本文提供的實施例通常涉及帶電粒子光學元件、帶電粒子光學部件、帶電粒子光學模塊、帶電粒子光學裝置、帶電粒子光學設備以及用于通過帶電粒子光學元件的基板提供電連接的方法。

背景技術：

1、當制造半導體集成電路(ic)芯片時，在制造工藝期間在基板(例如晶片)或掩模上可能出現(xiàn)不期望的圖案缺陷，從而降低了產率。缺陷可能由于例如光學效應和附帶的粒子或諸如如蝕刻、化學機械拋光的沉積等其它加工步驟而發(fā)生。因此，監(jiān)控不希望的圖案缺陷的程度是制造ic芯片的重要過程。更一般地，基板或其它物體/材料的表面的檢查和/或測量是其制造期間和/或之后的重要過程。

2、例如具有帶電粒子束的圖案檢查工具等圖案評估系統(tǒng)已經用于評估物體，例如用于檢測圖案缺陷。這些工具通常使用電子顯微鏡技術，例如掃描電子顯微鏡(sem)。在sem中，具有相對高能量的電子的初級電子束以最終減速步驟為目標，以便以相對低的著陸能量著陸在目標上。電子束作為探測斑聚焦在目標上。探測斑處的材料結構與來自電子束的著陸電子之間的相互作用使電子從表面發(fā)射，例如次級電子、背散射電子或俄歇電子，它們一起可以稱為信號電子或更一般地稱為信號粒子。所生成的次級電子可以從目標的材料結構發(fā)射。

3、通過在目標表面上掃描作為探測斑的初級電子束，可以在目標表面上發(fā)射次級電子。通過從目標表面收集這些發(fā)射的次級電子，圖案檢查工具(或設備)可以獲得表示目標表面的材料結構的特性的類似圖像(image-like)的信號。在這種檢查中，所收集的次級電子由設備內的檢測器檢測。檢測器響應于附帶粒子生成信號。當檢查樣本的區(qū)域時，信號包括被處理以生成對應于樣本的被檢查區(qū)域的檢查圖像的數據。圖像可以包括像素。每個像素可以對應于被檢查區(qū)域的一部分。典型地，電子束檢查設備具有單個束并且可以被稱為單束sem。已經嘗試在可以稱為多束sem(mbsem)的設備(或“多束工具”)中引入多電子束檢查。

4、電子光學裝置(或柱(column))的另一應用是光刻。帶電粒子束與基板表面上的抗蝕劑層反應。通過控制帶電粒子束被引導到的抗蝕劑層上的位置，可以在抗蝕劑中生成期望的圖案。

5、電子光學裝置可以是用于生成、照射、投影和/或檢測一個或多個帶電粒子束的設備。帶電粒子束的路徑由電磁場(即靜電場和任選的磁場)控制。

6、電信號(例如，功率和/或通信)可以被傳輸到電子光學裝置的電子部件和/或從電子光學裝置的電子部件傳輸，例如以對帶電粒子束進行操作和/或處理收集的電子信號。電子光學裝置內的空間限制可能使得難以提供電連接。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種合適的結構，以實現(xiàn)電子部件的改進的電連接。

2、根據本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于帶電粒子光學模塊的帶電粒子光學元件，帶電粒子光學模塊被配置為沿著至少一個束路徑引導帶電粒子，帶電粒子光學元件包括：基板，包括用于至少一個束路徑從其通過的至少一個孔；至少一個電子部件，以提供基板的部件表面；以及電連接件，被電連接到至少一個電子部件并且延伸穿過基板；其中基板包括較厚部分和比較厚部分薄的較薄部分，并且電連接件延伸穿過較薄部分。

3、根據本發(fā)明的第二方面，提供了一種方法，該方法用于提供穿過用于帶電粒子光學模塊的帶電粒子光學元件的基板的電連接，帶電粒子光學模塊被配置為沿著至少一個束路徑引導帶電粒子，至少一個束路徑延伸通過穿過基板的至少一個孔(aperture)，所述至少一個孔用于至少一個束路徑從其通過，該方法包括：使電連接件延伸穿過基板具有由至少一個電子部件提供的部件表面的部分，使得電連接件電連接到至少一個電子部件；其中，基板包括用于至少一個束路徑從其通過的至少一個孔，基板包括較厚部分和較薄部分，較薄部分在平行于至少一個束路徑的方向上比較厚部分薄，并且電連接件延伸穿過較薄部分。

4、根據本發(fā)明的第三方面，提供了一種方法，該方法用于提供穿過用于帶電粒子光學模塊的帶電粒子光學元件的基板的電連接，帶電粒子光學模塊被配置為沿著至少一個束路徑引導帶電粒子，至少一個束路徑在至少一個孔處延伸穿過基板，至少一個孔用于至少一個束路徑從其通過，方法包括：使電連接件延伸穿過基板具有由至少一個電子部件提供的部件表面的部分，使得電連接件電連接到至少一個電子部件；以及限定穿過基板的至少一個孔，以用于至少一個束路徑從其通過，其中基板包括較厚部分和較薄部分，較薄部分在平行于至少一個束路徑的方向上比較厚部分薄，并且電連接件延伸穿過較薄部分。

5、從以下結合附圖的描述中，本發(fā)明的優(yōu)點將變得顯而易見，其中通過說明和示例的方式闡述了本發(fā)明的某些實施例。

技術特征：

1.一種用于帶電粒子光學模塊的帶電粒子光學元件，所述帶電粒子光學模塊被配置為沿著至少一個束路徑引導帶電粒子，所述帶電粒子光學元件包括：

2.根據權利要求1所述的帶電粒子光學元件，其中所述較厚部分包括至少一個孔。

3.根據權利要求1或2所述的帶電粒子光學元件，其中所述電連接件基本上平行于所述至少一個束路徑延伸。

4.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子光學元件，其中所述部件表面是所述基板的所述較厚部分的在平行于所述至少一個束路徑的方向上的表面。

5.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子光學元件，其中所述至少一個電子部件鄰近所述至少一個孔定位，期望地，所述部件表面圍繞所述至少一個孔。

6.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子光學元件，包括由所述基板支撐并且連接到所述電連接件的導電層，期望地，所述導電層是所述基板上的與所述電連接件電連接的涂層。

7.根據權利要求6所述的帶電粒子光學元件，其中所述導電層被定位為使得所述導電層和所述至少一個電子部件在平行于所述至少一個束路徑的方向上被定位在所述基板的相對側上。

8.根據權利要求6或7所述的帶電粒子光學元件，其中所述導電層被配置為將所述電連接件電連接到遠離所述至少一個孔的另一部件。

9.根據權利要求6至8中任一項所述的帶電粒子光學元件，其中所述導電層在平行于所述至少一個束路徑的方向上至少部分地在所述較厚部分上并且至少部分地在所述較薄部分上。

10.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子光學元件，其中所述基板的所述較薄部分延伸到所述基板的外圍邊緣，期望地，所述較薄部分向所述至少一個孔和/或所述至少一個電子部件延伸。

11.根據權利要求10所述的帶電粒子光學元件，其中當所述導電層在所述基板的與所述至少一個電子部件不同的一側上時，所述較薄部分延伸以與部件表面重疊；和/或其中所述部件表面被配置為當所述導電層在所述基板的與所述至少一個電子部件不同的一側上時與所述導電層重疊。

12.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子光學元件，其中所述至少一個電子部件包括被配置為檢測信號帶電粒子的一個或多個檢測器元件，期望地，個體電子部件是檢測器元件。

13.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子光學元件，其中所述至少一個電子部件被集成到所述基板中，可替代地，所述至少一個電子部件被固定到所述基板，期望地，所述基板包括所述至少一個電子部件。

14.根據前述權利要求中任一項所述的帶電粒子光學元件，其中所述電連接件是過孔。

15.一種帶電粒子光學部件，包括：

技術總結
一種用于帶電粒子光學模塊的帶電粒子光學元件，所述帶電粒子光學模塊被配置為沿著至少一個束路徑引導帶電粒子，所述帶電粒子光學元件包括：基板，包括至少一個孔，所述至少一個孔用于所述至少一個束路徑從其通過；至少一個電子部件，以提供所述基板的部件表面；以及電連接件，被電連接到所述至少一個電子部件并且延伸穿過所述基板；其中，所述基板包括較厚部分和比所述較厚部分薄的較薄部分，并且所述電連接件延伸穿過所述較薄部分。

技術研發(fā)人員：J·J·科寧,L·德爾·廷
受保護的技術使用者：ASML荷蘭有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/15