本公開(kāi)實(shí)施例涉及薄膜切割，尤其涉及一種薄膜切割方法及裝置。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體的制造過(guò)程中，存在一些對(duì)晶圓晶背進(jìn)行處理的工藝，例如，晶圓背部研磨工藝與金屬化工藝。在這些過(guò)程中，需要采用貼膜工藝，在晶圓的晶面(即與晶背相對(duì)應(yīng)的一面)蒙貼保護(hù)膜(bg?tape)，來(lái)保護(hù)晶圓晶面的器件不受損傷。

2、在實(shí)際的貼膜工藝中，還需要去除一部分保護(hù)膜，以露出缺口標(biāo)記(notch)。

3、因此，如何提供一種技術(shù)方案，以去除缺口標(biāo)記上的保護(hù)膜，成為了亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本公開(kāi)實(shí)施例提供了一種薄膜切割方法及裝置，能夠去除缺口標(biāo)記上的薄膜。

2、本公開(kāi)實(shí)施例提供一種薄膜切割方法，薄膜覆蓋晶圓的晶面，所述晶圓具有缺口標(biāo)記，所述薄膜切割方法包括：

3、確定所述缺口標(biāo)記在所述晶面的位置信息，所述位置信息為所述晶面未被所述薄膜覆蓋時(shí)獲取到的；

4、獲取所述晶面的被所述薄膜覆蓋時(shí)，所述薄膜表面的不同位置處的光強(qiáng)值；

5、根據(jù)所述薄膜表面的不同位置處的光強(qiáng)值，確定所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域；

6、根據(jù)所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，生成第一切割指令，以去除位于所述缺口標(biāo)記上的薄膜。

7、可選地，所述確定所述缺口標(biāo)記在所述晶面的位置信息，包括：

8、獲取所述晶面未被所述薄膜覆蓋時(shí)，所述晶面的不同位置點(diǎn)的坐標(biāo)信息，以及包含所述缺口標(biāo)記的采樣圖像；

9、根據(jù)不同位置點(diǎn)的坐標(biāo)信息，將所述采樣圖像劃分為多個(gè)子圖像，使得至少兩個(gè)子圖像的重疊區(qū)域包圍所述缺口標(biāo)記；

10、分別確定各個(gè)子圖像對(duì)應(yīng)的特征圖，并根據(jù)所述特征圖，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點(diǎn)的置信度；

11、根據(jù)所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點(diǎn)的置信度，確定所述缺口標(biāo)記在所述晶面的位置信息。

12、可選地，所述分別確定各個(gè)子圖像對(duì)應(yīng)的特征圖，并根據(jù)所述特征圖，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點(diǎn)的置信度，包括：

13、采用不同尺度的提取參數(shù)，獲取各個(gè)子圖像在不同尺度下的圖像特征；

14、按照與各個(gè)尺度相適配的權(quán)重，將各個(gè)子圖像在不同尺度下的圖像特征進(jìn)行加權(quán)處理，得到各個(gè)子圖像對(duì)應(yīng)的特征圖；

15、基于預(yù)訓(xùn)練的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型，對(duì)各個(gè)子圖像對(duì)應(yīng)的特征圖進(jìn)行前向傳播處理，輸出各個(gè)子圖像在所述重疊區(qū)域內(nèi)的各個(gè)位置點(diǎn)的置信度；

16、根據(jù)同一位置點(diǎn)在不同的子圖像中的置信度，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點(diǎn)的置信度。

17、可選地，所述根據(jù)所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點(diǎn)的置信度，確定所述缺口標(biāo)記在所述晶面的位置信息，包括：

18、從不同位置點(diǎn)的置信度中選取滿(mǎn)足預(yù)設(shè)置信度的第一位置點(diǎn)、第二位置點(diǎn)和第三位置點(diǎn)，且所述第三位置點(diǎn)位于所述第一位置點(diǎn)和第二位置點(diǎn)之間；

19、將經(jīng)過(guò)所述第一位置點(diǎn)和所述第三位置點(diǎn)的第一輪廓線(xiàn)作為所述缺口標(biāo)記的第一邊界，將經(jīng)過(guò)所述第二位置點(diǎn)和所述第三位置點(diǎn)的第二輪廓線(xiàn)作為所述缺口標(biāo)記的第二邊界，以及將所述第三位置點(diǎn)作為所述缺口標(biāo)記的頂點(diǎn)。

20、可選地，所述根據(jù)所述薄膜表面的不同位置處的光強(qiáng)值，確定所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域，包括：

21、計(jì)算任意兩個(gè)位置處的光強(qiáng)值之間的光強(qiáng)差值；

22、在確定所述光強(qiáng)差值大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，將包括任意兩個(gè)位置所對(duì)應(yīng)的所有區(qū)域的組合，作為所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域。

23、可選地，所述根據(jù)所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，生成第一切割指令，包括：

24、根據(jù)所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，確定切割區(qū)域；

25、根據(jù)所述切割區(qū)域，確定針對(duì)所述切割區(qū)域中的薄膜的第一切割指令。

26、可選地，基于所述第一切割指令，去除覆蓋所述缺口標(biāo)記上的薄膜之后，露出所述缺口標(biāo)記的邊緣位置時(shí)，生成第二切割指令，以沿所述晶圓的邊緣，切割覆蓋所述晶圓的邊緣的薄膜，且切割路徑為：沿所述晶圓的邊緣，從所述缺口標(biāo)記的第一邊緣位置至所述缺口標(biāo)記的第二邊緣位置。

27、相應(yīng)的，本公開(kāi)實(shí)施例還一種薄膜切割裝置，薄膜覆蓋晶圓，所述晶圓具有缺口標(biāo)記，所述薄膜切割裝置包括：

28、控制模塊，所述控制模塊適于執(zhí)行如前述任一實(shí)施例所述的薄膜切割方法，生成第一切割指令；

29、第一切割工具，與所述控制模塊電連接，適于響應(yīng)于所述第一切割指令，去除位于所述缺口標(biāo)記上的薄膜。

30、可選地，所述控制模塊，還適于在所述第一切割工具去除覆蓋所述缺口標(biāo)記上的薄膜之后，露出所述缺口標(biāo)記的邊緣位置時(shí)，生成第二切割指令；

31、所述薄膜切割裝置還包括：第二切割工具，與所述控制模塊電連接，適于響應(yīng)于所述第二切割指令，沿所述晶圓的邊緣，切割覆蓋所述晶圓的邊緣的薄膜，且切割路徑為：沿所述晶圓的邊緣，從所述缺口標(biāo)記的第一邊緣位置至所述缺口標(biāo)記的第二邊緣位置。

32、可選地，所述薄膜切割裝置滿(mǎn)足以下至少一項(xiàng)或多項(xiàng)：

33、缺口標(biāo)記的形狀為u型或v型中的至少一種；

34、所述第一切割工具包括：激光器或刀片；

35、所述第二切割工具包括：刀片或激光器；

36、載臺(tái)，用于承載所述晶圓，所述第一切割工具和所述第一切割工具還與所述載臺(tái)連接。

37、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

38、本公開(kāi)實(shí)施例提供的薄膜切割方法，通過(guò)獲取晶圓的晶面未被薄膜覆蓋時(shí)，缺口標(biāo)記在晶面的位置信息，能夠提升獲取到的缺口標(biāo)記的位置信息的精度，進(jìn)而在確定缺口標(biāo)記被薄膜覆蓋的區(qū)域后，能夠同時(shí)根據(jù)缺口標(biāo)記被薄膜覆蓋的區(qū)域和位置信息，生成第一切割指令，以去除缺口標(biāo)記上的薄膜。因而，采用上述技術(shù)方案，能夠去除缺口標(biāo)記上的薄膜。

技術(shù)特征：

1.一種薄膜切割方法，其特征在于，薄膜覆蓋晶圓的晶面，所述晶圓具有缺口標(biāo)記，所述薄膜切割方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述確定所述缺口標(biāo)記在所述晶面的位置信息，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述分別確定各個(gè)子圖像對(duì)應(yīng)的特征圖，并根據(jù)所述特征圖，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點(diǎn)的置信度，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述根據(jù)所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點(diǎn)的置信度，確定所述缺口標(biāo)記在所述晶面的位置信息，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述根據(jù)所述薄膜表面的不同位置處的光強(qiáng)值，確定所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述根據(jù)所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，生成第一切割指令，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的薄膜切割方法，其特征在于，基于所述第一切割指令，去除覆蓋所述缺口標(biāo)記上的薄膜之后，露出所述缺口標(biāo)記的邊緣位置時(shí)，生成第二切割指令，以沿所述晶圓的邊緣，切割覆蓋所述晶圓的邊緣的薄膜，且切割路徑為：沿所述晶圓的邊緣，從所述缺口標(biāo)記的第一邊緣位置至所述缺口標(biāo)記的第二邊緣位置。

8.一種薄膜切割裝置，其特征在于，薄膜覆蓋晶圓，所述晶圓具有缺口標(biāo)記，所述薄膜切割裝置包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜切割裝置，其特征在于，所述控制模塊，還適于在所述第一切割工具去除覆蓋所述缺口標(biāo)記上的薄膜之后，露出所述缺口標(biāo)記的邊緣位置時(shí)，生成第二切割指令；

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜切割裝置，其特征在于，滿(mǎn)足以下至少一項(xiàng)或多項(xiàng)：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)實(shí)施例提供一種薄膜切割方法及裝置，其中，薄膜覆蓋晶圓的晶面，所述晶圓具有缺口標(biāo)記，所述薄膜切割方法包括：確定所述缺口標(biāo)記在所述晶面的位置信息，所述位置信息為所述晶面未被所述薄膜覆蓋時(shí)獲取到的；獲取所述晶面的被所述薄膜覆蓋時(shí)，所述薄膜表面的不同位置處的光強(qiáng)值；根據(jù)所述薄膜表面的不同位置處的光強(qiáng)值，確定所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域；根據(jù)所述缺口標(biāo)記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，生成第一切割指令，以去除位于所述缺口標(biāo)記上的薄膜。采用上述技術(shù)方案，能夠去除缺口標(biāo)記上的薄膜。

技術(shù)研發(fā)人員：陳聰,郭東諭,李平,宋喆宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江創(chuàng)芯集成電路有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15