技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，

9.一種電子設(shè)備，包括：

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

19.根據(jù)權(quán)利要求10至18中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，

技術(shù)總結(jié)
提供一種電特性良好的半導(dǎo)體裝置。提供一種半導(dǎo)體裝置，包括晶體管、第一層間絕緣層、第一層間絕緣層上的第二層間絕緣層。晶體管包括用作源電極和漏電極中的一個(gè)的第一導(dǎo)電層及用作源電極和漏電極中的另一個(gè)的第二導(dǎo)電層，在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間設(shè)置第一和第二層間絕緣層。在第一和第二層間絕緣層以及第二導(dǎo)電層中設(shè)置有到達(dá)第一導(dǎo)電層的開(kāi)口部，以具有位于該開(kāi)口部的內(nèi)部的區(qū)域的方式依次設(shè)置半導(dǎo)體層、第一柵極絕緣層及第一柵電極。在第一層間絕緣層與第二層間絕緣層之間以覆蓋半導(dǎo)體層的側(cè)面的方式設(shè)置第二柵電極。第二柵電極包括具有與半導(dǎo)體層接觸的區(qū)域的氧化物區(qū)域。氧化物區(qū)域被用作第二柵極絕緣層。

技術(shù)研發(fā)人員：山崎舜平,松崎隆德,井坂史人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15