本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù):
1、在搭載于逆變器等功率轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體裝置中,為了使大電流通電,采用并聯(lián)連接多個(gè)半導(dǎo)體元件并驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)。在具備多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置中,作為使半導(dǎo)體元件的有效面積最大化的方法,例如在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了與半導(dǎo)體元件分開(kāi)設(shè)置布線用元件的結(jié)構(gòu)。
2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)第2020/110170號(hào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
2、在專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)中,通過(guò)在底板的中央配置布線用元件,以包圍布線用元件的方式配置多個(gè)半導(dǎo)體元件,從而使半導(dǎo)體元件和布線用元件的引線長(zhǎng)度均勻。因此,由于對(duì)半導(dǎo)體元件和布線用元件的配置及外部電極的迂回產(chǎn)生制約,所以存在布局自由度低的問(wèn)題。
3、另外,在半導(dǎo)體裝置中,為了監(jiān)視過(guò)熱及過(guò)電流狀態(tài),需要對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體元件設(shè)置對(duì)半導(dǎo)體元件的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度檢測(cè)元件,因此難以使全部半導(dǎo)體元件的有效面積最大化。在對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體元件中的任意個(gè)設(shè)置有溫度檢測(cè)元件的情況下,由于只能檢測(cè)到設(shè)置了溫度檢測(cè)元件的半導(dǎo)體元件的溫度,所以無(wú)法考慮半導(dǎo)體裝置內(nèi)的發(fā)熱分布來(lái)選擇進(jìn)行溫度檢測(cè)的半導(dǎo)體元件。
4、因此,本公開(kāi)的目的在于提供一種在具備多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置中,能夠提高布局自由度,且進(jìn)行考慮了半導(dǎo)體裝置內(nèi)的發(fā)熱分布的半導(dǎo)體元件的溫度檢測(cè),并且實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體元件的有效面積的最大化的技術(shù)。
5、解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
6、本公開(kāi)所涉及的半導(dǎo)體裝置包括:底板;多個(gè)半導(dǎo)體元件,該多個(gè)半導(dǎo)體元件搭載于所述底板上,分別具有引線焊盤;以及多個(gè)布線用元件,該多個(gè)布線用元件以分別與多個(gè)所述半導(dǎo)體元件相鄰的方式配置在所述底板上,并且分別具有引線焊盤,在各所述布線用元件內(nèi)配置有對(duì)多個(gè)所述半導(dǎo)體元件中相鄰的所述半導(dǎo)體元件的溫度進(jìn)行檢測(cè)的溫度傳感器,各所述布線用元件的所述引線焊盤配置成與相鄰的所述半導(dǎo)體元件的所述引線焊盤相對(duì),各所述布線用元件的所述溫度傳感器配置在相鄰的所述半導(dǎo)體元件側(cè),各所述半導(dǎo)體元件的所述引線焊盤和與各所述半導(dǎo)體元件相鄰的各所述布線用元件的所述引線焊盤經(jīng)由引線連接。
7、發(fā)明效果
8、根據(jù)本公開(kāi),多個(gè)布線用元件配置成分別與多個(gè)半導(dǎo)體元件相鄰,各布線用元件的引線焊盤配置成與相鄰的半導(dǎo)體元件的引線焊盤相對(duì),因此,半導(dǎo)體元件與布線用元件間的引線不會(huì)干涉,能夠以一定的引線長(zhǎng)度以下進(jìn)行布線。由此,不需要以包圍布線用元件的方式配置半導(dǎo)體元件,與以往相比半導(dǎo)體裝置的布局自由度提高。
9、另外,由于在各布線用元件內(nèi)配置有與各半導(dǎo)體元件對(duì)應(yīng)的溫度傳感器,所以可以考慮半導(dǎo)體裝置內(nèi)的發(fā)熱分布,選擇進(jìn)行溫度檢測(cè)的半導(dǎo)體元件。
10、另外,由于各布線用元件的溫度傳感器配置在相鄰的半導(dǎo)體元件側(cè),因此與半導(dǎo)體元件的熱耦合性良好,半導(dǎo)體元件的溫度檢測(cè)精度良好。由此,能夠從半導(dǎo)體元件削減溫度傳感器,因此能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體元件的有效面積的最大化。
11、本公開(kāi)的目的、特征、方面以及優(yōu)點(diǎn)通過(guò)以下詳細(xì)的說(shuō)明和附圖會(huì)變得更為明了。
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,包括:
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
6.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,包括:
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
8.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,包括:
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
10.如權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,
11.如權(quán)利要求2、7和9的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置,其特征在于,