本發(fā)明涉及一種接合晶圓的接合不良部的去除方法及接合晶圓的制造方法，尤其涉及一種具有發(fā)光元件構(gòu)造的接合晶圓的接合不良部的去除方法及接合晶圓的制造方法。

背景技術(shù)：

1、為了實現(xiàn)微型發(fā)光二極管顯示器(micro?led?display)，公開了一種利用激光剝離(llo，laser?lift-off)將led從起始基板上剝離進(jìn)而將其轉(zhuǎn)移至封裝用基板上，并轉(zhuǎn)移至驅(qū)動基板上的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1)，但均僅針對gan系led，涉及使用algainp系led的μ-led的技術(shù)仍較少。

2、對于通過llo工序在algainp系led中實現(xiàn)微型led元件而言，需要轉(zhuǎn)移至藍(lán)寶石基板上。關(guān)于將algainp系led轉(zhuǎn)移至藍(lán)寶石基板上的技術(shù)，例如公開了專利文獻(xiàn)2等現(xiàn)有技術(shù)。但是，對于針對部分發(fā)生了固化不良這一情況的對策，尚未公開相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)。

3、若固化時存在氧氣，則苯并環(huán)丁烯(bcb)無法在設(shè)計溫度及設(shè)計時間的條件下充分固化，會引發(fā)固化不良。因此，在進(jìn)行固化處理時通常會在真空氣氛或氮氣氣氛中實施處理。但是，將2片晶圓重疊進(jìn)行壓接并進(jìn)行加熱的處理，在特性上有時會在接合界面殘留氧氣。

4、例如，涂布bcb后的表面的凹凸大，并且在接合前無法充分去除氧氣的情況、或者無法充分排除氧氣的情況下，會殘留氧氣。所殘留的氧氣會引發(fā)bcb的交聯(lián)不良，進(jìn)而發(fā)生固化不良。

5、雖然能夠利用ftir等對bcb固化不良部檢查確認(rèn)固化率，但是固化不良部會在后續(xù)工序中不斷地剝落，剝離下的碎片會損傷良品部、或者污染裝置，因此，需要在投入后續(xù)工序之前將不良部去除。

6、然而，現(xiàn)有技術(shù)并未公開過固化不良部的檢測與去除。

7、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

8、專利文獻(xiàn)

9、專利文獻(xiàn)1：日本特表2020-521181號公報。

10、專利文獻(xiàn)2：日本特開2022-013203號公報。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、（一）要解決的技術(shù)問題

2、本發(fā)明鑒于上述技術(shù)問題而實施，目的在于提供一種接合晶圓的接合不良部的去除方法，其對于接合晶圓中的固化不良部，無需利用測定等手段即可將其去除，該接合晶圓經(jīng)由熱固化型接合構(gòu)件將具有algainp系的活性層的發(fā)光元件構(gòu)造與透明基板接合；本發(fā)明的目的還在于提供一種該接合晶圓的制造方法。

3、（二）技術(shù)方案

4、本發(fā)明為了達(dá)成上述目的而實施，提供一種接合晶圓的接合不良部的去除方法，該接合晶圓具有發(fā)光元件構(gòu)造，該發(fā)光元件構(gòu)造具有由(alyga1-y)xin1-xp(0.4≤x≤0.6，0≤y≤0.5)構(gòu)成的活性層，且該接合晶圓通過將熱固化型接合構(gòu)件固化從而將發(fā)光元件構(gòu)造接合在透射發(fā)光波長的光的透明基板上，該去除方法的特征在于，通過將所述接合晶圓導(dǎo)入至等離子體氣氛下，選擇性地破壞所述熱固化型接合構(gòu)件固化不充分的所述接合不良部，從而將所述接合不良部去除。

5、通過如上所述將接合晶圓導(dǎo)入至等離子體氣氛下，選擇性地破壞固化不足的接合不良部，能夠利用一次處理來去除接合不良部，無需接合不良部的檢測與去除所檢測到的部分的2階段以上的步驟。

6、此時，優(yōu)選將所述熱固化型接合構(gòu)件設(shè)為苯并環(huán)丁烯。

7、通過將苯并環(huán)丁烯用作熱固化型接合構(gòu)件，能夠更可靠地去除接合不良部。

8、此外，優(yōu)選將所述透明基板設(shè)為藍(lán)寶石或石英。

9、作為透明性基板，能夠適當(dāng)使用上述基板，特別是能夠選擇對llo用激光的穿透性高的基板。

10、此外，優(yōu)選將所述等離子體氣氛設(shè)為：在具有桶(barrel)型或平行板型電極結(jié)構(gòu)的等離子體發(fā)生裝置內(nèi)，使包含氧氣、氮氣、氬氣、氦氣、氫氣中的任意一種以上的氣體等離子體化而形成的等離子體氣氛。

11、通過采用這種等離子體氣氛，能夠更容易且更可靠地去除不良部。

12、此外，優(yōu)選將所述產(chǎn)生等離子體氣氛的裝置設(shè)為rie(reactive?ion?etching，反應(yīng)性離子蝕刻)裝置、icp(inductively?coupled?plasma，電感耦合等離子體)裝置、等離子體cvd裝置、灰化裝置或濺射裝置。

13、作為產(chǎn)生用于本發(fā)明的氣氛的裝置，能夠適當(dāng)使用上述的等離子體發(fā)生裝置。

14、此外，本發(fā)明提供一種接合晶圓的制造方法，其包含以下工序：準(zhǔn)備外延晶圓與透明基板的工序，該外延晶圓具有發(fā)光元件構(gòu)造，該發(fā)光元件構(gòu)造具有由(alyga1-y)xin1-xp(0.4≤x≤0.6，0≤y≤0.5)構(gòu)成的活性層，該透明基板透射所述發(fā)光元件構(gòu)造中的發(fā)光波長的光；通過使所述外延晶圓與所述透明基板經(jīng)由熱固化型接合構(gòu)件進(jìn)行貼合，并將該熱固化型接合構(gòu)件固化，從而進(jìn)行接合，制成接合晶圓的工序，所述制造方法的特征在于，進(jìn)一步具有：通過在將所述熱固化型接合構(gòu)件固化后，將所述接合晶圓導(dǎo)入至等離子體氣氛下，選擇性地破壞所述熱固化型接合構(gòu)件固化不充分的接合不良部，從而將所述接合不良部去除的工序。

15、該接合晶圓的制造方法，通過將熱固化型接合構(gòu)件的固化后的接合晶圓導(dǎo)入至等離子體氣氛下，選擇性地破壞固化不足的接合不良部，能夠?qū)⑺鼋雍喜涣疾咳コＲ虼?，其為一種能夠利用一次處理去除接合不良部的接合晶圓的制造方法，無需接合不良部的檢測與去除所檢測到的部位的2階段以上的步驟。

16、此時，優(yōu)選將所述熱固化型接合構(gòu)件設(shè)為苯并環(huán)丁烯。

17、通過將苯并環(huán)丁烯用作熱固化型接合構(gòu)件，能夠制造更可靠地去除了接合不良部的接合晶圓。

18、此外，優(yōu)選將所述透明基板設(shè)為藍(lán)寶石或石英。

19、作為透明性基板，能夠適當(dāng)使用上述基板，特別是能夠選擇對llo用激光的穿透性高的基板。

20、此外，優(yōu)選將所述等離子體氣氛設(shè)為：在具有桶型或平行板型電極結(jié)構(gòu)的等離子體發(fā)生裝置內(nèi)，使包含氧氣、氮氣、氬氣、氦氣、氫氣中的任意一種以上的氣體等離子體化而形成的等離子體氣氛。

21、通過使用這種等離子體氣氛，能夠制造更容易且更可靠地去除了不良部的接合晶圓。

22、此外，優(yōu)選將所述產(chǎn)生等離子體氣氛的裝置設(shè)為rie(reactive?ion?etching，反應(yīng)性離子蝕刻)裝置、icp(inductively?coupled?plasma，電感耦合等離子體)裝置、等離子體cvd裝置、灰化裝置或濺射裝置。

23、在本發(fā)明的接合晶圓的制造方法中，作為產(chǎn)生等離子體氣氛的裝置，能夠適當(dāng)使用如上所述的等離子體發(fā)生裝置。

24、（三）有益效果

25、本發(fā)明的接合晶圓的接合不良部的去除方法及接合晶圓的制造方法，通過將經(jīng)由熱固化型接合構(gòu)件將具有algainp系的活性層的發(fā)光元件構(gòu)造與透明基板接合而成的接合晶圓導(dǎo)入至等離子體氣氛下，選擇性地破壞固化不足的接合不良部，能夠利用一次處理將接合不良部去除，無需接合不良部的檢測與去除所檢測到的部位的2階段以上的步驟。即，對于接合晶圓中的固化不良部，無需采用測定等手法即可將其去除，因此生產(chǎn)性升高，同時由接合晶圓制造的微型led等產(chǎn)品的產(chǎn)率也升高。