本申請涉及電子電器，尤其涉及一種三維電容結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、電容器在電子元件家族中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于各種電路和設(shè)備。以其存儲和釋放電荷的特性而聞名，電容器為電子系統(tǒng)提供了不可或缺的功能。為了增加電容器的容量，研究人員進(jìn)行了多種嘗試。一種常見的策略是使用高介電常數(shù)的材料作為電容器的介電層。但是，采用高介電常數(shù)材料雖然能夠提升電容器的容量，可高介電常數(shù)的材料在高壓下會產(chǎn)生明顯的形變，進(jìn)而影響電容器的穩(wěn)定性。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N三維電容結(jié)構(gòu)，以在保證電容器穩(wěn)定的前提下，有效提升電容器的容量。

2、具體地，本申請是通過如下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

3、本申請第一方面提供一種三維電容結(jié)構(gòu)，所述三維電容結(jié)構(gòu)包括基底和多個電容器結(jié)構(gòu)；其中，

4、按照遠(yuǎn)離所述基底的方向，所述多個電容器結(jié)構(gòu)依序形成于所述基底之上；

5、每個所述電容器結(jié)構(gòu)包括堆疊結(jié)構(gòu)、隔離層、第一電極和第二電極；其中，

6、所述堆疊結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的至少一個側(cè)面呈臺階狀結(jié)構(gòu)；所述堆疊結(jié)構(gòu)包括交替層疊的n+1層電極層和n層介電層，所述n為正整數(shù)；所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面為所述堆疊結(jié)構(gòu)指定邊上的兩個側(cè)面；所述指定邊為長邊或短邊；

7、所述隔離層形成于所述堆疊結(jié)構(gòu)之上，并與所述堆疊結(jié)構(gòu)形成平面；

8、所述隔離層內(nèi)部形成有第一電極導(dǎo)線組及第二電極導(dǎo)線組，所述第一電極導(dǎo)線組通過所述臺階狀結(jié)構(gòu)連通所述堆疊結(jié)構(gòu)的奇數(shù)級電極層，所述第二電極導(dǎo)線組通過所述臺階狀結(jié)構(gòu)連通所述堆疊結(jié)構(gòu)的偶數(shù)級電極層；

9、所述第一電極通過所述第一電極導(dǎo)線組與所述奇數(shù)級電極層連通；

10、所述第二電極通過所述第二電極導(dǎo)線組與所述偶數(shù)級電極層連通；

11、相鄰兩個所述電容器結(jié)構(gòu)的第一電極電連接，相鄰兩個所述電容器結(jié)構(gòu)的第二電極電連接。

12、本申請?zhí)峁┑娜S電容結(jié)構(gòu)，通過在基底上堆疊多個電容器結(jié)構(gòu)，進(jìn)而將相鄰兩個電容器結(jié)構(gòu)的第一電極電連接，相鄰兩個電容器結(jié)構(gòu)的第二電極電連接，這樣，將多個電容器結(jié)構(gòu)并聯(lián)，可以增加三維電容結(jié)構(gòu)的電容量。此外，通過形成堆疊結(jié)構(gòu)，可以增加介電層的面積，實現(xiàn)非常高的電容密度，提高該三維電容結(jié)構(gòu)的電容量，且并不需要采用高介電常數(shù)的材料來做介電層，可保證三維電容結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。

13、進(jìn)一步，可以根據(jù)電容參數(shù)的實際需要，選擇可以疊置的電容器結(jié)構(gòu)的具體數(shù)量，以按需獲得集合而成的電容器的實際容量。此時，可以不必對單個電容器結(jié)構(gòu)的電容值進(jìn)行過高的設(shè)置。進(jìn)一步，可以適當(dāng)降低單個電容器結(jié)構(gòu)的堆疊結(jié)構(gòu)的高度，增大單個電容器結(jié)構(gòu)的工藝余量，提高單個電容器結(jié)構(gòu)的可靠性。

14、進(jìn)一步，可以設(shè)置順序疊置而上的電容器結(jié)構(gòu)之間具有不同的尺寸，特別是針對第一電極和第二電極連線的方向上，存在尺寸的差異。

技術(shù)特征：

1.一種三維電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述三維電容結(jié)構(gòu)包括基底和多個電容器結(jié)構(gòu)；其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，與一層電極層連接的導(dǎo)線組為一條線狀的連接線構(gòu)成的導(dǎo)線組；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極層的厚度為5nm到1mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電層的厚度為1nm到10μm。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N三維電容結(jié)構(gòu)。本申請?zhí)峁┑娜S電容結(jié)構(gòu)，包括基底和多個電容器結(jié)構(gòu)；按照遠(yuǎn)離基底的方向，多個電容器結(jié)構(gòu)依序形成于基底之上；電容器結(jié)構(gòu)包括堆疊結(jié)構(gòu)、隔離層、第一電極和第二電極；堆疊結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面和第二側(cè)面中的至少一個側(cè)面呈臺階狀結(jié)構(gòu)；隔離層形成于堆疊結(jié)構(gòu)之上；隔離層內(nèi)部形成有第一電極導(dǎo)線組及第二電極導(dǎo)線組，第一電極導(dǎo)線組通過臺階狀結(jié)構(gòu)連通堆疊結(jié)構(gòu)的奇數(shù)級電極層，第二電極導(dǎo)線組通過臺階狀結(jié)構(gòu)連通堆疊結(jié)構(gòu)的偶數(shù)級電極層；第一電極通過第一電極導(dǎo)線組與奇數(shù)級電極層連通；第二電極通過第二電極導(dǎo)線組與偶數(shù)級電極層連通；相鄰兩個電容器結(jié)構(gòu)的第一電極電連接，相鄰兩個電容器結(jié)構(gòu)的第二電極電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：吳迪,陳勁中
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州凌存科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240401
技術(shù)公布日：2025/5/15