1.一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：包括石墨坩堝(6)，所述石墨坩堝(6)的頂部套接有旋桿(8)，所述石墨坩堝(6)頂部的內(nèi)側(cè)設(shè)置有籽晶托(1)，所述籽晶托(1)的內(nèi)側(cè)設(shè)置有籽晶(2)，所述籽晶托(1)的底端通過等徑環(huán)(3)連接有熱解碳涂層的多孔石墨(7)，所述石墨坩堝(6)內(nèi)側(cè)的中部設(shè)置有防腐蝕環(huán)(4)，所述防腐蝕環(huán)(4)的頂部與熱解碳涂層的多孔石墨(7)抵接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述石墨坩堝(6)安設(shè)在加熱部件的內(nèi)側(cè)；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述活動腔(16)內(nèi)側(cè)的底部設(shè)置有底架(22)，所述底架(22)的中部設(shè)置有驅(qū)動電機(jī)(19)，所述驅(qū)動電機(jī)(19)的動力輸出端通過連接軸(18)與石墨坩堝(6)的底端連接，所述石墨坩堝(6)的底端與支撐架(34)之間設(shè)置有多個承載球體(10)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述加熱部件還包括伺服電機(jī)(11)、底架(22)、絲接架(29)、底部支架(31)和限位桿(32)，所述外筒(12)的底部圓周陣列有若干個伺服電機(jī)(11)，所述伺服電機(jī)(11)的動力輸出端設(shè)置有絲桿(21)，所述線圈槽(15)內(nèi)豎直設(shè)置有限位桿(32)，所述限位桿(32)的上滑動連接有活動架(30)，所述活動架(30)的一端設(shè)置有絲接架(29)，所述絲接架(29)與對應(yīng)的絲桿(21)螺紋連接，所述活動架(30)的另一端開設(shè)有凹槽，所述凹槽與伸縮線圈(20)卡接，所述活動架(30)另一端的底部設(shè)置有底部支架(31)，所述底部支架(31)托著伸縮線圈(20)，所述伸縮線圈(20)內(nèi)部中心處設(shè)置有聚乙烯條。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述承載球體(10)的內(nèi)側(cè)為空腔，所述空腔的內(nèi)壁貼合著耐磨層(33)，所述耐磨層(33)的里側(cè)容納著液體，所述承載球體(10)為蛋形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述線圈槽(15)的頂部和中部均設(shè)置有供電組件，所述供電組件包括石墨接觸層(24)、連接板(25)、連接柱(26)、彈簧(27)和活動槽二(28)，所述外筒(12)靠近線圈槽(15)的內(nèi)壁開設(shè)有兩個活動槽二(28)，所述活動槽二(28)內(nèi)活動插接有連接柱(26)，所述連接柱(26)兩個一組并連接于同一個連接板(25)上，所述連接柱(26)上設(shè)置有彈簧(27)，所述彈簧(27)伸入活動槽二(28)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述外筒(12)的頂部開設(shè)有頂槽(13)，所述頂槽(13)的頂部插接有蓋板(14)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述石墨坩堝(6)的底部和保溫筒(9)的內(nèi)底壁均凹設(shè)著貼合溝槽(23)，所述貼合溝槽(23)與承載球體(10)對應(yīng)活動連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述支撐架(34)的中部設(shè)置有導(dǎo)向筒(35)，所述導(dǎo)向筒(35)與連接軸(18)活動連接，所述連接軸(18)的材料為非金屬。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善晶體邊緣質(zhì)量的裝置，其特征在于：所述伸縮線圈(20)上設(shè)置有拉環(huán)(37)，上下相鄰的兩個拉環(huán)(37)通過彈性繩(36)連接。