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一種背接觸電池的制造方法及其背接觸電池和電池組件與流程

文檔序號:41956176發(fā)布日期:2025-05-16 14:23閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種背接觸電池的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,s6中摻碳氮化硅的被氧化部分的氧摻雜濃度為1×1020cm-3-9×1021cm-3;和/或,

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,s5中減反層還包含在鈍化層和摻碳氮化硅之間設(shè)置的內(nèi)膜層,內(nèi)膜層選自氮化硅和/或氮氧化硅,其中,

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,s5中鈍化層包含非晶硅、摻氧非晶硅、摻磷非晶硅、氧化硅和三氧化二鋁中的至少一種膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,s5中鈍化層包含依次沉積的氧化硅膜層和三氧化二鋁膜層,氧化硅膜層的厚度為1-2nm,三氧化二鋁膜層的厚度為3-10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,s6中所述退火氧化的條件包括:退火時通入含氧氣和保護性氣體的混合氣體,含氧氣和保護性氣體的混合氣體中氧氣和保護性氣體的體積流量比為(0.033-0.30):1,保護性氣體的流量為2000-90000sccm;

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,s6中所述退火氧化的過程包括:控制進爐溫度為200-700℃,從進爐溫度升至退火溫度過程中,通入保護性氣體升溫,當(dāng)溫度達到退火所設(shè)定溫度時再通入含氧氣和保護性氣體的混合氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,第二半導(dǎo)體層為本征氫化非晶硅層和第二摻雜硅層的疊層,或者為第二隧穿氧化硅層與第二摻雜多晶硅層的疊層;

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,第二半導(dǎo)體層為本征氫化非晶硅層和第二摻雜硅層的疊層,本征氫化非晶硅層的厚度減薄為2-5nm,第二摻雜硅層的厚度減薄為5-10nm;

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸電池的制造方法,其特征在于,s7中清洗的條件包括:處理溫度為20℃-30℃,清洗時間為30-300s;

11.一種背接觸電池,其特征在于,其通過如權(quán)利要求1-10中任一項所述的背接觸電池的制造方法制得,背接觸電池包括硅片和在硅片正面依次設(shè)置的鈍化層、減反層,減反層包含摻碳氮化硅,減反層所含的摻碳氮化硅至少部分摻氧且摻氧部分的厚度d1為該摻碳氮化硅總厚度d0的10%-60%,摻碳氮化硅摻氧部分的氧摻雜濃度為1×1020cm-3-9×1021cm-3。

12.一種電池組件,其特征在于,包括如權(quán)利要求11所述的背接觸電池。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于背接觸電池技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種背接觸電池的制造方法及其背接觸電池和電池組件,包括如下步驟:S2、在硅片背面依次形成第一半導(dǎo)體層和掩膜層;S3、在S2所得背面進行第一次刻蝕開口,形成第二半導(dǎo)體開口區(qū);S4、通過制絨清洗;S5、在硅片正面依次形成鈍化層、減反層,減反層包含摻碳氮化硅;S6、然后進行退火氧化,以至少對部分減反層進行氧化;S7、去除背面繞鍍層,之后采用含HF溶液來清洗第二半導(dǎo)體開口區(qū);含HF溶液中HF的質(zhì)量濃度降低為0.1%?2%;S8、在背面沉積第二半導(dǎo)體層。本發(fā)明能夠保證電池制程的穩(wěn)定性,降低溶液成本;同時有利于提高第二半導(dǎo)體層的鈍化效果,提升電池效率。

技術(shù)研發(fā)人員:林楷睿
受保護的技術(shù)使用者:金陽(泉州)新能源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/15
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