本技術實施例涉及半導體，尤其涉及一種芯片及其制備方法、電子設備。

背景技術：

1、相關技術芯片中的聲波諧振器有體聲波(bulkacoustic?wave，baw)器件和板波(plate?wave)器件，兩種器件在結構上均可分為背刻蝕型、空氣隙型、固態(tài)裝配型三類。這三類結構能將聲波盡可能地限制在壓電層中，提升器件的品質因子(quality?factor，q)。空氣隙型結構在機械強度上優(yōu)于背刻蝕型結構，在聲波限制能力上優(yōu)于固態(tài)裝配型結構，因此空氣隙型結構在業(yè)界得到廣泛使用?？諝庀缎吐暡ㄖC振器具有凹腔，壓電層的諧振區(qū)對應凹腔設置，諧振區(qū)上設置有電極層。

2、制作具有空氣隙型聲波諧振器的芯片時，可在襯底或介質層中預埋釋放阻擋層或釋放犧牲層，實現(xiàn)凹腔的橫向尺寸的限定。然而，相關技術中具有空氣隙型聲波諧振器的芯片的制備難度較大，成本較高。

技術實現(xiàn)思路

1、本技術實施例提供一種芯片及其制備方法、電子設備，解決了相關技術中具有空氣隙型聲波諧振器的芯片的制備難度較大，成本較高的問題。

2、本技術實施例采用如下技術方案：

3、第一方面，本技術實施例提供一種芯片，包括：基材層、壓電層、電極層和釋放阻擋層。壓電層和基材層層疊鍵合，壓電層具有諧振區(qū)。芯片具有沿著基材層厚度方向連通壓電層和基材層的預埋槽，預埋槽圍繞諧振區(qū)布置，預埋槽在壓電層上形成開口。電極層設于諧振區(qū)上?；膶泳哂泻椭C振區(qū)相對布置的凹腔，諧振區(qū)和凹腔的底面在基材層厚度方向間隔設置，預埋槽和凹腔相連通。釋放阻擋層的材料為聚合物，釋放阻擋層設于預埋槽內，用于限定凹腔的橫向尺寸。

4、本技術實施例提供的芯片中，由晶圓廠將基材層和壓電層層疊鍵合，集成電路加工廠拿到壓電層和基材層已鍵合的晶圓后，進行預埋槽加工，釋放阻擋層和電極層的制作，基材層的凹腔制作。無需如相關技術要將晶圓在集成電路加工廠和晶圓廠之間來回往返而降低晶圓損壞。若要更改電極層的尺寸或位置，直接在晶圓上更改釋放阻擋層的預埋槽位置即可，無需如相關技術要多花費6周以上時間在晶圓廠重新定制壓電層。釋放阻擋層的材料為聚合物，液態(tài)聚合物容易填充于芯片的預埋槽中，工藝簡單，填充效果好。聚合物固化后硬度小，在對填充側平坦化時基材層的應力應變小，對基材層損傷很小，無需如相關技術預先定制大厚度襯底并填充預埋槽后對襯底底側研磨減薄。在前后道加工過程中，聚合物能夠釋放凹腔上方電極層的機械應力，降低加工難度。通過釋放流體和基材層反應，在基材層中形成凹腔，使設于基材層上的壓電層的諧振區(qū)和凹腔的底面在基材層厚度方向間隔設置。釋放阻擋層和釋放流體幾乎不發(fā)生反應，通過釋放阻擋層限定凹腔的橫向尺寸，使得凹腔的橫向尺寸可做小，在晶圓上布置更多的聲波諧振器，提高器件機械強度和功率耐受性。芯片中的基材層、壓電層、電極層和釋放阻擋層相結合可作為空氣隙型聲波諧振器，該芯片的制備難度小，成本低，良率高。

5、在一種可選實現(xiàn)方式中，基材層、壓電層、電極層和釋放阻擋層相結合可作為空氣隙型聲波諧振器。芯片上可具有一個或多個聲波諧振器。

6、在一種可選實現(xiàn)方式中，芯片具有多個聲波諧振器，多個聲波諧振器可以通過串并聯(lián)的方式級聯(lián)在一起形成濾波器。

7、在一種可選實現(xiàn)方式中，多個聲波諧振器可以共用基材層和壓電層，各個聲波諧振器具有獨立的電極層和釋放阻擋層。相鄰兩個聲波諧振器的凹腔之間形成隔壁，即基材層的一部分。

8、在一種可選實現(xiàn)方式中，壓電層具有諧振區(qū)和非諧振區(qū)。諧振區(qū)上設置有電極層，在電極層上施加高頻電信號，可以在諧振區(qū)上激發(fā)出高頻聲波信號。非諧振區(qū)是壓電層上除了諧振區(qū)以外的區(qū)域。非諧振區(qū)和基材層上除了凹腔以外的區(qū)域對應設置。

9、在一種可選實現(xiàn)方式中，電極層采用預定形狀的結構，壓電層和電極層采用預定結合方式，可形成不同類型的聲波諧振器，比如薄膜體聲波諧振器、蘭姆波諧振器/橫向激發(fā)體聲波諧振器。

10、在一種可選實現(xiàn)方式中，鍵合的壓電層可以是單晶結構，具有更好的取向，性能更好。

11、在一種可選實現(xiàn)方式中，諧振區(qū)上設有多個釋放孔，多個釋放孔和凹腔相連通。在制作好釋放孔后，使釋放流體經過釋放孔和基材層反應，從而在基材層內形成凹陷。釋放孔可以沿著諧振區(qū)的邊緣設置。

12、在一種可選實現(xiàn)方式中，諧振區(qū)大致呈矩形，多個釋放孔大致呈矩形布置，向所有釋放孔通入能和基材層反應的釋放流體，可在基材層上形成俯視方向看大致呈圓角矩形的凹腔。

13、在一種可選實現(xiàn)方式中，壓電層上設有導電部，導電部和電極層連接導通，實現(xiàn)多個聲波諧振器的電極層通過串并聯(lián)的方式級聯(lián)在一起，形成濾波器電路。

14、在一種可選實現(xiàn)方式中，采用橫向激發(fā)體聲波諧振器，電極層包括叉指換能器，叉指換能器設于諧振區(qū)背對基材層的一側上。叉指換能器設于壓電層的單側，壓電層的諧振區(qū)位于凹腔上方，可形成空氣隙型橫向激發(fā)體聲波諧振器。在第一匯流條和第二匯流條之間施加高頻電信號，可以在壓電層的諧振區(qū)上激發(fā)出蘭姆波。

15、在一種可選實現(xiàn)方式中，叉指換能器可以包括第一匯流條、第二匯流條、多個第一電極指和多個第二電極指，第一匯流條和第二匯流條平行間隔設置。多個第一電極指平行間隔且連接于第一匯流條的同一側。多個第二電極指平行間隔且連接于第二匯流條的同一側。多個第一電極指和多個第二電極指位于第一匯流條和第二匯流條之間，多個第一電極指和多個第二電極指依次交替間隔排布。第一匯流條和第二匯流條可以與芯片上不同的導電部導通連接，以實現(xiàn)電信號的傳輸。

16、在一種可選實現(xiàn)方式中，壓電層的諧振區(qū)可大致呈矩形，第一匯流條和第二匯流條可以沿諧振區(qū)的長度方向延伸，多個第一電極指和多個第二電極指可以沿諧振區(qū)的寬度方向延伸，可在諧振區(qū)上交替間隔布置大量的第一電極指和第二電極指。

17、在一種可選實現(xiàn)方式中，采用橫向激發(fā)體聲波諧振器，電極層包括叉指換能器，叉指換能器設于諧振區(qū)面向基材層的一側上。叉指換能器設于壓電層的單側，壓電層的諧振區(qū)位于凹腔上方，可形成空氣隙型橫向激發(fā)體聲波諧振器。在第一匯流條和第二匯流條之間施加高頻電信號，可以在壓電層的諧振區(qū)上激發(fā)出蘭姆波。

18、在一種可選實現(xiàn)方式中，采用薄膜體聲波諧振器，電極層包括第一電極板和第二電極板，第一電極板設于諧振區(qū)背對基材層的一側上，第二電極板設于諧振區(qū)面向基材層的一側上。在第一電極板和第二電極板之間施加高頻電信號，可在壓電層的諧振區(qū)上激發(fā)出在第一電極板和第二電極板之間震蕩傳播的體聲波。

19、在一種可選實現(xiàn)方式中，壓電層的材料包括各切向的鈮酸鋰、鉭酸鋰、氮化鋁、氧化鋅、石英中的一種或多種。

20、在一種可選實現(xiàn)方式中，電極層和導電部的材料包括鋁、銅、鉑、鉬、鎢、鉭、金、銀中的一種或多種。電極層和導電部可采用物理氣相淀積工藝制作，如真空蒸鍍、濺射工藝。

21、在一種可選實現(xiàn)方式中，基材層包括相疊設的襯底和介質層，介質層位于襯底和壓電層之間，壓電層和介質層層疊鍵合，預埋槽沿著基材層厚度方向連通壓電層、介質層和襯底，凹腔形成于襯底上。在襯底上設置介質層，在壓電層和介質層層疊鍵合時連接效果好。將預埋槽連通壓電層、介質層和襯底，釋放阻擋層設于預埋槽。

22、在一種可選實現(xiàn)方式中，基材層包括相疊設的襯底和介質層，介質層位于襯底和壓電層之間，壓電層和介質層層疊鍵合，預埋槽沿著基材層厚度方向連通壓電層和介質層，凹腔形成于介質層上。在襯底上設置介質層，在壓電層和介質層層疊鍵合時連接效果好。將預埋槽連通壓電層和介質層，釋放阻擋層設于預埋槽。

23、在一種可選實現(xiàn)方式中，基材層包括襯底，壓電層和襯底層疊鍵合，預埋槽沿著基材層厚度方向連通襯底，凹腔形成于襯底上。將預埋槽形成于襯底上，釋放阻擋層設于預埋槽。

24、在一種可選實現(xiàn)方式中，襯底的材料包括硅、碳化硅、金鋼石、藍寶石、氮化鋁、陶瓷、鉭酸鋰、鈮酸鋰中的一種或多種。

25、在一種可選實現(xiàn)方式中，介質層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或氧化鋁中的一種或多種。通過在襯底上設置介質層，在壓電層和介質層層疊鍵合時連接效果好。

26、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽和釋放阻擋層兩者在俯視圖上的橫截面形狀相同，預埋槽和釋放阻擋層兩者橫截面可以沿圓形、橢圓形或多邊形布置。多邊形可以是三邊形、四邊形或更多邊的形狀。

27、在一種可選實現(xiàn)方式中，電極層大致呈矩形布置，釋放阻擋層大致呈矩形環(huán)狀布置，通過釋放阻擋層限定凹腔在俯視圖上的橫截面大致呈矩形。

28、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽包括多個圍繞諧振區(qū)分布且依次首尾連通的子槽；釋放阻擋層包括多個橫向阻擋部，多個橫向阻擋部一一對應地填充于多個子槽內。在每個子槽中分別形成橫向阻擋部，多個橫向阻擋部連接形成環(huán)狀的釋放阻擋層。

29、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽包括多個圍繞諧振區(qū)分布且依次間隔排布的子槽；釋放阻擋層包括多個橫向阻擋部，多個橫向阻擋部一一對應地填充于多個子槽內。在每個子槽中分別形成橫向阻擋部，多個橫向阻擋部間隔、無連接且大致環(huán)狀分布。

30、在一種可選實現(xiàn)方式中，釋放阻擋層中的多個橫向阻擋部可以呈圓形、橢圓形或多邊形布置。多邊形可以是三邊形、四邊形或更多邊的形狀。

31、在一種可選實現(xiàn)方式中，電極層大致呈矩形布置，釋放阻擋層中的多個橫向阻擋部大致呈矩形環(huán)狀布置，通過釋放阻擋層限定凹腔在俯視圖上的橫截面大致呈矩形。

32、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽或釋放阻擋層的縱向深度范圍為1微米(um)至50微米。使液態(tài)聚合物流入預埋槽內。

33、在一種可選實現(xiàn)方式中，釋放阻擋層在俯視圖上的寬度大于等于10微米。使液態(tài)聚合物能夠容易流進并充分填充在預埋槽內。

34、在一種可選實現(xiàn)方式中，釋放阻擋層中的多個橫向阻擋部大致呈矩形環(huán)狀布置。

35、在一種可選實現(xiàn)方式中，聚合物可以包括聚酰亞胺、聚二甲基硅氧烷、聚偏氟乙烯、苯并環(huán)丁烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、光刻膠中的一種或多種。光刻膠可以是聚甲基丙烯酸甲酯等等。

36、在一種可選實現(xiàn)方式中，釋放阻擋層可以通過旋涂聚合物以填充于預埋槽，固化聚合物并對聚合物的填充側平坦化而成。聚合物的填充側是指制作過程中晶圓上填充有聚合物的一側。

37、在一種可選實現(xiàn)方式中，聚合物在固化后的楊氏模量小于10吉帕斯卡(gpa)。聚合物固化后的楊氏模量較小，硬度較低，對填充聚合物的一側平坦化時，加工作用力傳遞至基材層引起基材層的應力較小，對基材層的損壞很小，聚合物能夠釋放凹腔上方電極層的機械應力，降低加工難度。

38、在一種可選實現(xiàn)方式中，聚合物在固化后的楊氏模量小于5吉帕斯卡，聚合物固化后的楊氏模量越小，硬度越低，對填充聚合物的一側平坦化時對基材層的損壞越小。

39、在一種可選實現(xiàn)方式中，芯片具有沿著基材層厚度方向連通壓電層和基材層的一個或多個微槽，一個或多個微槽和預埋槽相連通。微槽在壓電層上可形成開口。

40、液態(tài)聚合物可以進入預埋槽，而難以進入微槽中。在加熱固化聚合物時，預埋槽處的液態(tài)聚合物內會有氣泡，氣泡可從旁邊沒填充的微槽溢出，使聚合物更充分緊實地填充于預埋槽。微槽可以向受熱膨脹的釋放阻擋層提供一定的變形空間。

41、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽可以包括多個子槽，每個子槽對應連通微槽的數(shù)量可以是一個或多個。

42、在一種可選實現(xiàn)方式中，多個微槽沿著諧振區(qū)的邊緣間隔排布。

43、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽包括多個圍繞諧振區(qū)分布且依次首尾連通的子槽，每個子槽可以和微槽連通。

44、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽包括多個圍繞諧振區(qū)分布且依次間隔排布的子槽，每個子槽也可以和微槽連通。

45、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀可以為圓形、橢圓形、多邊形或x形。多邊形可以為三角形、四邊形或更多邊的形狀。微槽的多邊形橫截面一邊或一部分與預埋槽相連通，使液態(tài)聚合物難以由微槽的開口進入，也難以由預埋槽進入微槽內。

46、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為圓形，微槽圓形橫截面的一部分和預埋槽中的子槽的長邊連通。

47、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為三角形，微槽三角形橫截面的一側邊和預埋槽中的子槽的長邊連通。此外，微槽三角形橫截面的一端部也可以和子槽的長邊連通。

48、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為矩形，微槽矩形橫截面的一短邊和預埋槽中的子槽的長邊連通。

49、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為x型，微槽的x型橫截面的一端部和預埋槽中的子槽的長邊連通。

50、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的長度小于等于10微米(um)?；?，微槽在俯視圖上的橫截面面積小于等于100平方微米(um2)。使得液態(tài)聚合物難以經過開口進入微槽內。

51、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為圓形，微槽在俯視圖上的長度是圓形橫截面的直徑。

52、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為三角形，微槽在俯視圖上的長度是三角形的最大邊長。

53、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為矩形，微槽在俯視圖上的長度是矩形橫截面的長邊長度。

54、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽在俯視圖上的橫截面形狀為x型，微槽在俯視圖上的長度是x形橫截面的臂長度。

55、在一種可選實現(xiàn)方式中，微槽和預埋槽之間形成連通口，連通口的長度小于等于10微米(um)；或，微槽和預埋槽之間形成連通口，連通口的截面面積小于等于100平方微米(um2)。連通口具有矩形截面，連通口的長度是連通口在連通口的矩形截面上的長邊尺寸。使得液態(tài)聚合物難以由預埋槽經過連通口進入微槽內。

56、在一種可選實現(xiàn)方式中，基材層、壓電層、電極層和釋放阻擋層相結合可作為空氣隙型聲波諧振器，多個聲波諧振器級聯(lián)形成濾波器。

57、在一種可選實現(xiàn)方式中，濾波器可以單獨作為一個部件，或者，濾波器可以和功率放大器等部件集成為一種模組，濾波器與功率放大器耦接，進行信號處理和傳輸。

58、在一種可選實現(xiàn)方式中，濾波器包括多個級聯(lián)的諧振器，多個諧振器可以具有不同的諧振頻率，并通過串并聯(lián)的方式級聯(lián)在一起。該濾波器具有信號輸入端vi、信號輸出端vo以及接地端gnd。

59、第二方面，本技術實施例提供一種電子設備，包括印刷電路板和上述芯片，芯片設于印刷電路板上。

60、在一種可選實現(xiàn)方式中，電子設備是手機，電子設備包括蓋板、顯示屏、中框和后殼。后殼和顯示屏分別位于中框的相對兩側，中框和顯示屏可設置于后殼內，蓋板設置于顯示屏遠離中框的一側，顯示屏的顯示側面向蓋板設置。

61、在一種可選實現(xiàn)方式中，顯示屏可以是液晶顯示屏，液晶顯示屏包括液晶顯示面板和背光模組，液晶顯示面板設置在蓋板和背光模組之間，背光模組用于對液晶顯示面板提供光源。

62、在一種可選實現(xiàn)方式中，顯示屏可以是有機發(fā)光二極管顯示屏。自發(fā)光顯示屏無需設置背光模組。

63、在一種可選實現(xiàn)方式中，中框可包括承載板以及設于承載板周邊的邊框。

64、在一種可選實現(xiàn)方式中，電子設備還可以包括設置于印刷電路板上的系統(tǒng)級芯片、射頻芯片等，印刷電路板用于承載系統(tǒng)級芯片、射頻芯片等，并與系統(tǒng)級芯片、射頻芯片等電連接。射頻芯片可以包括濾波器、處理器等部分。處理器用于對各種信號進行處理。

65、第三方面，本技術實施例提供一種芯片的制備方法，包括：

66、采用壓電層和基材層層疊鍵合的晶圓；

67、在晶圓上刻蝕形成預埋槽，預埋槽沿著基材層厚度方向連通壓電層和基材層，預埋槽圍繞壓電層的諧振區(qū)布置，預埋槽在壓電層上形成開口；在晶圓上刻蝕形成預埋槽時，可采用光刻膠或其他材料作為刻蝕預埋槽圖形的掩模；

68、在壓電層上旋涂聚合物，使聚合物填充于預埋槽；在旋涂過程中，液態(tài)聚合物會經過預埋槽的開口進入預埋槽，形成良好的填充；

69、固化聚合物并對聚合物的填充側平坦化，使預埋槽內的聚合物形成釋放阻擋層；聚合物的填充側是指制作過程中晶圓上填充有聚合物的一側；

70、在諧振區(qū)上制作電極層；

71、制作貫穿壓電層的釋放孔；在制作釋放孔時，可采用光刻膠或其他材料作為制作釋放孔圖形的掩模；

72、使釋放流體經過釋放孔并和基材層刻蝕反應，在基材層上形成凹腔，使諧振區(qū)和凹腔的底面在基材層厚度方向間隔設置，凹腔的橫向尺寸由釋放阻擋層限定。

73、本技術實施例提供的芯片的制備方法，由晶圓廠將基材層和壓電層層疊鍵合，集成電路加工廠拿到壓電層和基材層已鍵合的晶圓后，在晶圓上進行預埋槽加工，釋放阻擋層和電極層的制作，基材層的凹腔制作。在成型釋放阻擋層時，不受壓電層和基材層鍵合的限制。無需如相關技術要將晶圓在集成電路加工廠和晶圓廠之間來回往返而降低晶圓損壞。若要更改電極層的尺寸或位置，直接在晶圓上更改釋放阻擋層的預埋槽位置即可，無需如相關技術要多花費6周以上時間在晶圓廠重新定制壓電層。釋放阻擋層的材料為聚合物，液態(tài)聚合物容易填充于芯片的預埋槽中，工藝簡單，填充效果好。聚合物固化后硬度小，在對填充側平坦化時基材層的應力應變小，對基材層損傷很小，無需如相關技術預先定制大厚度襯底并填充預埋槽后對襯底底側研磨減薄。在前后道加工過程中，聚合物能夠釋放凹腔上方電極層的機械應力，降低加工難度。通過釋放流體和基材層反應，在基材層中形成凹腔，使設于基材層上的壓電層的諧振區(qū)和凹腔的底面在基材層厚度方向間隔設置。釋放阻擋層和釋放流體幾乎不發(fā)生反應，通過釋放阻擋層限定凹腔的橫向尺寸，使得凹腔的橫向尺寸可做小，在晶圓上布置更多的聲波諧振器，提高器件機械強度和功率耐受性。該具有釋放阻擋層的芯片的制備工藝流程得到優(yōu)化，加工流程更合理，提高工藝可行性，芯片的制備難度小，成本低，良率高。

74、在一種可選實現(xiàn)方式中，在晶圓上刻蝕形成預埋槽，具體包括：在壓電層表面涂光刻膠；光刻板的圖形和預埋槽形狀相適配，將晶圓放在光刻機上并使晶圓和光刻板對準后進行曝光；經過顯影，去除對應預埋槽區(qū)域的部分光刻膠，使光刻板的圖形轉移到光刻膠上；將光刻膠作為刻蝕預埋槽圖形的掩模，經過刻蝕，使光刻膠的圖形轉移到晶圓上，在晶圓上形成預埋槽?？涛g可以是等離子反應刻蝕。

75、在一種可選實現(xiàn)方式中，在晶圓上刻蝕形成預埋槽，具體包括：在晶圓上刻蝕形成預埋槽和一個或多個微槽，一個或多個微槽沿著基材層厚度方向連通壓電層和基材層，一個或多個微槽和預埋槽相連通。微槽在壓電層上可形成開口?？刹捎霉饪棠z或其他材料作為刻蝕預埋槽圖形和微槽圖形的掩模，在晶圓上刻蝕形成相連通的預埋槽和微槽。

76、在一種可選實現(xiàn)方式中，在制作微槽的情況下，在晶圓上刻蝕形成預埋槽和微槽，具體包括：在壓電層表面涂光刻膠；光刻板的圖形和預埋槽形狀、微槽形狀相適配，將晶圓放在光刻機上并使晶圓和光刻板對準后進行曝光；經過顯影，去除對應預埋槽和微槽區(qū)域的部分光刻膠，使光刻板的圖形轉移到光刻膠上；將光刻膠作為刻蝕預埋槽圖形和微槽圖形的掩模，經過刻蝕，使光刻膠的圖形轉移到晶圓上，在晶圓上形成預埋槽和微槽?？涛g可以是等離子反應刻蝕。

77、在一種可選實現(xiàn)方式中，預埋槽面向諧振區(qū)的一側設有一個或多個微槽?；蛘?，預埋槽背向諧振區(qū)的一側設有一個或多個微槽?；蛘撸A埋槽面向諧振區(qū)的一側設有一個或多個微槽，預埋槽背向諧振區(qū)的一側設有一個或多個微槽?？稍陬A埋槽的單側或雙側設置微槽，填充液態(tài)聚合物時容易進入預埋槽，而難以進入微槽中，微槽內部可能是空的。

78、在一種可選實現(xiàn)方式中，固化聚合物并對聚合物的填充側平坦化，具體包括：對填充有聚合物的晶圓預烘烤；光刻顯影，去除預埋槽的延伸空間以外的聚合物；干法去膠，去除預埋槽以外的聚合物；對聚合物的填充側平坦化；對晶圓完全烘烤固化聚合物。

79、在一種可選實現(xiàn)方式中，固化聚合物并對聚合物的填充側平坦化，具體包括：對填充有聚合物的晶圓完全烘烤固化聚合物；對聚合物的填充側平坦化。

80、在一種可選實現(xiàn)方式中，對聚合物的填充側平坦化，具體包括光刻顯影、干法刻蝕、化學機械拋光中的一種或多種。通過上述方式可以對聚合物的填充側平坦化，在壓電層上形成平坦表面，為后續(xù)在壓電層上成型電極層做好準備。

81、在一種可選實現(xiàn)方式中，在壓電層的諧振區(qū)上制作電極層，并在壓電層的非諧振區(qū)上制作導電部，導電部和電極層連接導通，實現(xiàn)多個聲波諧振器的電極層通過串并聯(lián)的方式級聯(lián)在一起，形成濾波器電路。