1.一種消費(fèi)電子產(chǎn)品，其包括：
2.如權(quán)利要求1所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，基于聚合物的部分的彈性模量范圍是約0.01兆帕斯卡至約0.07兆帕斯卡。
3.如權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，所述一個(gè)或多個(gè)鏈包括聚醚嵌段與聚氨酯嵌段之間的硅烷連接鍵。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，所述一個(gè)或多個(gè)鏈還包括聚硅氧烷嵌段。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，基于聚合物的部分不含光引發(fā)劑。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，基于聚合物的部分展現(xiàn)出約100n/m或更大的剝離粘附。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，基于聚合物的部分包括在400納米至760納米光波長(zhǎng)范圍內(nèi)測(cè)得的約90％或更高的平均透射率。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，基于聚合物的部分包括約0.2％或更小的霧度。
9.如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，基于聚合物的部分包括約50％或更大的極限伸長(zhǎng)率。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，在用于聚合物的動(dòng)態(tài)循環(huán)測(cè)試中，在23℃和50％相對(duì)濕度情況下，基于聚合物的部分對(duì)于3毫米的平行板間距能夠經(jīng)受住200,000次彎曲循環(huán)。
11.如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，緊接在23℃和50％相對(duì)濕度情況下以3毫米的平行板間距進(jìn)行200,000次彎曲循環(huán)之后，基于聚合物的部分展現(xiàn)出約20毫米或更小的翹曲，以及根據(jù)用于聚合物的動(dòng)態(tài)循環(huán)測(cè)試來(lái)進(jìn)行彎曲循環(huán)。
12.如權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，在用于聚合物的平行板測(cè)試中，在23℃和50％相對(duì)濕度情況下，基于聚合物的部分能夠經(jīng)受住3毫米的平行板間距保持7天。
13.如權(quán)利要求1-12中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，在用于聚合物的平行板測(cè)試中，緊接在23℃和50％相對(duì)濕度以3毫米的平行板間距保持7天之后，基于聚合物的部分展現(xiàn)出約20毫米或更小的翹曲。
14.如權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，在用于聚合物的準(zhǔn)靜態(tài)穿刺測(cè)試中，基于聚合物的部分展現(xiàn)出約4kgf或更大的抗穿刺性。
15.如權(quán)利要求1-14中任一項(xiàng)所述的消費(fèi)電子產(chǎn)品，其中，基于聚合物的產(chǎn)物包括對(duì)組合物進(jìn)行固化的產(chǎn)物，以排除固化催化劑的組合物為100重量％計(jì)，該組合物包含：
16.一種制造消費(fèi)電子產(chǎn)品的方法，包括：
17.如權(quán)利要求16-28中任一項(xiàng)所述的方法，其中，烷氧基-硅烷封端或者硅烷醇封端的硅氧烷的分子量mn范圍是約100道爾頓至約1000道爾頓。
18.如權(quán)利要求16-17中任一項(xiàng)所述的方法，其中，組合物包含：
19.如權(quán)利要求16-18中任一項(xiàng)所述的方法，其中，基于聚合物的部分的彈性模量范圍是約0.01兆帕斯卡至約0.07兆帕斯卡。
20.如權(quán)利要求16-19中任一項(xiàng)所述的方法，其中，組合物包括23℃時(shí)約3帕斯卡-秒至約30帕斯卡-秒的粘度范圍。