技術(shù)特征：

1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，其包含一真空反應(yīng)腔，所述真空反應(yīng)腔內(nèi)包含：

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述磁場(chǎng)元件包含：

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

4.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

5.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包含：

6.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，

7.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包含：

8.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于，還包含：

9.一種如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，所述方法包含：

10.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，所述磁場(chǎng)元件包含：

11.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

12.如權(quán)利要求11所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

13.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

14.如權(quán)利要求13所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

15.如權(quán)利要求11或12所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

16.如權(quán)利要求15所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

17.如權(quán)利要求13或14所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

18.如權(quán)利要求17所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

19.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

20.如權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置的刻蝕方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種等離子體處理裝置及其刻蝕方法，該等離子體處理裝置包含一真空反應(yīng)腔，所述真空反應(yīng)腔內(nèi)包含：下電極，其包含用于承載基片的承載面；上電極，其與下電極相對(duì)設(shè)置，所述上電極具有向腔內(nèi)引入工藝氣體的氣體噴淋頭，上電極與下電極之間形成反應(yīng)區(qū)域；磁場(chǎng)元件，其環(huán)繞反應(yīng)區(qū)域設(shè)置，所述磁場(chǎng)元件被配置為產(chǎn)生磁場(chǎng)以調(diào)節(jié)反應(yīng)區(qū)域中的帶電粒子，其中，所述磁場(chǎng)包含垂直于承載面的磁場(chǎng)和傾斜于氣體噴淋頭的下表面的發(fā)散性磁場(chǎng)。其優(yōu)點(diǎn)是：該裝置在特定時(shí)刻通過磁場(chǎng)元件調(diào)節(jié)反應(yīng)區(qū)域中的帶電粒子的分布和運(yùn)動(dòng)方向，可實(shí)現(xiàn)對(duì)工藝過程的精確控制，有助于獲得理想的刻蝕形貌，同時(shí)還可在不提高功率峰值的情況下提升刻蝕凹陷結(jié)構(gòu)的能力。

技術(shù)研發(fā)人員：黃振華,陳超,鄧璟雯,饒建成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19