1.?一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積，通過(guò)在刻蝕和生長(zhǎng)的多周期循環(huán)過(guò)程中，周期高頻極短時(shí)間摻雜氣體的快速摻入和抽出，結(jié)合氧氣加速雜質(zhì)消耗，使腔室中的等離子體始終處于非局域平衡狀態(tài)，制備周期摻雜生長(zhǎng)的單晶金剛石膜，摻雜原子的摻入和等離子體環(huán)境的周期變化使單晶金剛石在保持金剛石良好晶體質(zhì)量的前提下實(shí)現(xiàn)高濃度的摻雜；具體包括以下步驟：
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟1.1中所述拋光，拋光盤的轉(zhuǎn)速為30-80?r/min，拋光液滴速為1-5?ml/min，拋光時(shí)間2-10h，拋光后單晶金剛石表面粗糙度小于0.5?nm。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟1.2中，所述酸洗溫度為300～500?℃，酸洗時(shí)間為10～60?min；所述超聲清洗,?超聲功率為30～100?w，每次超聲時(shí)間為5～60?min。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟1.3中，為了進(jìn)一步去除表面殘留雜質(zhì)和表面缺陷，在氫等離子體環(huán)境中刻蝕籽晶表面；刻蝕溫度為650～850?℃，刻蝕時(shí)間為30～150?min。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟2.1、步驟2.2、中所述的摻雜氣體原子來(lái)源為氮源、硼源、磷源和硫源；另外，步驟2.1中，為了能夠獲得表面形貌光滑平整的單晶金剛石，首先在籽晶表面沉積一層金剛石過(guò)渡層，所述生長(zhǎng)溫度為750～950?℃，生長(zhǎng)時(shí)間為5～25?h，氫氣流量為200～400?sccm，甲烷流量為1～5?sccm，摻雜氣體流量為0.1～0.5?sccm，氧氣流量為0.1～0.5?sccm。
6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟2.2-1中，通入1～20?sccm的甲烷和0.1～10?sccm的摻雜氣體，生長(zhǎng)溫度為800～950℃，生長(zhǎng)時(shí)間0.1～2?min，周期高頻極短時(shí)間摻雜和摻氧加快摻雜氣體的摻入和消耗，以及伴隨溫度的周期變化，是制備具有高摻雜濃度的單晶金剛石半導(dǎo)體的關(guān)鍵過(guò)程。
7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟2.2-2中，生長(zhǎng)完摻雜金剛石后的抽氣過(guò)程，同時(shí)關(guān)閉摻雜氣體和甲烷流量計(jì)0.5～2min；打開(kāi)氧氣流量計(jì)，通入0.1～0.5?sccm的氧氣0.5～2?min，摻雜氣體的快速抽出非常重要，一旦雜質(zhì)氣體不能及時(shí)抽出，單晶金剛石將變成多晶金剛石，所以在摻雜氣體抽出過(guò)程中加入氧氣來(lái)加速消耗摻雜原子非常關(guān)鍵，其中涉及到氧氣的通入量和頻率。
8.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟2.2-3中，非摻雜金剛石的生長(zhǎng)過(guò)程，甲烷通入時(shí)間為0.1～2?min，流量為1~20?sccm，生長(zhǎng)溫度為750~850℃，關(guān)閉甲烷流量計(jì)的時(shí)間為0.5～2?min；只留氫氣刻蝕樣品，腔室中的等離子體再次恢復(fù)平衡狀態(tài)；一個(gè)摻雜周期的時(shí)間為1.2～8?min，一個(gè)摻雜周期內(nèi)氣體的切換伴隨溫度的變化，溫度差達(dá)到50℃，氣體和溫度的高頻變化導(dǎo)致金剛石的生長(zhǎng)環(huán)境極度不穩(wěn)定，從而在金剛石結(jié)構(gòu)中引入大量的摻雜原子，實(shí)現(xiàn)高濃度半導(dǎo)體摻雜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟2中，周期雜質(zhì)氣體的通入并不是簡(jiǎn)單的打開(kāi)和關(guān)閉流量計(jì)，生長(zhǎng)摻雜金剛石時(shí)，首先打開(kāi)甲烷和摻雜氣體流量計(jì)進(jìn)行摻雜金剛石的生長(zhǎng)；之后，同時(shí)關(guān)閉雜質(zhì)氣體和甲烷流量計(jì)并打開(kāi)氧氣流量計(jì)，當(dāng)腔室中甲烷和雜質(zhì)氣體被氧消耗和抽出腔室并達(dá)到平衡后，再次打開(kāi)甲烷流量計(jì)，進(jìn)行非摻雜金剛石的生長(zhǎng)；最后關(guān)閉甲烷流量計(jì)，完成一個(gè)摻雜和非摻雜金剛石的生長(zhǎng)工藝周期。
10.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶金剛石半導(dǎo)體摻雜濃度的方法，其特征在于，步驟2中生長(zhǎng)摻雜金剛石的過(guò)程中摻雜氣體的流量為0.1～10?sccm，甲烷流量為1～20?sccm，氣體通入時(shí)間為0.1～2?min，生長(zhǎng)溫度為800～950℃，同時(shí)關(guān)閉摻雜氣體和甲烷流量計(jì)的時(shí)間為0.1～2?min；生長(zhǎng)非摻雜金剛石的過(guò)程中，甲烷通入時(shí)間為0.1～2?min，生長(zhǎng)溫度為750～850℃，關(guān)閉甲烷流量計(jì)的時(shí)間為0.5～2?min。