技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體外延片，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延片，其特征在于，所述半導(dǎo)體外延片還包括：氮化物種子層(30)，所述氮化物種子層(30)設(shè)置在所述第一氮化物層(20)上并用于為第二掩膜結(jié)構(gòu)層(40)提供成核中心。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延片，其特征在于，所述氮化物種子層(30)的位錯(cuò)密度大于所述第一氮化物層(20)，所述氮化物種子層(30)的位錯(cuò)密度為1×108～1×1012cm-2；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延片，其特征在于，所述第二氮化物層(50)與所述第一掩膜結(jié)構(gòu)層(10)的部分頂面之間形成有孔隙(60)；所述孔隙(60)的橫向尺寸為5～15nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體外延片，其特征在于，所述第一掩膜結(jié)構(gòu)層(10)為第一sin層，厚度為2～200nm；和/或，

6.一種半導(dǎo)體外延片的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體外延片的制備方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體外延片的制備方法，其特征在于，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體外延片的制備方法，其特征在于，在第二溫度、第二壓力、第二v/iii比的條件下，第二氮化物層(50)的0001面生長(zhǎng)速率高于第二氮化物層(50)的側(cè)面，且在所述第二掩膜結(jié)構(gòu)層(40)限制作用下，所述第二氮化物層(50)與所述第一掩膜結(jié)構(gòu)層(10)的部分頂面之間形成有孔隙(60)；其中，所述孔隙(60)的橫向尺寸為5～15nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體外延片的制備方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體外延片及其制備方法，半導(dǎo)體外延片包括：基底、第一掩膜結(jié)構(gòu)層、第一氮化物層、第二掩膜結(jié)構(gòu)層和第二氮化物層。第一掩膜結(jié)構(gòu)層設(shè)置在基底上并暴露出基底的部分表面；第一氮化物層設(shè)置在基底暴露的表面上，第一氮化物層的頂面高于第一掩膜結(jié)構(gòu)層的頂面；第二掩膜結(jié)構(gòu)層設(shè)置在第一氮化物層上；第二氮化物層覆蓋第二掩膜結(jié)構(gòu)層，第二掩膜結(jié)構(gòu)層為第二氮化物層掩蓋位錯(cuò)，且第二氮化物層覆蓋第一掩膜結(jié)構(gòu)層的至少部分頂面和第一氮化物層的外表面。通過(guò)設(shè)置第一掩膜結(jié)構(gòu)層和第二掩膜結(jié)構(gòu)層，提高了第二氮化物層的生長(zhǎng)質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：閆其昂,王國(guó)斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15