本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置用基板及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、作為用于功率晶體管模塊等的半導(dǎo)體裝置用基板，已知有在陶瓷基板的表面具備銅板的dboc基板（direct?bonding?of?copper?substrate：直接覆銅基板）（例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1～3）。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專(zhuān)利文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開(kāi)第2022/118802號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、然而，在上述的半導(dǎo)體裝置用基板中，由于因高電壓/高電流施加于半導(dǎo)體而產(chǎn)生的發(fā)熱，因此構(gòu)成構(gòu)件引起熱膨脹，陶瓷基板與電極有可能剝離。因此，為了提高裝置的可靠性，要求陶瓷基板與電極的接合界面有高接合強(qiáng)度。

3、本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而完成的，其目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置用基板及其制造方法，能夠提高銅板與陶瓷基板的接合強(qiáng)度。

4、用于解決課題的技術(shù)方案

5、技術(shù)方案1.

6、一種半導(dǎo)體裝置用基板，具備：陶瓷基板；以及銅板，其與所述陶瓷基板的至少一個(gè)面接合，

7、在所述陶瓷基板具有cu存在區(qū)域，所述cu存在區(qū)域從與所述銅板的接合界面起累計(jì)cu質(zhì)量濃度顯示為90%時(shí)的cu存在深度為11.0～20.0μm。

8、技術(shù)方案2.

9、根據(jù)技術(shù)方案1所述的半導(dǎo)體裝置用基板，其中，所述陶瓷基板含有：氧化鋁；以及氧化鋯或部分穩(wěn)定化氧化鋯，

10、在所述cu存在區(qū)域，所述氧化鋯的晶粒中的所述銅的含量比所述氧化鋁的晶粒中的所述銅的含量多。

11、技術(shù)方案3.

12、根據(jù)技術(shù)方案1或2所述的半導(dǎo)體裝置用基板，其中，用于從所述陶瓷基板剝離所述銅板的每單位寬度的載荷為5.5kg/cm以上。

13、技術(shù)方案4.

14、一種半導(dǎo)體裝置用基板的制造方法，包括通過(guò)濕式氧化法使銅板氧化的工序、以及通過(guò)直接接合法將陶瓷基板的至少一個(gè)面與所述銅板接合的工序，

15、被氧化的所述銅板在與所述陶瓷基板接合之前的狀態(tài)下含有cuo和cu2o，且在表面形成有富所述cuo的氧化銅層。

16、技術(shù)方案5.

17、根據(jù)技術(shù)方案3或4所述的半導(dǎo)體裝置用基板的制造方法，其中，在所述陶瓷基板的各面，從與所述銅板的接合界面起累計(jì)cu質(zhì)量濃度顯示為90%時(shí)的cu存在深度為11.0～20.0μm。

18、發(fā)明效果

19、根據(jù)本發(fā)明，能夠提高陶瓷基板與銅板的接合強(qiáng)度。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置用基板，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置用基板，其中，所述陶瓷基板含有：氧化鋁；以及氧化鋯或部分穩(wěn)定化氧化鋯，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置用基板，其中，用于從所述陶瓷基板剝離所述銅板的每單位寬度的載荷為5.5kg/cm以上。

4.一種半導(dǎo)體裝置用基板的制造方法，包括通過(guò)濕式氧化法使銅板氧化的工序、以及通過(guò)直接接合法將陶瓷基板的至少一個(gè)面與所述銅板接合的工序，

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置用基板的制造方法，其中，在所述陶瓷基板的各面，從與所述銅板的接合界面起累計(jì)cu質(zhì)量濃度顯示為90%時(shí)的cu存在深度為11.0～20.0μm。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置用基板具備：陶瓷基板；以及銅板，其與所述陶瓷基板的至少一個(gè)面接合，在所述陶瓷基板中具有Cu存在區(qū)域，所述Cu存在區(qū)域從與所述銅板的接合界面起累計(jì)Cu質(zhì)量濃度顯示為90%時(shí)的Cu存在深度為11.0～20.0μm。

技術(shù)研發(fā)人員：田部正大,善久典輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：NGK電子器件株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15