本發(fā)明涉及含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法、固體電解電容器和固體電解質(zhì)電容器的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在鋁電解電容器、鉭電容器等固體電解質(zhì)電容器中，使用導(dǎo)電性高分子作為固體電解質(zhì)層的材料。將包含多孔體的電容器元件浸漬在導(dǎo)電性高分子的分散液或溶液（在以下的說明中，表示為導(dǎo)電性高分子組合物）中，使浸滲在多孔體的細(xì)孔內(nèi)的導(dǎo)電性高分子組合物干燥，由此這些固體電解質(zhì)層作為被覆細(xì)孔表面的層而形成（專利文獻(xiàn)1～3）。在這些技術(shù)中，為了在多孔體的細(xì)孔內(nèi)形成固體電解質(zhì)的層，將多孔體在導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬和干燥進(jìn)行至少2次以上。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2014-30046號(hào)公報(bào)

5、專利文獻(xiàn)2：日本特表2021-534576號(hào)公報(bào)

6、專利文獻(xiàn)3：日本特表2021-534579號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、近年來，在固體電解質(zhì)電容器中，要求有效地制造更高性能的電容器。因此，要求增大導(dǎo)電性高分子向多孔體的細(xì)孔內(nèi)的填充量，以增大導(dǎo)電性高分子對細(xì)孔表面的被覆面積。

2、然而，在專利文獻(xiàn)1～3的技術(shù)中，在進(jìn)行多孔體在導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬和干燥的過程中，有時(shí)多孔體的細(xì)孔的開口部被導(dǎo)電性高分子的被膜堵塞，有時(shí)導(dǎo)電性高分子向多孔體的細(xì)孔內(nèi)部的填充量未充分增大。因此，在專利文獻(xiàn)1～3的技術(shù)中，需要多次反復(fù)進(jìn)行多孔體在導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬和干燥，工序整體需要大量的時(shí)間，在效率方面存在問題。

3、另外，在專利文獻(xiàn)1～3的技術(shù)中，在反復(fù)進(jìn)行多孔體在導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬和干燥的過程中，有時(shí)在多孔體的細(xì)孔中形成的導(dǎo)電性高分子的被膜在導(dǎo)電性高分子組合物中再溶解，或者該被膜反復(fù)溶脹和收縮而從多孔體剝離。因此，即使反復(fù)進(jìn)行多孔體在導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬和干燥，有時(shí)多孔體的細(xì)孔中的導(dǎo)電性高分子的填充量也不會(huì)充分增大。

4、因此，在專利文獻(xiàn)1～3的技術(shù)中，無法提高固體電解質(zhì)電容器的制造效率，另外，介電損耗角正切容易增大。

5、本發(fā)明的目的在于提供一種有效地制造可得到介電損耗角正切小的固體電解質(zhì)電容器的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的方法。

6、根據(jù)本發(fā)明，提供以下的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法等。

7、1.?一種含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其包括以下工序。

8、浸漬工序（a）：將具有閥金屬的氧化物的多孔體的一部分或整體浸漬在包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬工序；

9、保持工序（b）：將上述多孔體從前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物中取出，在上述前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物中所含的溶劑的沸點(diǎn)以下的溫度下保持規(guī)定的保持時(shí)間的工序；

10、浸漬工序（c）：將經(jīng)過上述保持工序（b）后的上述多孔體的一部分或整體浸漬在與前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物相同或不同的包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬工序。

11、2.?根據(jù)1中記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其包括將上述多孔體的一部分浸漬在上述導(dǎo)電性高分子組合物中并保持浸漬狀態(tài)后，將上述多孔體的非浸漬部浸漬在上述導(dǎo)電性高分子組合物中的工序。

12、3.?根據(jù)1或2中記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，在上述工序（b）中，上述保持時(shí)間為1秒以上且小于10分鐘。

13、4.?根據(jù)1～3中任一項(xiàng)記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，將上述工序（b）和上述工序（c）重復(fù)多次。

14、5.?根據(jù)1～4中任一項(xiàng)記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，上述導(dǎo)電性高分子為選自聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯和聚吡咯衍生物中的1種以上。

15、6.?根據(jù)1～5中任一項(xiàng)記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，上述導(dǎo)電性高分子是利用質(zhì)子供體對聚苯胺進(jìn)行了摻雜的聚苯胺復(fù)合物。

16、7.?根據(jù)1～6中任一項(xiàng)記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，上述導(dǎo)電性高分子組合物還包含酚性化合物。

17、8.?根據(jù)1～7中任一項(xiàng)記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，上述導(dǎo)電性高分子組合物還包含耐熱穩(wěn)定劑。

18、9.?一種含導(dǎo)電性高分子的多孔體，其是通過1～8中任一項(xiàng)記載的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法而得到的。

19、10.?一種固體電解電容器的制造方法，其包括以下工序。

20、浸漬工序（a）：將陽極體的一部分或整體浸漬在包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬工序，所述陽極體是具有包含閥金屬的氧化物的表面且包含閥金屬的多孔體；

21、保持工序（b）：將上述陽極體從前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物中取出，在上述前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物中所含的溶劑的沸點(diǎn)以下的溫度下保持規(guī)定的保持時(shí)間的工序；

22、浸漬工序（c）：將經(jīng)過上述保持工序（b）后的上述陽極體的一部分或整體浸漬在與前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物相同或不同的包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬工序；

23、干燥工序（d）：從上述導(dǎo)電性高分子組合物中取出上述陽極體，在超過上述溶劑的沸點(diǎn)的溫度下進(jìn)行干燥，由此在上述陽極體上形成包含導(dǎo)電性高分子的固體電解質(zhì)層的干燥工序。

24、11.?根據(jù)10中記載的固體電解電容器的制造方法，其進(jìn)一步包括如下工序：將形成有上述固體電解質(zhì)層的上述陽極體浸漬在包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中之后，進(jìn)行干燥，由此形成外部涂覆層。

25、12.?一種固體電解電容器，其是通過10或11中記載的固體電解電容器的制造方法而得到的。

26、13.?一種帶固體電解質(zhì)層的多孔體，其具有閥金屬的氧化物，所述多孔體具有：

27、形成于上述多孔體的細(xì)孔內(nèi)部且包含聚苯胺的固體電解質(zhì)層；以及

28、涂覆于上述多孔體的外部且包含聚苯胺的固體電解質(zhì)層。

29、14.?一種固體電解電容器，其具有13中記載的帶固體電解質(zhì)層的多孔體，所述固體電解電容器的等效串聯(lián)電阻esr為17mω以下。

30、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供高效地制造含導(dǎo)電性高分子的多孔體的方法，所述含導(dǎo)電性高分子的多孔體可得到介電損耗角正切小的固體電解質(zhì)電容器。

技術(shù)特征：

1.一種含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其包括以下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其包括將所述多孔體的一部分浸漬在所述導(dǎo)電性高分子組合物中并保持浸漬狀態(tài)后，將所述多孔體的非浸漬部浸漬在所述導(dǎo)電性高分子組合物中的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，在所述工序b中，所述保持時(shí)間為1秒以上且小于10分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，將所述工序b和所述工序c重復(fù)多次。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子為選自聚苯胺、聚苯胺衍生物、聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚吡咯和聚吡咯衍生物中的1種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子是利用質(zhì)子供體對聚苯胺進(jìn)行了摻雜的聚苯胺復(fù)合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子組合物還包含酚性化合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子組合物還包含耐熱穩(wěn)定劑。

9.一種含導(dǎo)電性高分子的多孔體，其是通過權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法而得到的。

10.一種固體電解電容器的制造方法，其包括以下工序：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固體電解電容器的制造方法，其進(jìn)一步包括如下工序：將形成有所述固體電解質(zhì)層的所述陽極體浸漬在包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中之后，進(jìn)行干燥，由此形成外部涂覆層。

12.一種固體電解電容器，其是通過權(quán)利要求10或11所述的固體電解電容器的制造方法而得到的。

13.一種帶固體電解質(zhì)層的多孔體，其具有閥金屬的氧化物，所述多孔體具有：

14.一種固體電解電容器，其具有權(quán)利要求13所述的帶固體電解質(zhì)層的多孔體，所述固體電解電容器的等效串聯(lián)電阻esr為17mω以下。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及包括以下工序的含導(dǎo)電性高分子的多孔體的制造方法。浸漬工序（A）：將具有閥金屬的氧化物的多孔體的一部分或整體浸漬在包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬工序；保持工序（B）：將上述多孔體從前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物中取出，在上述前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物中所含的溶劑的沸點(diǎn)以下的溫度下保持規(guī)定的保持時(shí)間的工序；浸漬工序（C）：將經(jīng)過上述保持工序（B）后的上述多孔體的一部分或整體浸漬在與前一浸漬工序中使用的導(dǎo)電性高分子組合物相同或不同的包含導(dǎo)電性高分子和溶劑的導(dǎo)電性高分子組合物中的浸漬工序。

技術(shù)研發(fā)人員：小野寺真吾,板東徹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：出光興產(chǎn)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15