技術(shù)特征：

1.一種芯片，其特征在于，包括：基材層、壓電層、電極層和釋放阻擋層；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述電極層包括叉指換能器，所述叉指換能器設(shè)于所述諧振區(qū)背對所述基材層的一側(cè)上；

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片，其特征在于，所述基材層包括相疊設(shè)的襯底和介質(zhì)層，所述介質(zhì)層位于所述襯底和所述壓電層之間，所述壓電層和所述介質(zhì)層層疊鍵合，所述預(yù)埋槽沿著所述基材層厚度方向連通所述壓電層、所述介質(zhì)層和所述襯底，所述凹腔形成于所述襯底上；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片，其特征在于，所述襯底的材料包括硅、碳化硅、金鋼石、藍(lán)寶石、氮化鋁、陶瓷、鉭酸鋰、鈮酸鋰中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的芯片，其特征在于，所述預(yù)埋槽包括多個(gè)圍繞所述諧振區(qū)分布且依次首尾連通的子槽；所述釋放阻擋層包括多個(gè)橫向阻擋部，多個(gè)所述橫向阻擋部一一對應(yīng)地填充于多個(gè)所述子槽內(nèi)；

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的芯片，其特征在于，所述釋放阻擋層沿圓形、橢圓形或多邊形布置；

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的芯片，其特征在于，所述芯片具有沿著所述基材層厚度方向連通所述壓電層和所述基材層的一個(gè)或多個(gè)微槽，一個(gè)或多個(gè)所述微槽和所述預(yù)埋槽相連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于，多個(gè)所述微槽沿著所述諧振區(qū)的邊緣間隔排布；

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的芯片，其特征在于，所述壓電層的材料包括各切向的鈮酸鋰、鉭酸鋰、氮化鋁、氧化鋅、石英中的一種或多種；

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括印刷電路板和如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的芯片，所述芯片設(shè)于所述印刷電路板上。

11.一種如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的芯片的制備方法，其特征在于，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的芯片的制備方法，其特征在于，所述固化聚合物并對聚合物的填充側(cè)平坦化，具體包括：對填充有聚合物的晶圓預(yù)烘烤；光刻顯影，去除所述預(yù)埋槽的延伸空間以外的聚合物；干法去膠，去除所述預(yù)埋槽以外的聚合物；對聚合物的填充側(cè)平坦化；對晶圓完全烘烤固化聚合物；

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的芯片的制備方法，其特征在于，所述在晶圓上刻蝕形成預(yù)埋槽，具體包括：在晶圓上刻蝕形成預(yù)埋槽和一個(gè)或多個(gè)微槽，一個(gè)或多個(gè)微槽沿著所述基材層厚度方向連通所述壓電層和所述基材層，一個(gè)或多個(gè)所述微槽和所述預(yù)埋槽相連通。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的芯片的制備方法，其特征在于，所述預(yù)埋槽面向所述諧振區(qū)的一側(cè)設(shè)有一個(gè)或多個(gè)所述微槽；

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N芯片及其制備方法、電子設(shè)備，芯片包括基材層、壓電層、電極層和釋放阻擋層。基材層和壓電層層疊鍵合，集成電路加工廠進(jìn)行預(yù)埋槽加工，釋放阻擋層和電極層的制作，基材層的凹腔制作。釋放阻擋層的材料為聚合物，液態(tài)聚合物容易填充于芯片的預(yù)埋槽中，工藝簡單，填充效果好。聚合物固化后的硬度小，在對填充側(cè)平坦化時(shí)基材層的應(yīng)力應(yīng)變小，損傷很小。通過釋放流體和基材層反應(yīng)，在基材層中形成凹腔，使設(shè)于壓電層的諧振區(qū)和凹腔底面間隔設(shè)置。通過釋放阻擋層限定凹腔的橫向尺寸，使得凹腔的橫向尺寸可做小。芯片中的基材層、壓電層、電極層和釋放阻擋層相結(jié)合可作為空氣隙型聲波諧振器，該芯片的制備難度小，成本低，良率高。

技術(shù)研發(fā)人員：陶翔,陳國東,唐戴平,柯漢,欒仲智
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華為技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19