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一種雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:41960780發(fā)布日期:2025-05-20 16:55閱讀:4來源:國知局
一種雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)的制作方法

本技術(shù)屬于雙腔室蒸鍍,具體涉及一種雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu)。


背景技術(shù):

1、真空蒸鍍是指在真空條件下采用加熱蒸發(fā)方式使蒸發(fā)鍍膜材料氣化,從而使蒸發(fā)鍍膜材料在基片表面凝聚成膜的工藝,常見的真空蒸鍍裝置主要由真空系統(tǒng)和蒸鍍室組成,而雙腔室蒸鍍則是由兩個蒸鍍室組成的真空蒸鍍裝置,與傳統(tǒng)的真空蒸鍍裝置相比,雙腔室蒸鍍具有加工效率高的優(yōu)點。

2、由于雙腔室蒸鍍是采用兩個蒸鍍室對基片進行蒸鍍,同樣的,兩個蒸鍍室的下方均配置有蒸發(fā)源,通過蒸發(fā)源對蒸發(fā)鍍膜材料進行加熱氣化,現(xiàn)有技術(shù)中的雙腔室蒸鍍通常需要在蒸發(fā)源下方布設(shè)磁體的方式在蒸發(fā)源下方形成磁場,從而使氣化后的蒸發(fā)鍍膜材料在磁場作用下在基片表面凝聚成膜。

3、現(xiàn)有技術(shù)中常見的雙腔室蒸鍍主要采用增大兩個蒸發(fā)源間距的方式減小兩個蒸發(fā)源下方磁場的相互干擾,然而,在實際應(yīng)用過程中,兩個蒸發(fā)源下方的磁場仍會存在相互干擾的情況,磁場的相互干擾不僅會影響雙腔室蒸鍍的效果,而且會對基片的鍍膜均勻性產(chǎn)生不良影響。

4、公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對本實用新型的總體背景的理解,而不應(yīng)當被視為承認或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的在于提供一種雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其能夠?qū)﹄p腔室蒸鍍中兩個蒸發(fā)源進行磁場導(dǎo)流,減小了兩個磁場相互干擾對雙腔室蒸鍍產(chǎn)生的不良影響。

2、為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型一具體實施例提供的技術(shù)方案如下:

3、一種雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),包括多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板交錯分布,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板之間布設(shè)有多個均勻分布的絕緣墊圈,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的上方固定裝配有一對固定螺栓件,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的下方均裝配有多個裝配底板,多個所述裝配底板與第一導(dǎo)磁板、第二導(dǎo)磁板之間固定裝配有一對裝配螺栓件。

4、在本實用新型的一個或多個實施例中,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的外側(cè)均開鑿有裝配固定孔。通過開鑿裝配固定孔便于對多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板進行組合裝配。所述第一導(dǎo)磁板為硅鋼片,所述第二導(dǎo)磁板為不銹鋼片。

5、在本實用新型的一個或多個實施例中,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的四周邊角均做圓角處理,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的兩側(cè)均做倒角處理。通過對第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的四周做圓角處理、兩側(cè)做倒角處理,提高了多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的應(yīng)用安全性。

6、在本實用新型的一個或多個實施例中,多組所述絕緣墊圈均套裝在固定螺栓件或裝配底板的外側(cè)。通過一對固定螺栓件或裝配底板對多組絕緣墊圈起到裝配限位的作用。所述絕緣墊圈為絕緣陶瓷墊圈。便于通過絕緣陶瓷墊圈對多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板進行裝配限位。

7、在本實用新型的一個或多個實施例中,所述裝配底板由l形卡件和固定底板兩部分組成,所述l形卡件與固定底板垂直設(shè)置。通過l形卡件對單組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板進行卡合裝配。所述l形卡件的一側(cè)開鑿有固定孔,所述固定孔與裝配螺栓件配合設(shè)置。通過開鑿固定孔便于采用裝配螺栓件將l形卡件固定在第一導(dǎo)磁板或第二導(dǎo)磁板的側(cè)面。

8、在本實用新型的一個或多個實施例中,所述l形卡件遠離裝配螺栓件一側(cè)的寬度與單組第一導(dǎo)磁板、第二導(dǎo)磁板以及絕緣墊圈厚度的總和相同。

9、在本實用新型的一個或多個實施例中,所述固定底板上開鑿有一對裝配通孔。通過開鑿裝配通孔便于對固定底板進行裝配固定。從而便于將多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板固定在一對蒸發(fā)源之間,從而便于對一對蒸發(fā)源的磁場分布進行導(dǎo)流,減小了兩個蒸發(fā)源磁場相互干擾的風險。

10、在本實用新型的一個或多個實施例中,所述l形卡件與固定底板的四周邊角處均做倒角處理。保證了l形卡件和固定底板的使用安全性。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型通過多組第一導(dǎo)磁板、第二導(dǎo)磁板與多組絕緣墊圈配合對磁場的磁感線分布進行導(dǎo)流,降低了一對蒸發(fā)源之間磁場的相互干擾,從而縮減了一對蒸發(fā)源的間距,保證了雙腔室蒸鍍的效果。



技術(shù)特征:

1.一種雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,包括多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板交錯分布,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板之間布設(shè)有多個均勻分布的絕緣墊圈,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的上方固定裝配有一對固定螺栓件,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的下方均裝配有多個裝配底板,多個所述裝配底板與第一導(dǎo)磁板、第二導(dǎo)磁板之間固定裝配有一對裝配螺栓件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的外側(cè)均開鑿有裝配固定孔,所述第一導(dǎo)磁板為硅鋼片,所述第二導(dǎo)磁板為不銹鋼片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的四周邊角均做圓角處理,多組所述第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的兩側(cè)均做倒角處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,多組所述絕緣墊圈均套裝在固定螺栓件或裝配底板的外側(cè),所述絕緣墊圈為絕緣陶瓷墊圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3中任意一項權(quán)利要求所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,多組所述絕緣墊圈均套裝在固定螺栓件或裝配底板的外側(cè),所述絕緣墊圈為絕緣陶瓷墊圈。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,所述裝配底板由l形卡件和固定底板兩部分組成,所述l形卡件與固定底板垂直設(shè)置,且所述l形卡件的一側(cè)開鑿有固定孔,所述固定孔與裝配螺栓件配合設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4中任意一項權(quán)利要求所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,所述裝配底板由l形卡件和固定底板兩部分組成,所述l形卡件與固定底板垂直設(shè)置,且所述l形卡件的一側(cè)開鑿有固定孔,所述固定孔與裝配螺栓件配合設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,所述l形卡件遠離裝配螺栓件一側(cè)的寬度與單組第一導(dǎo)磁板、第二導(dǎo)磁板以及絕緣墊圈厚度的總和相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,所述固定底板上開鑿有一對裝配通孔。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),其特征在于,所述l形卡件與固定底板的四周邊角處均做倒角處理。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種雙腔室蒸鍍導(dǎo)磁結(jié)構(gòu),包括多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板,多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板交錯分布,多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板之間布設(shè)有多個均勻分布的絕緣墊圈,多組絕緣墊圈均套裝在固定螺栓件或裝配底板的外側(cè),絕緣墊圈為絕緣陶瓷墊圈。多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的上方固定裝配有一對固定螺栓件,多組第一導(dǎo)磁板和第二導(dǎo)磁板的下方均裝配有多個裝配底板,多個裝配底板與第一導(dǎo)磁板、第二導(dǎo)磁板之間固定裝配有一對裝配螺栓件。本技術(shù)通過多組第一導(dǎo)磁板、第二導(dǎo)磁板與多組絕緣墊圈配合對磁場的磁感線分布進行導(dǎo)流,降低了一對蒸發(fā)源之間磁場的相互干擾,從而縮減了一對蒸發(fā)源的間距,保證了雙腔室蒸鍍的效果。

技術(shù)研發(fā)人員:杜寶勝,薛蒙曉,張銀丹
受保護的技術(shù)使用者:蘇州佑倫真空設(shè)備科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240724
技術(shù)公布日:2025/5/19
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