標(biāo)記設(shè)里為使兩個參考標(biāo)記之間的距離在活塞桿上需要 對位置進(jìn)行快速指示的區(qū)域中最小。通常，所述區(qū)M活塞桿的開始處和 末端部，參考標(biāo)記間的距離較大的情況可以設(shè)置在活塞桿的中部一一在該 區(qū)域很少需要對位置進(jìn)行快速指示。優(yōu)選地，所迷高磁化率的金屬桿芯為鐵磁性的，填充在所述凹櫓結(jié)構(gòu) 中的低1^化率的金屬為非鐵磁性的。優(yōu)選地，所述金屬桿芯由鋼制成。優(yōu)選地，填充所述凹橫結(jié)構(gòu)的金屬基本由鉻組成。當(dāng)然其它金屬或合 金也可以在此使用，僅僅取決于磁t化率的差異.具體地，也可以使用非鐵 磁性的鎳。設(shè)里有凹槽結(jié)構(gòu)的金屬桿芯的磁化率和填充在凹槽結(jié)構(gòu)金屬的 磁化羋的差異使由磁體產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度取決于凹槽結(jié)構(gòu)的位置一一尤其 是軸向上的位置而極大地變動。目前，磁場的變動可以通過傳感器測量， 優(yōu)選地，所述傳感器位于磁t體和活:i^t之間，即直接鄰近活塞桿。因此， 使用鐵磁性材料作為桿芯是有利地，其大大增強(qiáng)了從外部作用的磁場，而 非鐵磁性材料不具有這種性質(zhì)，與鐵磁性材料相比，非鐵磁性材料僅能在 非常有限的范圃內(nèi)改變磁場，根據(jù)所使用的材料可以進(jìn)行正向及負(fù)向改 變。在眾多M中，鋼是鐵磁性的，所以通常在液壓釭使用的由鋼制成的 活塞扦可以用于本發(fā)明的系統(tǒng)，而無需進(jìn)行顯著的改變。另一方面，鉻是 非鐵磁性的，由于鉻還可以滿足活塞桿表面在硬度、粗糙度、抗腐蝕性和 使用壽命等方面的其余需要，因此其極適于用作填充凹槽結(jié)構(gòu)的金屬。另外，優(yōu)逸地，凹槽維構(gòu)可以填充非鐵磁性的鎳合金，優(yōu)選地，這種 非鐵磁性的鎳^r包^過10.5%的褲。這樣在抗腐蝕性方面更有利。
而且，這種填充凹柵結(jié)構(gòu)的非鐵磁性的鎳M可被磨光并再次以鉻包覆。此外，優(yōu)選地，可在高鐵磁性的金屬桿芯和填充凹槽結(jié)構(gòu)的低鐵磁性 的金屬之間設(shè)置另一金屬層。所述金屬層的磁性不是決定性的，所以可以 借助該附加的金屬層決定改進(jìn)諸如抗腐蝕性、使用壽命和與填充凹槽結(jié)構(gòu) 的金屬的粘附力等性質(zhì).具體地，為此目的可以使用薄的鐵磁性的鎳層，其優(yōu)選地電沉積或無電沉積在凹槽結(jié)構(gòu)上，優(yōu)選地其厚度小于50jrni。該 金屬層(具體是鎳層)主要用于改進(jìn)桿的抗腐蝕性。所述金屬層可以是磁 性的，但因為所述金屬層均勻地在整個凹槽結(jié)構(gòu)上生成，其不會改變由傳 感器測量的信號。優(yōu)選地，敏槽結(jié)構(gòu)交替地具有凹部和凸部，優(yōu)選地，凹部相對凸部的 深度約為200fun.優(yōu)選地，填充凹槽結(jié)構(gòu)的金屬完全填充所述凹槽結(jié)構(gòu)， 使得在所述凹部上方的金屬厚度大于200jtm。優(yōu)選地，在凸部上方，填充 凹槽結(jié)構(gòu)的金屬的厚度約為50jim。優(yōu)選地，在金屬桿芯和填充凹槽結(jié)構(gòu) 的金屬之間形成的附加金屬層的厚度可小于50jun。優(yōu)選地，該金屬層電 沉積或無電沉積在金屬桿芯上。優(yōu)選地，壤充凹櫓結(jié)構(gòu)的金屬(即，具體是鉻)同樣繞金屬桿芯電沉 積在金屬桿芯或金屬層(具體是鎳)上。因為使用厚^b^過50^im的鉻層 會產(chǎn)生問題，即，在這樣的厚度層中會產(chǎn)生抗張應(yīng)力而導(dǎo)致產(chǎn)生裂縫，因 此優(yōu)選地填充U槽結(jié)構(gòu)的金屬(即，具體是鉻)通過多層結(jié)構(gòu)式方法施加。 在這種多層結(jié)構(gòu)式方法中，所述金屬以每層小于50jun厚度以多層結(jié)構(gòu)方 式施加，在各層之間各形成過渡區(qū)，所述過渡區(qū)可以減小應(yīng)力。在這種一 層位于一層之上的多個薄層的結(jié)構(gòu)中，大大降低了形成裂縫的頻率，并且 裂縫可在過渡區(qū)停止。通過再磨鯛活塞桿，去除了填充凹槽結(jié)構(gòu)的過量的金屬，并使活塞桿 的表面光滑.優(yōu)選地，填充凹槽結(jié)構(gòu)的金屬(即，特別是鉻)的最小厚度 應(yīng)當(dāng)?shù)陀?0ji鵬。通過再磨削活塞桿而得到光滑的表面，具體來說，在硬度、**yL、抗腐蝕性和使用壽命等方面與普通的活*#相比沒有不利之 處。
當(dāng)凹槽結(jié)購填充有非鐵磁性的鎳合金時，優(yōu)選地同樣通過電沉積實現(xiàn)。 但是，非鐵磁牲的鎳層也可以通過無電沉積形成。在再磨削活l^f而得到 光滑平面之后，優(yōu)選地立刻將活塞桿以鉻層包復(fù)，優(yōu)選地，所述鉻層同樣 通過電沉積實現(xiàn)并再次^面性質(zhì)改進(jìn)。優(yōu)選地，用于測量磁場的傳感器包括磁阻傳感器，此外優(yōu)選地，所述 磁阻傳感器包括多個磁阻電阻器結(jié)構(gòu).所使用的是傳統(tǒng)的磁阻傳感器或GMR (大型的磁阻電阻)傳感器.這兩種類型的傳感器都特別適合于測量 磁場，但GMR傳感器的功效更好。優(yōu)選地，這些磁阻電阻器結(jié)構(gòu)設(shè)置在 兩個橋接電路中，即正弦電路和余弦電路中，優(yōu)選地，磁阻電阻器結(jié)構(gòu)的 距離適合凹槽鳙構(gòu)的周期長度。所述傳感器位于磁t體和活l^t之間，并且 因為所述部件在活塞桿以及凹槽圖案的軸向運動過程中最受影響，優(yōu)選 地，所述傳感暴在軸向上測量磁場。優(yōu)選地，由這種傳感器輸出的信號通過其正交信號推定，進(jìn)一步地， 所述正交信號可以通過正交計數(shù)器推定并且提供分辨率為四分之一凹槽 結(jié)構(gòu)周期長度的增量位置信號.所"交計數(shù)器對正弦信號和余弦信號的 傾##分進(jìn)行計數(shù)，優(yōu)選地，對兩種信號間的相位關(guān)系的分析提供了對所 述方向的描述.如果需類，較高的位置分辨率，優(yōu)選地，可以通過由正弦信 號和余弦信號形成的系數(shù)而將分辨率增大至可以獲得優(yōu)于1/360凹槽結(jié)構(gòu) 周期長度的分辦率。優(yōu)選地，本發(fā)明的位置測量系統(tǒng)包括彼此間在軸向上具有固定距離的 兩個傳感器.具體地，有利地是，在兩個傳感器之間的距離是多倍、在此 具體是兩倍凹橫結(jié)構(gòu)的周期長度.通過比較兩個傳感器的信號可以識別省 略凹部或凸部形式的參考標(biāo)記，這還可以提供對絕對位置的測量。如杲僅使用一個具有正弦橋和余弦橋的傳感器芯片，則不能明確地檢 測經(jīng)過參考標(biāo)記的情況。傳感器僅抝除測到磁場在一定周期內(nèi)不再變化。 然而，這種情沈也可能是由于活塞桿不再移動而系統(tǒng)由此處于靜止?fàn)顟B(tài)所 致。優(yōu)選地，速種問趙可以通過使用笫二傳感器解決。如果傳感器經(jīng)過省 略的凹部或凸部，笫一正交計數(shù)器的讀數(shù)首先保持恒定，而對應(yīng)笫二傳感 器的笫二正交計數(shù)器繼續(xù)。如果現(xiàn)在第二傳感器經(jīng)過同樣的省略凹部或凸 部，對應(yīng)的笫二正交計數(shù)器的讀數(shù)停止。完全經(jīng)過參考標(biāo)記后，兩個正交計數(shù)器再次同步運行。通過這種信號可以明確地檢測到參考標(biāo)記。優(yōu)選地，如果位于相鄰參考標(biāo)記之間的凸部或凹部的數(shù)目對于每個位 于兩個參考標(biāo)記之間的間隔來說都是不同的，當(dāng)經(jīng)過第二參考標(biāo)記時，通 過對介入的凹部或凸部進(jìn)行計數(shù)以及通過從正弦信號和余弦信號之間的 相位關(guān)系確定逸動的方向可以明確地確定絕對位置。具體地，可以通過僅 使用兩個傳感審實現(xiàn)，這樣節(jié)約了成本并節(jié)省了空間.此外，優(yōu)逸地，,本發(fā)明的用于液壓缸的位置測童系統(tǒng)包括傳感器 固定器，所述傳感器固定器包括滑動構(gòu)件以及彈黃，傳感器和磁體設(shè)置在 該滑動構(gòu)件中.優(yōu)選地，由鋁制成的滑動構(gòu)件和傳感器一起確?？梢员M可能小且恒定的距離沿活塞桿的表面引導(dǎo)傳感器?；瑒訕?gòu)件可移動地安** 殼體內(nèi)，并通過彈黃向活塞桿的表面迫壓。優(yōu)選地，面對活塞桿的滑動構(gòu) 件的前側(cè)是彎曲的，優(yōu)選地，滑動構(gòu)件的內(nèi)半徑小于活塞桿的半徑，從而滑動構(gòu)件僅在其外緣上擱置在活:g^f上，并由此沿活S^t滑動。優(yōu)選地，傳感器的平面與活:iif的表面之間的距離小于lmm。在這種距離時，由傳感器測量的磁場仍然會受到凹槽結(jié)構(gòu)極大地影響，這樣可以對凹槽結(jié)構(gòu)進(jìn)行安全Jblt確的識別。在此，總體上應(yīng)當(dāng)注意的是，為了增大信號強(qiáng)度， 傳感器與凹槽錄構(gòu)的距離不應(yīng)該比凹槽結(jié)構(gòu)的深度大4艮多，即至少在同樣 的數(shù)量級內(nèi).為了減小摩擦并增強(qiáng)抗磨損的保護(hù)，優(yōu)選地，由鋁制成的滑動構(gòu)件設(shè) 置有涂層。而且，優(yōu)選地，該涂層為含有PTFE包含物的電沉積中間層。此外，本發(fā)明包括一種用于生產(chǎn)本發(fā)明的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng) 的活塞桿的方法，其中，將本發(fā)明的凹槽圖案磨制到金屬桿芯中，在凹槽 結(jié)構(gòu)上電沉積或無電沉積一層或多層>#化率低于桿芯的磁化率的金屬，具 體是使用鉻或非鐵磁性的鎳^r，并且其中，磨削填充凹槽結(jié)構(gòu)的金屬而 獲得光滑的表面.優(yōu)選地，在施加填充凹槽結(jié)構(gòu)的金屬之前，根據(jù)此方法電沉積或無電 沉積另一個金屬層，具體是鎳層。優(yōu)選地，在磨削填充凹橫結(jié)構(gòu)的金屬之后，具體是當(dāng)使用非鐵磁性鎳 ^r填充凹橫錄構(gòu)時，本發(fā)明的方法還包括以下步驟電沉積或無電沉積沉積另一金屬層，具體^1^^層。在本發(fā)明的活*#上連續(xù)施加的困案稱為凹槽結(jié)構(gòu)。有利地，這種凹 槽圖案以旋轉(zhuǎn)對稱的方式圍繞活塞桿的整個外周，所以當(dāng)組裝活塞軒和傳 感器時，無需注意活塞fr的方向?？梢栽谶M(jìn)行軸向運動的同時轉(zhuǎn)動活塞桿 而不會影響本發(fā)明的位置測量系統(tǒng)的測重結(jié)果。然而，顯然，這種凹槽圍 案在徑向上的延伸對于本發(fā)明的位置測量系統(tǒng)的功能不是決定性的.為了測量系統(tǒng)的運行，凹槽結(jié)構(gòu)必須只有沿徑向的一種延伸，所ii^伸與所使 用的傳感器的延伸對應(yīng)。如果這種延伸非常小，各凹部和凸部也可以在很 大程度上呈點狀。然而，對于本發(fā)明，軸向結(jié)構(gòu)尤其重要，這種設(shè)罝也稱 為凹槽結(jié)構(gòu)。顯然，因為該基本概念可以用于具有大致周期性標(biāo)記的每種標(biāo)尺(rule )，上迷用于確定活塞絕對位置的參考標(biāo)記也可以完全獨立于標(biāo)尺及 測量設(shè)備的具體設(shè)計而使用.在這種一般的絕對位置測量系統(tǒng)中，通it^ 略或改變的標(biāo)記在所述標(biāo)尺上形成參考標(biāo)記。在標(biāo)尺的逸動過程中檢測標(biāo)記并由此測量標(biāo)尺相對運動的傳感器可以 直接地或通過與第二傳感器比較而識別改變的或省略的標(biāo)記以及由此識 別參考標(biāo)記，所迷笫二傳感器在標(biāo)尺的運動方向上與第 一傳感器有一定的 距離。為了明確緣識別出各個參考標(biāo)記，優(yōu)選地，參考標(biāo)記設(shè)置為使設(shè)置在 兩個相鄰參考標(biāo)記之間的標(biāo)記的數(shù)目在整個凹槽結(jié)構(gòu)各不相同，從而每個 位于兩個參考標(biāo)記之間的間隔均由標(biāo)記的數(shù)目明確一(￡。最遲在傳感器 檢測到第二參考標(biāo)記之后，傳感器可以準(zhǔn)確地指示標(biāo)尺的絕對位置。正如在所邋特定系統(tǒng)中具體針對標(biāo)記的數(shù)目和距離、參考標(biāo)記和傳感 器所述的性質(zhì)可以轉(zhuǎn)用至一般系統(tǒng)中，對于用于確定標(biāo)尺的絕對位置的一 般參考標(biāo)記同樣可獲得所迷特定系統(tǒng)的上迷優(yōu)點。顯然，傳感器固定器的構(gòu)造可以獨立于在活S^f上標(biāo)記的具體設(shè)計而 使用，具體來說，傳感器固定器的滑動構(gòu)件具有半徑小于活塞桿半徑的內(nèi)彎曲部以;ML面涂層.
對于傳感器的構(gòu)造同樣如此，所述傳感器同樣獨立于活塞桿上的標(biāo)記 的具體設(shè)計。


在下文中，本發(fā)明將參照在附圖中困示的實施例進(jìn)行詳細(xì)地描述，在附圖中困1示出了本發(fā)明的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)的實施例的示意性截 面圖，閨2示出了##本發(fā)明的活塞片的笫一實施例的示意性截面圖，圍3a示出了根據(jù)本發(fā)明的活塞ff的第二實施例的示意性截面圖，困3b示出了根據(jù)本發(fā)明的活塞片的笫三實施例的示意性截面圖，困4示出了##本發(fā)明的活*#的笫四實施例的示意性截面圖，其中 在活^f上設(shè)里有參考標(biāo)記，困5a示出了根據(jù)凹槽結(jié)構(gòu)變化的磁場Hy的示意性截面圖，圖5b示出了磁場Hyflm位于凹槽結(jié)構(gòu)上方的軸向位罝沿軸向的變化，困6a示豳了在本發(fā)明的傳感器的一個實施例中正弦電路和余弦電路 的輸出信號，困6b示出了這些正弦信號和余弦信號通過其正交信號求得的結(jié)果， 圖7示出了本發(fā)明的傳感器固定器的一個實施例的立體圖，以及 圖8示出了本發(fā)明的傳感器固定器的剖切實施例的立體圖。
具體實施方式
用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)的實施例如困1所示，所述位置測量系統(tǒng) 包括活l^f10，活*#10具有高磁化率的金屬桿芯13、大致沿軸向的凹 槽結(jié)構(gòu)11、以及磁化率低于金屬桿芯13的磁化率的金屬12，金屬12填充 凹槽圍案11并且具有光滑的表面17。進(jìn)一步地，本發(fā)明實施例的位置測 量系統(tǒng)包括^Ut體20，其中北極21和南極22設(shè)置為使^Jt體20的南北 軸線基本沿徑向延伸并由此垂直于活塞桿10的軸線。在^體20和活塞 桿10之間設(shè)置有磁〖傳感器30和40，它們在此構(gòu)成磁P且傳感器芯片，所述 磁阻傳感器芯片由磁阻電阻器結(jié)構(gòu)31、 41構(gòu)成。磁阻電阻器結(jié)構(gòu)31、 41 沿與活塞桿10的軸線平行且靠近活塞fr 10的表面17的一條直線設(shè)置。兩 個傳感器30和40具有固定的軸向距離，在示例性實施例中所i^巨離對應(yīng) 于凹槽結(jié)構(gòu)11的周期長度的三倍。磁體20和傳感器30、 40安裝在滑動構(gòu) 件50中，滑動構(gòu)件50經(jīng)由涂層51置于活塞桿10的表面17上。圖2示出了本發(fā)明活塞桿10的第一實施例。凹槽結(jié)構(gòu)11在活塞10的 長度上大致正弦地沿軸向延伸。在第一實施例中，凹槽結(jié)構(gòu)11的波長為 2mm、深度約為200fim.凹槽結(jié)構(gòu)11繞活S^f 10的整個外周基本徑向?qū)?稱M削到活塞懺10的鐵磁性桿芯13中。凹槽結(jié)構(gòu)11的深度對應(yīng)于凹部 16和凸部15之間的桿芯13的厚度差。正如通常在液壓缸中那樣，活:g^f 10的桿芯13由鋼制成，并且，由于凹槽結(jié)構(gòu)的深度小，其切口效應(yīng)小到 可以忽略，所以所述釭的構(gòu)造不必針對所述位置測量系統(tǒng)而特38M4改變。 在第一實施例中，由鐵磁性的鎳制成的薄的中間金屬層14施加于凹槽結(jié)構(gòu) 11上.這種鐵磁性的鎳薄層14電沉積或無電沉積在桿芯13上且厚度小于 50pm.該中間層適于改ii桿的防腐蝕性。其可以是磁性的，但因為其均勻 地在整個結(jié)構(gòu)上生成，因此不會改變由傳感器測量的信號形式。因此，凹 槽結(jié)構(gòu)11以非鐵磁性的金屬填充，在此情況中以鉻填充。電沉積填充凹槽 結(jié)構(gòu)11的鉻層12，且由于鉻層的厚度超過了 200ftm，因此使用多層結(jié)構(gòu) 的鉻層。由于在厚層中會產(chǎn)生張應(yīng)力而導(dǎo)致產(chǎn)生裂縫，使用超過50jim的 厚鉻層會產(chǎn)生問趙。這些裂縫會向下延伸至基底材料，從而形成腐蝕活塞 桿的腐蝕點。在多層結(jié)構(gòu)式方法中，以厚度小于50jim的層施加鉻。在層 與層之間分別形成減小張力的過渡區(qū)。由此大大地降低了形成裂縫的頻 率，并且裂縫可在過渡區(qū)停止。由于采用電沉積，多層結(jié)構(gòu)的鉻層均勻地 在鎳層14上生成，從而活塞fr 10的表面在施加了多層結(jié)構(gòu)的鉻層后仍然 具有凹槽圖案11。所述凹槽圖案通過再磨削活塞桿10而去除，并且在磨 削后，鉻層12在突部16上的最小厚度仍然為50jim,通過對活l^f進(jìn)行 再磨削可以獲得光滑的表面17，表面17的表面性質(zhì)(硬度、磨損度、抗 腐蝕性、使用壽命)對應(yīng)于不具有位置測量功能的普通系統(tǒng)的表面性質(zhì)。 具體地，所i^4L面17的WSUL非常低，從而液壓缸的其余部件，特別是密 封系統(tǒng)，不會由于磨損而損壞，而且所述系統(tǒng)還適合用于多活塞沖程情況 的場合。由于使用鐵磁性的鋼作為桿芯13、非鐵磁性的鉻作為填充凹槽結(jié) 構(gòu)11的金屬12，在凹槽結(jié)構(gòu)11上得到較大的磁性差異，這將極大地改變 由磁體20產(chǎn)生的磁場。困3a示出了本發(fā)明活:i^t的第二實施例，其與活塞懺的第一實施例基 本對應(yīng)，^^此#^層14省略。在笫一實施例中，鎳層14用于作為在極 端條件下使用的附加抗應(yīng)蝕保護(hù)，進(jìn)而也可以省略，如第二實施例所示， 由此，其構(gòu)造變得更簡單并且可以節(jié)省成本。困3b示出了本發(fā)明活塞桿的笫三實施例，其中，凹橫結(jié)構(gòu)ll填充有 電沉積的非^UIt性鎳層12。應(yīng)當(dāng)注意的是，電沉積的4^一般具有鐵磁性， 因此不適于填充凹槽結(jié)構(gòu).然而，由于^|:超過10.5%的磷混合在所述層 中，因此也可以電沉積非鐵磁性的鎳。這種非鐵磁性的鎳層更易于通過無 電沉積，但是逸種凹槽結(jié)構(gòu)11的無電填充^^吏所述結(jié)構(gòu)的深度過大，由于 均勻地生成了銀層12，生成后的鎳層12的表面仍然具有凹槽結(jié)構(gòu)11。所 述凹槽結(jié)構(gòu)通過對活:g^f進(jìn)行再磨削而去除，從而得到光滑的表面18。最 終，活塞桿10按照慣例以鉻層19包襲。這種構(gòu)造ii^硬度、磨損度、抗 腐蝕性、使用壽命和表面的光滑度等方面提供優(yōu)良的性質(zhì)，而且，易于施 加各個層并且成本低乘。另外，通過使用鐵磁性的桿芯13以及用非鐵磁性 的金屬12填充凹槽結(jié)構(gòu)11，在凹槽結(jié)構(gòu)11上得到較大的磁性差異，由此 磁體20產(chǎn)生的磁場發(fā)生極大的偏轉(zhuǎn)，當(dāng)活:t^lD沿軸向移動通i^磁場時，傳感器30、 40測量磁場的偏轉(zhuǎn)。 磁場M凹槽錄構(gòu)11周期性改變，從而通過對周期進(jìn)行計數(shù)可以測量相對 位置。然而，對于絕對位置的測量還需要額外的信息，在如圖4所示的第 四實施例中，其以參考標(biāo)記1的形式設(shè)置在本發(fā)明活塞桿10上。這些參考標(biāo)記1通過省略凹部16和凸部15而設(shè)定在不同周期的凹槽結(jié)構(gòu)11中。在 本發(fā)明活塞桿M)的笫四實施例中，參考標(biāo)記1設(shè)置為位于兩相鄰參考標(biāo)記1之間的凸部1S或凹部16的數(shù)目在整個凹槽結(jié)構(gòu)11上各不相同，從而每
個兩參考標(biāo)記之間的間隔均由兩參考標(biāo)記之間的凸部或凹部的數(shù)目明確 地M。經(jīng)過兩個連續(xù)的參考標(biāo)記l就可以知道絕對位置.通過將參考標(biāo) 記l設(shè)置在此活塞桿實施例上，可以指定到達(dá)參考點(即到達(dá)所指示的絕 對位置)的最大行程。如果例如在缸的終端位置需要特別快速的標(biāo)記，則參考標(biāo)記設(shè)置為兩參考標(biāo)記之間的距離在終端位置為最小，如圖4所示。在本發(fā)明活塞軒10的第四實施例中，省略的凹部設(shè)置為從左側(cè)開始使 五個凹部位于最初的兩個省略的凹部之間。笫二和第三省略凹部之間有七 個凹部，第三和笫四省略凹部之間有九個凹部，以此類推.從右側(cè)開始， 笫一和第二省略凹部之間的距離是六個凹部。第二和笫三省略凹部之間的距離是八個凹部，接下來是十個、十二個，以此類推。在桿的中部實現(xiàn)距 離從偶數(shù)向奇數(shù)的轉(zhuǎn)變。在該實施例中，凹部的總數(shù)大約為1400。通過省略W部或凸部形式的參考標(biāo)記1以及兩參考標(biāo)記1之間可明確 識別出的距離，可以用快速且容易的方式對絕對位置進(jìn)行可靠且準(zhǔn)確地測 量，而無需使用復(fù)雜的圍案。困5a示出了位于困像敞(image segment)上方的本困中未示出的磁 體20的磁場一根據(jù)凹槽結(jié)構(gòu)11進(jìn)行改變。從頂部向底部延伸的線構(gòu)成 磁場的磁力線，其中，線之間距離小^R^場強(qiáng)，而線之間距離較大代表 磁場較弱。與活塞桿10的表面17的距離大時，磁場未受到大程度地干擾， 進(jìn)而均勻地沿徑向延伸，即從該困中的頂部向底部延伸。用于填充凹槽結(jié) 構(gòu)11的非鐵磁性的金屬12的磁〖化率非常低，因此幾乎不能使磁場在其內(nèi) 部增強(qiáng).這樣，所述金屬實質(zhì)上不會影響磁力線的路線，這點在圖中還可 以通it^力線在表面17沒有中斷的事實看出。然而，對于桿芯13由鐵磁 性金屬制成的情況則完全不同.桿芯金屬的磁化率非常髙，進(jìn)而使磁場在 其內(nèi)部增強(qiáng)，這點還可以通it^力線在凹槽結(jié)構(gòu)ll處中斷的亊實看出。更 為靠M體20的凸部15中的磁場比更為遠(yuǎn)離磁體20的凹部16中的磁場 強(qiáng)。這通it^困5a中凸部15上的磁力線比凹部16上的磁力線的距離小很多而看出。在凹槽結(jié)構(gòu)ii上方的區(qū)域中，磁場不再徑向^yi伸，但沿軸向有一分量Hy， 一般分量Hy不等于O。在困5b中，在活塞桿10表面17略上方測量的磁場Hy的強(qiáng)度按照位 于凹橫結(jié)構(gòu)11上方的位置表示。由于在該實施例中凹槽結(jié)構(gòu)11基本呈正
弦曲線形狀，廳場沿軸向的分量Hy也呈這種形狀。凸部15或凹部16正上 方沿軸向的磁場Hy為O，但是，凹部16和凸部15之間的傾^分上方的磁場Hy或為正或為負(fù)，在該實施例中，傳感器設(shè)置在與活塞桿10的軸線平行且與活塞桿10的表面17的距離小于lmm的平面中。該實施例的永 >^體20和傳感器30、 40沿軸向牢固地安裝，因此在活塞桿10軸向運動過 程中傳感器測量的磁場Hy按正弦曲線調(diào)制。對磁場Hy—個周期的調(diào)制對 應(yīng)于活塞桿通過兩個凹部之間的距離的運動。在該實施例中使用的傳感器30、 40構(gòu)成磁1^>磁場傳感器。這些用于測 量已調(diào)制磁場的標(biāo)準(zhǔn)傳感器包括多個磁阻電阻器結(jié)構(gòu)31、 41，磁阻電阻器 結(jié)構(gòu)31、 41在兩個橋接電路中(正弦橋和余弦橋)連接.傳感器30、 40 的選擇使得在傳感器芯片上的電阻器的幾何距離適于要測量的磁場結(jié)構(gòu) 的周期長度，并由此適于凹槽結(jié)構(gòu)ll的周期長度。同樣還可以使用GMR 傳感器。困6a示出了正弦橋和余弦橋的信號，本發(fā)明具有凹槽結(jié)構(gòu)11的活塞 桿10沿軸向移動通過傳感器,其中所迷傳感器橫向于測量方向自磁體的中 部偏罝2.6mm，并且傳感器30、 40的磁阻電阻器結(jié)構(gòu)31、 41位于距離活 塞桿10的表面17距離為400jim處。圖6a清楚地示出了相對移位的測量 信號的正弦曲線。這兩個信號可以采用標(biāo)準(zhǔn)方法推定，然后提供所述位置。這種推定可 以通itjE交信號實現(xiàn)，如困6b所示。通過有滯后作用的比較電路，將信 號轉(zhuǎn)換為A-B正交信號。接下來，該信號由正交計數(shù)器進(jìn)行推定，并且提 供分辦率為四分之一凹槽結(jié)構(gòu)11周期長度的增量位置信號。正交計數(shù)器對 正弦信號和余豕信號的傾M分進(jìn)行計數(shù)，其中對兩種信號間的相位關(guān)系 的分析提供了對運動方向的描述.如果需要更高的位置分辨率，可以通過 由正弦信號和余弦信號形成的商而增大分辨率。這樣，可以獲得優(yōu)于1/360 凹槽結(jié)構(gòu)11周期長度的分辨率。因此，使用傳感器30、 40提供了對活塞 桿的相對運動的極為精確的確定.然而，對予絕對位置的測量需要來自參考標(biāo)記l的附加信息。當(dāng)僅使 用一個傳感器^)、 40時，不能明確^測通過參考標(biāo)記的情況。傳感器僅 能"發(fā)現(xiàn)" 一定周期內(nèi)磁場不再變化。然而，這種情況也可能是由于活塞 桿10沒有移動所致。這種問趙可以通過使用兩個傳感器30、 40解決。傳感器30、 40沿軸 向拔:此之間具有固定的距離。在本發(fā)明的實施例中，該固定距離為4mm， 這對應(yīng)于兩凹郜之間的距離.設(shè)置兩個傳感器使其間的距離對應(yīng)于凹槽結(jié) 構(gòu)11的周期長度的倍數(shù)，這樣可以具有如下優(yōu)點如果在兩個傳感器中任 何一個之下都沒有參考標(biāo)記，則兩個傳感器提供相同的信號。通過比較由 這兩個傳感器產(chǎn)生的信號，從而可以明確#測到參考標(biāo)記1。為此，兩 個傳感器之間的距離應(yīng)當(dāng)小于兩個參考標(biāo)記1之間的最小距離。當(dāng)參考標(biāo) 記移動通過傳慼器時，第一傳感器30的正交計數(shù)器的讀數(shù)首先保持恒定， 而第二傳感器40的正交計數(shù)器繼續(xù)。于是，參考標(biāo)記1也移動通過笫二傳 感器40，從而笫二傳感器40的正交計數(shù)器的讀數(shù)沒有改變，而第一傳感 器30的正交計數(shù)器的讀數(shù)繼續(xù)。參考標(biāo)記1通過兩個傳感器30、 40之后， 兩個正交計數(shù)器再次同步運行。由此，通過這樣的信號特性可以清楚地識 別參考標(biāo)記l。如果第二麥考標(biāo)記1也移動通過傳感器30、 40，通過對兩參考標(biāo)記之 間的凹部16和凸部15進(jìn)行計數(shù)以及通it^正弦信號和余弦信號間的相位 比較所確定運動的方向可以明確地確定當(dāng)前特定的參考標(biāo)記1。于是，可 以明確地知道活塞fr 10的絕對位置。特別4^在僅有兩個傳感器的情況時， 這樣節(jié)省了空間并節(jié)約了成本。圖7和困8示出了本發(fā)明傳感器固定器60的實施例的構(gòu)造。傳感器固 定器60設(shè)計為以相當(dāng)小且恒定的距離沿活塞fr 10的表面17引導(dǎo)兩個磁阻 傳感器30、 40.活塞桿表面17和傳感器30、 40之間的小距離非常重要， 這是因為只有距離凹槽結(jié)構(gòu)11的距離較小才會使位于傳感器后的磁體20 的磁場通過凹橫結(jié)構(gòu)ll顯著地改變。為了獲得良好的信號，應(yīng)當(dāng)盡可能靠 i^面17而由此盡可能靠近凹槽結(jié)構(gòu)11來測量磁場。上^巨離在活:fcff IO的軸向運動過程中也應(yīng)當(dāng)保持恒定，從而不^H^測量結(jié)果失真。因此，本發(fā)明的傳感器固定器60的實施例包括由鋁制成的滑動構(gòu)件 50，其支持傳感器30和40以及^4體20?；瑒訕?gòu)件50在彈黃61的作用 下迫壓于活*# IO上，傳感器30、 40中的磁阻電阻器31、 41的平面與活 塞桿10的表面17之間的距離小于lmm。
滑動構(gòu)件50的內(nèi)側(cè)是彎曲的，使得其內(nèi)半徑小于活:i^f的半徑，從而 滑動構(gòu)件僅在其外緣上沿活:&#滑動。為了減小摩擦并增強(qiáng)抗磨損的保護(hù)，在此實施例中，由鋁制成的滑動構(gòu)件50設(shè)置有涂層51。所述涂層為舍有PTFE包舍物的電沉積鎳層，整個傳感器固定器60在無壓區(qū)域中結(jié)合在缸蓋中。為了避免由于從外 界進(jìn)入的灰塵所產(chǎn)生的磨損，將刮片和密封件或引導(dǎo)條設(shè)置在系統(tǒng)和外部 區(qū)域之間。由于整個傳感器系統(tǒng)和電子系統(tǒng)位于無壓區(qū)域，因此不會受到壓力峰 值的損壞，這進(jìn)一步增加了所述構(gòu)造的穗定性和使用壽命.與測量系統(tǒng)必須結(jié)合在缸的高壓區(qū)域中的磁阻(magnetrorestrictive) 測量系統(tǒng)相比，這是十分有利的，
權(quán)利要求
1. 一種用子液壓釭的位置測量系統(tǒng)，其包括磁體(20);至少一個 傳感器(30、 ^));以及活塞桿(IO)，該活塞桿具有髙磁化率的金屬桿 芯(13)和大歉沿軸向的凹槽結(jié)構(gòu)(11);其特;We于所述凹橫錄構(gòu)(ii)填充有磁化率低于所述桿芯(13)的磁化羋的 金屬(12),從而所述至少一個傳感器(30、 40)測量推^據(jù)所述凹橫結(jié) 構(gòu)(11)的位置而變化的磁體(20)的磁場。
2. 如權(quán)利要求1所迷的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述至 少一個傳感器(30、 40)沿特定方向測量所逸磁場。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所^ 體(20)是^Mt體，其南北軸線根據(jù)所述傳感器(30、 40)的設(shè)置和方 向延伸。
4. 如權(quán)利要求1所迷的用于液壓缸的位置測重系統(tǒng)，其中，所述凹 槽結(jié)構(gòu)(11) ft括凹部(16)和凸部(15)。
5. 如權(quán)利要求4所述的用于M缸的位置測量系統(tǒng)，其中，在軸向 上相鄰的凹部(16)或凸部(15)之間的距離相同。
6. 如權(quán)利類求1或4所述的用于';^缸的位置測童系統(tǒng)，其中，所 述凹槽結(jié)構(gòu)沿輛向具有大致周期性、具體是大致正弦曲線的形狀。
7. 如權(quán)利類求4或5所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，省 略個別凹部(16)或凸部(15)以形成參考標(biāo)記(1)。
8. 如權(quán)利要求7所述的用于液壓釭的位置測量系統(tǒng)，其中，所述參 考標(biāo)記(1)設(shè)置為使得位于兩個相鄰參考標(biāo)記(1)之間的凸部(15) 或凹部(16)的數(shù)目在整個所述凹槽結(jié)構(gòu)(11)上各不相同，從而兩參 考標(biāo)記之間的備個間隔由凸部(15)或凹部(16)的數(shù)目明確g扭。
9. 如權(quán)利要求7所述的用于M缸的位置測量系統(tǒng)，其中，在所述 活塞桿(10)上需要對位置進(jìn)行快速指示的區(qū)域中的參考標(biāo)記(1)之 間的距離小于在其余區(qū)域中的參考標(biāo)記(1)之間的距離。
10. 如權(quán)賴要求l所迷的用于液壓缸的位里測量系統(tǒng)，其中，所述 金屬桿芯(13 )為鐵磁性的，填充在所述凹槽結(jié)構(gòu)(11)中的金屬(12) 為非^^磁性的.
11. 如權(quán)利要求l所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述金屬桿芯(13)由鋼制成。
12. 如權(quán)利要求l所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，填充 所述凹槽結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12 )包括鉻。
13. 如權(quán)利要求l所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，填充 所述凹橫結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12)包括非鐵磁性的鎳M.
14. 如權(quán)利要求13所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 非鐵磁性的鎳^^包M過10.5%的砩，
15. 如權(quán)利要求1或12所迷的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中， 在所述金屬桿悉(13)和所述填充凹槽結(jié)構(gòu)的金屬(12)之間設(shè)置中間 金屬層(14 )
16. 如權(quán)利要求15所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 中間金屬層(14)包括緣，
17. 如權(quán)利要求l所迷的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 填充凹槽結(jié)構(gòu)的金屬(12)具有光滑的表面(17、 18),
18. 如權(quán)利要求1或17所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中， 在所述填充凹構(gòu)結(jié)構(gòu)的金屬(12)上iit置外部金屬層(19)。
19. 如權(quán)利要求18所述的用于^Lfi缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 外部金屬層(19)包括鉻。
20. 如權(quán)利要求4所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 凹部(16)相對所述凸部(15)的深度約為200jim。
21. 如權(quán)利要求4所述的用于液壓釭的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 填充凹槽結(jié)構(gòu)(11 )的金屬(12 )在所述凹部(16 )上方的厚度大于200pm。
22. 如權(quán)壽換求4所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 填充凹槽結(jié)構(gòu)(11 )的金屬(12 )在所述凸部(15 )上方的厚度約為50jun。
23. 如權(quán)科要求15或16所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中， 所述中間金屬層(14)的厚度小于50nm。
24. 如權(quán)禾緣求18或19所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中， 所述外部金JWI (19)的厚度約為50jim.
25. 如權(quán)#*求15或16所迷的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中， 所述中間^r屬暴(14)電沉積或無電沉積在所述金屬桿芯(13)上.
26. 如權(quán)斕要求l所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，電沉 積或無電沉積所迷填充凹槽結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12)并將其磨削而獲得 光滑的表面(17、 18 )。
27. 如權(quán)利要求26所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 填充凹橫結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12)的施加包括多層結(jié)構(gòu)式方法，使得所 述填充凹槽結(jié)輪(11)的金屬(12)包括一層接一層施加的多個層，其 中每層厚度小于50^im。
28. 如權(quán)利要求18或19所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中， 所i^卜部^"屬屋(19)通過電沉積或無電沉積形成。
29. 如權(quán)利要求l所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 至少一個傳感驀(30、 40)為磁阻傳感器或GMR (大型磁阻電阻)傳 感器。
30. 如權(quán)利要求29所述的用于^ta缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 傳感器包括多個磁阻或GMR電阻器結(jié)構(gòu)(31、 41)。
31. 如權(quán)利要求30所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 磁阻或GMR電阻器結(jié)構(gòu)(31、 41)設(shè)置在兩個橋接電路中，即正弦和 余弦電路中.
32. 如權(quán)利要求30所述的用于^L&缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 磁阻或GMR電阻器結(jié)構(gòu)(31、 41)之間的距離適合所述凹槽結(jié)構(gòu)(11) 的周期長度.
33. 如權(quán)壽怯求31所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，由所 述傳感器(30、 40)輸出的信號通過其正交信號計算。
34. 如權(quán)利要求31所述的用于液壓缸的位置測重系統(tǒng)，其中，對所 述正弦電路和余弦電路的信號的相位關(guān)系的分析提供了對所述方向的描述。
35. 如權(quán)斥談求31所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 正弦電路和余錸電路的信號的商的形成增大了位置分析的準(zhǔn)確度。
36. 如權(quán)禾怯求l所述的用于液壓釭的位置測量系統(tǒng)，其包括兩個 在軸向上具有圃定距離的傳感器.
37. 如權(quán)考映求36所迷的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述距離包括多倍、具體是兩倍所述凹槽結(jié)構(gòu)(11)的周期長度。
38. 如權(quán)利要求37所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，通過 比較所述兩個傳感器(30、 40)的信號能夠檢測到所述參考標(biāo)記(1)。
39. 如權(quán)利要求l所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其進(jìn)一步包 括傳感器固定器(60)和彈* (61)，所述傳感器固定器(60)具有滑 動構(gòu)件(50)，所述傳感器(30、 40)位于該滑動構(gòu)件(50)中。
40. 如權(quán)利要求39所述的用于^La缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 滑動構(gòu)件(50)由鋁制成。
41. 如權(quán)利要求40所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 滑動構(gòu)件(50)具有用于減小摩擦并增強(qiáng)抗磨損保護(hù)的涂層(51)。
42. 如權(quán)剩要求41所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 涂層(51)由舍有PTFE包含物的電沉積鎳層構(gòu)成。
43. 如權(quán)利要求39所述的用于^ta缸的位置測量系統(tǒng)，其中，所述 滑動構(gòu)件(50)的內(nèi)半徑小于所述活!Pfr (10)的半徑。
44. 一種用于生產(chǎn)如權(quán)利要求1所述的用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)的活:i^t的方法，其包括將所述凹橫困案(11)磨制在所述ilr屬桿芯(13)上， 電沉積或無電沉積多層填充凹槽結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12)， 磨削填充W橫結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12)而獲得光滑的平面(17、 18 )。
45. 如權(quán)利要求44所述的用于生產(chǎn)活塞桿的方法，其中，在施加填 充凹槽結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12 )之前，電沉積或無電沉積金屬層(14),
46. 如權(quán)利要求44所述的用于生產(chǎn)活^f的方法，其中，在磨掉填 充凹槽結(jié)構(gòu)(11)的金屬(12)而獲得光滑的平面(17、 l8)后，電沉 積或無電沉積外部金屬層(19 )。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于液壓缸的位置測量系統(tǒng)，其包括至少一個傳感器、一個磁體以及活塞桿，活塞桿具有高磁化率的金屬桿芯和沿大致軸向的凹槽結(jié)構(gòu)，其中，凹槽結(jié)構(gòu)填充有磁化率低于桿芯磁化率的金屬，從而傳感器測量根據(jù)凹槽結(jié)構(gòu)變化的桿芯磁場，由此可以確定活塞桿的相對位置和絕對位置。
文檔編號F15B15/28GK101144495SQ20071000566
公開日2008年3月19日 申請日期2007年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月8日
發(fā)明者格哈德·科斯曼 申請人:法國利勃海爾公司