本公開涉及顯示設(shè)備以及制造顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

1、隨著面向信息社會的發(fā)展，對用于以各種方式顯示圖像的顯示設(shè)備存在越來越多的需求。例如，在諸如智能電話、數(shù)碼相機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、導(dǎo)航設(shè)備和智能電視的各種電子設(shè)備中使用顯示設(shè)備。顯示設(shè)備可以是平板顯示設(shè)備，諸如液晶顯示設(shè)備、場發(fā)射顯示設(shè)備和有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。在平板顯示設(shè)備中的發(fā)光顯示設(shè)備中，由于顯示面板的像素中的每一個(gè)包括能夠自身發(fā)光的發(fā)光元件，因此圖像可以在沒有向顯示面板提供光的背光單元的情況下顯示。

2、顯示設(shè)備還可以包括發(fā)光的像素、用于驅(qū)動像素的掃描線、數(shù)據(jù)線和電力線、向掃描線輸出掃描信號的掃描驅(qū)動器以及向數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)電壓的顯示驅(qū)動器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的方面提供了包括具有小厚度的封裝層的顯示設(shè)備及顯示設(shè)備的制造方法。

2、然而，本公開的方面不限于本文中所闡述的方面。通過參考以下給出的本公開的詳細(xì)描述，本公開的以上和其他方面對于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得更加顯而易見。

3、根據(jù)本公開的實(shí)施方式，顯示設(shè)備可以包括：發(fā)光元件層，設(shè)置在襯底上并且包括多個(gè)發(fā)光元件；以及封裝層，包括設(shè)置在發(fā)光元件層上的第一無機(jī)封裝層、設(shè)置在第一無機(jī)封裝層上的有機(jī)封裝層和設(shè)置在有機(jī)封裝層上的第二無機(jī)封裝層。第一無機(jī)封裝層和第二無機(jī)封裝層中的至少一個(gè)可以包括第一無機(jī)層和設(shè)置在第一無機(jī)層上的第二無機(jī)層，第二無機(jī)層可以包括面對第一無機(jī)層的第一表面和與第一表面相對的第二表面，第二無機(jī)層的在與第二無機(jī)層的第一表面相鄰的區(qū)域中的第一膜密度可以大于第二無機(jī)層的在與第二無機(jī)層的第二表面相鄰的區(qū)域中的第二膜密度，并且第一無機(jī)層的膜密度可以大于第二無機(jī)層的第二膜密度。

4、第一無機(jī)層的厚度可以在約至約的范圍內(nèi)。

5、第二無機(jī)層還可以在第一表面與第二表面之間具有可以小于第一膜密度且大于第二膜密度的第三膜密度。

6、第二無機(jī)層還可以包括第二無機(jī)層的膜密度減小的區(qū)域。

7、第二無機(jī)層的膜密度可以在厚度方向上減小。

8、第二無機(jī)層的膜密度減小的區(qū)域的厚度可以是第一無機(jī)層的厚度的約10倍至約50倍。

9、第二無機(jī)層的膜密度減小的區(qū)域的厚度可以是第二無機(jī)層的總厚度的約5％至約40％。

10、第一無機(jī)層的膜密度和第二無機(jī)層的第二膜密度之間的差可以大于或等于約0.5。

11、第一無機(jī)層和第二無機(jī)層中的每一個(gè)可以包括氮化硅。

12、第一無機(jī)層的折射率可以大于或等于約1.9。

13、第二無機(jī)層的折射率可以在約1.7至約1.8的范圍內(nèi)。

14、第一無機(jī)封裝層可以包括第一無機(jī)層和第二無機(jī)層，并且第一無機(jī)封裝層的厚度可以小于或等于約

15、第二無機(jī)封裝層可以包括第一無機(jī)層和第二無機(jī)層，并且第二無機(jī)封裝層的厚度可以小于或等于約

16、根據(jù)本公開的實(shí)施方式，顯示設(shè)備可以包括：發(fā)光元件層，設(shè)置在襯底上并且包括多個(gè)發(fā)光元件；第一無機(jī)封裝層，包括設(shè)置在發(fā)光元件層上的第一無機(jī)層和設(shè)置在第一無機(jī)層上的第二無機(jī)層；有機(jī)封裝層，設(shè)置在第一無機(jī)封裝層上；以及第二無機(jī)封裝層，包括設(shè)置在有機(jī)封裝層上的第三無機(jī)層和設(shè)置在第三無機(jī)層上的第四無機(jī)層。第二無機(jī)層可以包括第二無機(jī)層的膜密度在厚度方向上減小的區(qū)域，并且第四無機(jī)層可以包括第四無機(jī)層的膜密度在厚度方向上減小的區(qū)域。

17、第一無機(jī)層的膜密度可以大于第二無機(jī)層的最大膜密度，并且第三無機(jī)層的膜密度可以大于第四無機(jī)層的最大膜密度。

18、第一無機(jī)封裝層的水蒸氣透過率和第二無機(jī)封裝層的水蒸氣透過率中的每一個(gè)可以小于或等于約9ⅹ10-4g/m2天。

19、根據(jù)本公開的實(shí)施方式，顯示設(shè)備的制造方法可以包括：在襯底上形成包括多個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光元件層；在發(fā)光元件層上形成第一無機(jī)封裝層；在第一無機(jī)封裝層上形成有機(jī)封裝層；以及在有機(jī)封裝層上形成第二無機(jī)封裝層。形成第一無機(jī)封裝層或形成第二無機(jī)封裝層可以包括：以第一沉積速率形成第一無機(jī)層；以及以第二沉積速率在第一無機(jī)層上形成第二無機(jī)層，并且第一沉積速率可以小于第二沉積速率。

20、形成第二無機(jī)層可以包括允許第一無機(jī)層的顆粒滲入第二無機(jī)層中。

21、可以使用氨基硅烷前驅(qū)體執(zhí)行形成第一無機(jī)層和形成第二無機(jī)層。

22、氨基硅烷前驅(qū)體可以包括環(huán)硅氮烷、三甲硅烷基胺、雙(二乙基氨基)硅烷(bdeas)、雙(叔丁基氨基)硅烷(btbas)、三(二甲基氨基)硅烷、三(異丙基氨基)硅烷、四(二甲基氨基)硅烷、三(異丙基)環(huán)三硅氮烷和四甲基二硅氮烷中的至少一種。

23、在根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的顯示設(shè)備中，封裝層可以具有小的厚度但具有優(yōu)異的封裝特性。

24、然而，根據(jù)本公開的實(shí)施方式的效果不限于以上例示的那些，并且各種其他效果并入本文中。

技術(shù)特征：

1.顯示設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一無機(jī)層的厚度在至的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二無機(jī)層在所述第一表面與所述第二表面之間還具有小于所述第一膜密度且大于所述第二膜密度的第三膜密度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二無機(jī)層還包括所述第二無機(jī)層的膜密度減小的區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二無機(jī)層的所述膜密度在厚度方向上減小。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二無機(jī)層的所述膜密度減小的所述區(qū)域的厚度是所述第一無機(jī)層的厚度的10倍至50倍。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二無機(jī)層的所述膜密度減小的所述區(qū)域的厚度是所述第二無機(jī)層的總厚度的5％至40％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一無機(jī)層的所述膜密度和所述第二無機(jī)層的所述第二膜密度之間的差大于或等于0.5。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層中的每一個(gè)包括氮化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一無機(jī)層的折射率大于或等于1.9。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二無機(jī)層的折射率在1.7至1.8的范圍內(nèi)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備，其中，

14.顯示設(shè)備，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一無機(jī)封裝層的水蒸氣透過率和所述第二無機(jī)封裝層的水蒸氣透過率中的每一個(gè)小于或等于9ⅹ10-4g/m2天。

17.顯示設(shè)備的制造方法，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，形成所述第二無機(jī)層包括允許所述第一無機(jī)層的顆粒滲入所述第二無機(jī)層中。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，使用氨基硅烷前驅(qū)體執(zhí)行形成所述第一無機(jī)層和形成所述第二無機(jī)層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述氨基硅烷前驅(qū)體包括環(huán)硅氮烷、三甲硅烷基胺、雙(二乙基氨基)硅烷、雙(叔丁基氨基)硅烷、三(二甲基氨基)硅烷、三(異丙基氨基)硅烷、四(二甲基氨基)硅烷、三(異丙基)環(huán)三硅氮烷和四甲基二硅氮烷中的至少一種。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及顯示設(shè)備和顯示設(shè)備的制造方法。顯示設(shè)備包括：發(fā)光元件層，設(shè)置在襯底上；以及封裝層，包括順序堆疊在發(fā)光元件層上的第一無機(jī)封裝層、有機(jī)封裝層和第二無機(jī)封裝層。第一無機(jī)封裝層和第二無機(jī)封裝層中的至少一個(gè)包括第一無機(jī)層和設(shè)置在第一無機(jī)層上的第二無機(jī)層，第二無機(jī)層包括面對第一無機(jī)層的第一表面和與第一表面相對的第二表面，與第二無機(jī)層的第一表面相鄰的區(qū)域中的第一膜密度大于與第二無機(jī)層的第二表面相鄰的區(qū)域中的第二膜密度，并且第一無機(jī)層的膜密度大于第二無機(jī)層的第二膜密度。

技術(shù)研發(fā)人員：吳昭令,金鍾祐,尹現(xiàn)燮,鄭雨錫,河載興
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/19