本公開(kāi)實(shí)施例涉及但不限于半導(dǎo)體技術(shù)，尤指一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，器件的關(guān)鍵尺寸日益縮小，單個(gè)芯片所包含的器件種類(lèi)及數(shù)量隨之增加，使得工藝生產(chǎn)中的任何微小差異都可能對(duì)器件性能造成影響。

2、為了盡可能降低產(chǎn)品的成本，人們希望在有限的襯底上做出盡可能多的器件單元。自從摩爾定律問(wèn)世以來(lái)，業(yè)界提出了各種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)化，以滿(mǎn)足人們對(duì)當(dāng)前產(chǎn)品的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以下是對(duì)本文詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

2、本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底、設(shè)置在所述襯底上的多個(gè)存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元包括沿平行于所述襯底的第一方向排列的晶體管和電容；

3、所述晶體管包括溝道、柵極絕緣層、柵極、第一電極和第二電極，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述柵極與所述溝道之間，所述第一電極和所述第二電極分別與所述溝道連接；

4、所述電容包括第一電容電極、電容介電層和第二電容電極，所述電容介電層至少設(shè)置在所述第一電容電極與所述第二電容電極之間；所述第一電容電極與所述第一電極連接；

5、相互連接的所述第一電容電極和所述第一電極在所述第一方向上具有交疊。

6、在一些實(shí)施例中，所述第一電容電極包括互相連接的主體部分以及夾持部，所述夾持部設(shè)置在所述主體部分靠近所述第一電極的一側(cè)，所述夾持部中設(shè)置有夾持槽，所述夾持槽的開(kāi)口朝向所述第一電極設(shè)置，至少部分所述第一電極設(shè)置在所述夾持槽內(nèi)，所述夾持部與所述第一電極在所述第一方向上具有交疊。

7、在一些實(shí)施例中，所述夾持部包括兩個(gè)夾持壁，所述兩個(gè)夾持壁平行于襯底，并設(shè)置在至少部分所述第一電極在垂直于所述襯底方向上的相對(duì)兩側(cè)。

8、在一些實(shí)施例中，所述主體部分和所述夾持部為一體成型結(jié)構(gòu)，且包括同一種導(dǎo)電材料。

9、在一些實(shí)施例中，所述主體部分和所述夾持部的材料均包括氮化鈦。

10、在一些實(shí)施例中，所述主體部分在垂直于所述襯底方向的截面呈u形，所述主體部分包括頂壁、底壁，以及將所述頂壁和所述底壁連接的側(cè)壁，所述頂壁和所述底壁相對(duì)設(shè)置，且均平行于所述襯底，所述側(cè)壁垂直于所述襯底，所述側(cè)壁與所述夾持部連接，并與所述夾持部形成所述夾持槽。

11、在一些實(shí)施例中，還包括絕緣層，所述絕緣層位于所述第一電容電極在垂直于所述襯底方向上的至少一側(cè)，所述絕緣層與所述夾持部在所述襯底上的正投影交疊。

12、在一些實(shí)施例中，所述絕緣層與至少部分所述主體部分在所述襯底上的正投影交疊。

13、在一些實(shí)施例中，所述第一電容電極在垂直于所述襯底方向上的截面呈h形。

14、在一些實(shí)施例中，所述第一電極的第一表面上設(shè)置有隔離層，所述第一表面靠近所述第一電容電極的部分沒(méi)有設(shè)置隔離層，至少部分所述第一電容電極設(shè)置在該部分第一表面上。

15、在一些實(shí)施例中，所述隔離層與所述第一電極和所述第一電容電極接觸。

16、在一些實(shí)施例中，所述隔離層與所述第一電容電極的材料不同。

17、在一些實(shí)施例中，還包括垂直于所述襯底的孔洞，所述第一電極的一部分設(shè)置在所述孔洞中，所述第一電容電極、所述電容介電層和所述第二電容電極依次設(shè)置在所述孔洞中的第一電極的表面上以及所述孔洞的側(cè)壁上。

18、在一些實(shí)施例中，所述第一電容電極、所述電容介電層和所述第二電容電極均為薄膜，所述電容還包括導(dǎo)電填充層，所述導(dǎo)電填充層填充所述孔洞，所述導(dǎo)電填充層與所述第二電容電極連接。

19、在一些實(shí)施例中，還包括位線，所述位線平行于所述襯底，所述位線與所述第二電極連接。

20、在一些實(shí)施例中，還包括字線，所述字線垂直于所述襯底，所述字線與所述柵極連接。

21、本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

22、在襯底上形成包括依次交替設(shè)置的第一電極和絕緣層的堆疊結(jié)構(gòu)，所述第一電極的表面上設(shè)置有隔離層；

23、采用刻蝕工藝，在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成垂直于所述襯底的孔洞，所述孔洞暴露出所述隔離層的側(cè)壁以及所述絕緣層的側(cè)壁；

24、采用刻蝕工藝，沿著平行于所述襯底方向刻蝕去除部分所述隔離層，將所述第一電極暴露；

25、在暴露的所述第一電極以及所述孔洞的側(cè)壁上依次形成第一電容電極、電容介電層和第二電容電極，形成電容，所述第一電極和所述電容沿著平行于襯底的第一方向排列，使所述第一電容電極和所述第一電極相互連接，且在第一方向上具有交疊。

26、在一些實(shí)施例中，在所述絕緣層所在位置的孔洞部分在第一方向上的尺寸，小于在所述第一電極所在位置的孔洞部分在第一方向上的尺寸。

27、在一些實(shí)施例中，在暴露的所述第一電極以及所述孔洞的側(cè)壁上依次形成第一電容電極、電容介電層和第二電容電極包括：

28、在暴露的所述第一電極以及所述孔洞的側(cè)壁上依次形成電容電極薄膜以及阻擋薄膜；

29、采用刻蝕工藝，刻蝕去除所述絕緣層位置處的阻擋薄膜，暴露所述絕緣層側(cè)壁上的電容電極薄膜，保留第一電極位置處的阻擋薄膜，形成刻蝕阻擋層；

30、采用刻蝕工藝，刻蝕去除所述絕緣層側(cè)壁上的電容電極薄膜，保留所述第一電極位置處的電容電極薄膜，形成第一電容電極；

31、沿平行于襯底的方向，刻蝕去除所述刻蝕阻擋層，將所述第一電容電極的內(nèi)表面暴露；

32、沿平行于襯底的方向，刻蝕去除部分所述絕緣層，將至少部分所述第一電容電極的外表面暴露；

33、在暴露的所述第一電容電極的內(nèi)表面和暴露的所述第一電容電極的外表面上依次形成電容介電層和第二電容電極。

34、在一些實(shí)施例中，沿平行于襯底的方向，刻蝕去除部分所述絕緣層包括：沿所述第一方向刻蝕去除部分所述絕緣層，所述絕緣層被刻蝕的距離小于所述第一電容電極在第一方向上的長(zhǎng)度。

35、本公開(kāi)實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，包括前面任一所述的半導(dǎo)體器件。

36、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件通過(guò)相互連接的第一電容電極和第一電極在第一方向上具有交疊，使第一電容電極被第一電極壓緊固定，從而提高第一電容電極與第一電極連接的穩(wěn)定性，避免第一電容電極塌陷。

37、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件通過(guò)第一電容電極的夾持部，將第一電極夾緊，提高第一電容電極與第一電極連接的穩(wěn)定性。

38、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件通過(guò)使第一電容電極的主體部分和夾持部為一體成型結(jié)構(gòu)，且包括同一種導(dǎo)電材料，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，并保證第一電容電極的強(qiáng)度。

39、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件通過(guò)絕緣層將第一電容電極的夾持部夾緊，提高第一電容電極的穩(wěn)定性，避免第一電容電極塌陷。

40、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件通過(guò)至少部分第一電容電極設(shè)置在暴露的第一電極上，使第一電容電極將第一電極夾緊，提高第一電容電極與第一電極連接的穩(wěn)定性。

41、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過(guò)沿著平行于所述襯底方向刻蝕去除所述孔洞暴露的部分所述隔離層，將所述第一電極暴露，隨后，在暴露的所述第一電極上形成第一電容電極，使至少部分所述第一電容電極設(shè)置在暴露的所述第一電極上，從而提高第一電容電極與第一電極連接的穩(wěn)定性，避免第一電容電極塌陷。

42、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過(guò)所述絕緣層對(duì)應(yīng)的孔洞在所述襯底的正投影位于所述第一電極對(duì)應(yīng)的孔洞在所述襯底的正投影中，在后續(xù)刻蝕去除絕緣層對(duì)應(yīng)的孔洞側(cè)壁上的阻擋薄膜時(shí)，能夠保留部分阻擋薄膜在所述第一電極對(duì)應(yīng)的孔洞中，形成刻蝕阻擋層。

43、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過(guò)刻蝕阻擋層可以在刻蝕去除所述絕緣層側(cè)壁上的電容電極薄膜時(shí)，阻擋刻蝕液刻蝕所述第一電極以及所述第一電極對(duì)應(yīng)的孔洞側(cè)壁上的電容電極薄膜，保留所述第一電極以及所述第一電極對(duì)應(yīng)的孔洞側(cè)壁上的電容電極薄膜，形成第一電容電極。

44、本公開(kāi)實(shí)施例半導(dǎo)體器件的制造方法通過(guò)刻蝕去除刻蝕阻擋層和部分所述絕緣層，將第一電容電極的內(nèi)表面和外表面暴露，使第二電容電極能夠與暴露的第一電容電極的內(nèi)表面和外表面相對(duì)設(shè)置，從而增大了第二電容電極與第一電容電極的相對(duì)面積，提高了電容的容量。

45、本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書(shū)中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書(shū)以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

46、在閱讀并理解了附圖和詳細(xì)描述后，可以明白其他方面。