1.一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述電鍍液中的三價(jià)鉻鹽濃度為0.03～0.05m，所述三價(jià)鉻鹽包括氯化鉻或硫酸鉻中的一種，氮化硼納米顆粒的濃度為0.005～0.02m，四氧化三鐵納米顆粒的濃度為0.01～0.05m，鎳離子的濃度為0.005～0.01m，重鉻酸鈉的濃度為0.1～0.3m，鉻合金添加劑的濃度為0.003～0.005m，且所述氮化硼納米顆粒的粒徑為20～70nm，所述四氧化三鐵納米顆粒的粒徑為10～50nm，所述鉻合金添加劑包括鉻-鎳合金、鉻-銅合金或鉻-鉬合金中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述電鍍液的ph值為4.0-4.5，且溫度為35-45℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述加熱處理的溫度范圍為70～80℃，且加熱時(shí)間為10～15min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述超聲波清洗使用超聲清洗設(shè)備，且超聲波頻率為40～60khz，清洗時(shí)間為10～15分鐘，所述微蝕刻處理使用稀硫酸溶液，微蝕刻時(shí)間為2～3min，ph值為1.5～2.5。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述電鍍中，采用雙脈沖電流模式，所述雙脈沖電流模式的頻率為50～200hz，占空比為40～60%，所述電流密度范圍為4～6a/dm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述低溫處理的溫度為100～120℃，低溫處理時(shí)間為30～60min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述鈍化處理的溶液包括鉻酸，鈍化時(shí)間為10～15min，ph值為2.5～3.5。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述電鍍液中的表面活性劑的濃度為0.01～0.05%，所述表面活性劑包括十二烷基苯磺酸鈉、烷基酚聚氧乙烯醚或聚乙烯吡咯烷酮中的一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高連接器端子硬度的電鍍鍍鉻工藝，其特征在于，所述保護(hù)層為氮化鈦，其厚度為0.5～1μm，并通過(guò)磁控濺射設(shè)備在鍍鉻層表面沉積形成，所述磁控濺射時(shí)的氮?dú)饬髁繛?0～50sccm，基片溫度為100～150℃，沉積時(shí)間為20～40min。