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顯示裝置及其制造方法與流程

文檔序號(hào):41952714發(fā)布日期:2025-05-16 14:15閱讀:4來(lái)源:國(guó)知局
顯示裝置及其制造方法與流程

本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種顯示裝置及其制造方法。


背景技術(shù):

1、如今,顯示裝置的用途正變得多樣化。此外,隨著顯示裝置變得更薄、更輕,其使用范圍正在擴(kuò)展到各種經(jīng)濟(jì)活動(dòng)領(lǐng)域。

2、隨著用于在顯示裝置中顯示圖像的顯示區(qū)域的尺寸的增加,與顯示裝置鏈接或組合的各種功能被添加到顯示設(shè)備中,以獲得更大的使用靈活性。

3、隨著顯示區(qū)域看起來(lái)滿的所謂無(wú)邊框或無(wú)邊框設(shè)計(jì)變得越來(lái)越普遍,需要對(duì)在顯示區(qū)域內(nèi)具有不用于顯示圖像而是用于添加各種功能的區(qū)域的顯示裝置進(jìn)行研究,以具有更大的使用靈活性。

4、因此,已經(jīng)提出了一種被稱為顯示器中孔(hid)或有源區(qū)中孔(hiaa)的顯示裝置,其中在顯示面板的顯示區(qū)域中去除基板的至少一部分。

5、然而,存在這樣的問(wèn)題,即在去除基板的一部分的過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)裂紋,或者濕氣可能會(huì)滲透到去除基板的區(qū)域中,導(dǎo)致顯示質(zhì)量的劣化以及顯示裝置的缺陷。因此,需要解決這個(gè)問(wèn)題以生產(chǎn)可靠的顯示裝置。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、存在這樣的問(wèn)題,即,當(dāng)濕氣等滲透到顯示區(qū)域中基板被去除的區(qū)域中時(shí),顯示質(zhì)量劣化。因此,本公開(kāi)的發(fā)明人已經(jīng)發(fā)明了一種顯示裝置,其通過(guò)發(fā)光堆疊防止或減少橫向濕氣滲透。

2、本公開(kāi)的實(shí)施例旨在提供一種顯示裝置及其制造方法,該顯示裝置能夠通過(guò)圖案化發(fā)光堆疊來(lái)通過(guò)發(fā)光堆疊阻擋橫向濕氣滲透路徑。

3、本公開(kāi)的實(shí)施例旨在提供一種顯示裝置及其制造方法,該顯示裝置能夠通過(guò)圖案化發(fā)光堆疊并布置堤壩結(jié)構(gòu)來(lái)防止或減少發(fā)光堆疊的橫向濕氣滲透路徑和微裂紋。

4、本公開(kāi)的實(shí)施例旨在提供一種顯示裝置及其制造方法,該顯示裝置能夠通過(guò)防止或減少橫向濕氣滲透來(lái)增加壽命,從而實(shí)現(xiàn)低功耗。

5、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例,一種顯示裝置可以包括:基板,所述基板包括非顯示區(qū)域和圍繞所述非顯示區(qū)域的顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域包括通孔;絕緣層,所述絕緣層設(shè)置在基板上;發(fā)光堆疊,所述發(fā)光堆疊設(shè)置在絕緣層上;第二電極,所述第二電極從顯示區(qū)域延伸到非顯示區(qū)域以設(shè)置在發(fā)光堆疊上;以及電極圖案化材料層,所述電極圖案化材料層與第二電極的一端接觸,并被設(shè)置在發(fā)光堆疊上,其中發(fā)光堆疊的一端和電極圖案化材料層的一端被設(shè)置成重合。

6、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例,一種顯示裝置可以包括:基板,所述基板包括非顯示區(qū)域和圍繞所述非顯示區(qū)域的顯示區(qū)域,所述非顯示區(qū)域包括通孔;絕緣層,所述絕緣層設(shè)置在基板上;多個(gè)堤壩,多個(gè)堤壩位于顯示區(qū)域和通孔之間并設(shè)置在絕緣層上;發(fā)光堆疊,所述發(fā)光堆疊設(shè)置在絕緣膜和多個(gè)堤壩上;第二電極,所述第二電極從顯示區(qū)域延伸到非顯示區(qū)域以設(shè)置在發(fā)光堆疊上;電極圖案化材料層,所述電極圖案化材料層接觸第二電極的一端并設(shè)置在光發(fā)射堆疊上;和凹槽,在所述凹槽處切割發(fā)光堆疊和電極圖案化材料層中的每一個(gè)。

7、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例,一種制造顯示裝置的方法可以包括:形成包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的基板,在非顯示區(qū)域中形成犧牲層和堤壩,形成發(fā)光堆疊以覆蓋犧牲層和堤壩,在發(fā)光堆疊上形成電極圖案化材料層以位于非顯示區(qū)域中,在發(fā)光堆疊上形成第二電極以接觸電極圖案化材料層,在第二電極和電極圖案化材料層上形成覆蓋層,以及通過(guò)向犧牲層照射激光來(lái)形成凹槽。

8、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例,可以提供一種顯示裝置及其制造方法,該顯示裝置能夠通過(guò)對(duì)發(fā)光堆疊進(jìn)行圖案化來(lái)阻擋由于發(fā)光堆疊的存在而導(dǎo)致的橫向濕氣滲透路徑。

9、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例,可以提供一種顯示裝置及其制造方法,該顯示裝置能夠通過(guò)對(duì)發(fā)光堆疊進(jìn)行圖案化并設(shè)置堤壩結(jié)構(gòu)來(lái)防止或減少發(fā)光堆疊的橫向濕氣滲透路徑和微裂紋。

10、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例,可以提供一種顯示裝置及其制造方法,該顯示裝置能夠通過(guò)防止或減少橫向濕氣滲透來(lái)增加壽命,從而實(shí)現(xiàn)低功耗。



技術(shù)特征:

1.一種顯示裝置,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中所述發(fā)光堆疊和所述電極圖案化材料層被順序地設(shè)置在所述堤壩上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中所述覆蓋層在所述凹槽處斷連。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中所述堤壩包括多個(gè)堤壩,所述多個(gè)堤壩被設(shè)置為彼此間隔開(kāi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置,其中所述多個(gè)堤壩包括第一堤壩和第二堤壩,以及

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置,其中所述下屏蔽金屬的所述一端位于所述電極的一端與所述電極圖案化材料層的一端之間。

12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,進(jìn)一步包括:

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其中:

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中所述第一無(wú)機(jī)封裝層和所述第二無(wú)機(jī)封裝層暴露于所述通孔。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中所述第二無(wú)機(jī)封裝層在所述通孔處覆蓋所述第一無(wú)機(jī)封裝層的一端。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述電極的厚度不小于所述電極圖案化材料層的厚度。

17.一種顯示裝置,包括:

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置,其中所述無(wú)機(jī)絕緣層和所述無(wú)機(jī)封裝層在所述至少一個(gè)凹槽中直接接觸。

19.一種制造顯示裝置的方法,所述方法包括:

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中在形成所述凹槽時(shí),在所述凹槽處切割所述發(fā)光堆疊。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,其中在形成所述第二電極時(shí),在與所述電極圖案化材料層相同的層處形成所述第二電極。

22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法,進(jìn)一步包括:

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其中在形成所述封裝層時(shí),所述封裝層包括第一無(wú)機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層和第二無(wú)機(jī)封裝層,并且所述第二無(wú)機(jī)封裝層被形成為覆蓋所述有機(jī)封裝層并且接觸所述第一無(wú)機(jī)封裝層。

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法,其中所述第二無(wú)機(jī)封裝層被形成為覆蓋所述第一無(wú)機(jī)封裝層的一端。


技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及一種顯示裝置,其包括基板,所述基板包括具有通孔的顯示區(qū)域和與顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域;設(shè)置在基板上的絕緣層;設(shè)置在絕緣層上發(fā)光堆疊;電極,所述電極從顯示區(qū)域延伸到非顯示區(qū)域并且設(shè)置在所述發(fā)光堆疊上;和電極圖案化材料層,所述電極圖案化材料層與電極的一端接觸并且設(shè)置在發(fā)光堆疊上。發(fā)光堆疊的一端和電極圖案化材料層的一端可以重合??梢蕴峁┮环N顯示裝置,其能夠防止或減少由于發(fā)光堆疊的存在而導(dǎo)致的橫向濕氣滲透。

技術(shù)研發(fā)人員:文英均,金珉朱,秋東日
受保護(hù)的技術(shù)使用者:樂(lè)金顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/15
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