1.一種靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，還包括：位于第一阱區(qū)內(nèi)的第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)的摻雜類(lèi)型與第一阱區(qū)相同，且所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第一阱區(qū)的摻雜濃度。
3.如權(quán)利要求2所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，還包括：位于第二阱區(qū)內(nèi)的第四摻雜區(qū)，所述第四摻雜區(qū)的摻雜類(lèi)型與第二阱區(qū)相同，且所述第四摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二阱區(qū)的摻雜濃度。
4.如權(quán)利要求3所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，還包括：位于第一阱區(qū)內(nèi)的第五摻雜區(qū)，所述第五摻雜區(qū)位于相鄰所述第一摻雜區(qū)之間，所述第五摻雜區(qū)的摻雜類(lèi)型與第一阱區(qū)相同，且所述第五摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第一阱區(qū)的摻雜濃度。
5.如權(quán)利要求4所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，還包括：位于第二阱區(qū)內(nèi)的第六摻雜區(qū)，所述第六摻雜區(qū)位于相鄰所述第二摻雜區(qū)之間，所述第六摻雜區(qū)的摻雜類(lèi)型與第二阱區(qū)相同，且所述第六摻雜區(qū)的摻雜濃度大于所述第二阱區(qū)的摻雜濃度。
6.如權(quán)利要求5所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，所述襯底包括第一半導(dǎo)體層、位于第一半導(dǎo)體層表面的絕緣層以及位于絕緣層上的第二半導(dǎo)體層；所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)底部與所述絕緣層頂部表面相接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層的層數(shù)為一層或多層的組合，所述第二半導(dǎo)體層的材料包括：?jiǎn)尉Ч?、鍺化硅或鍺。
8.如權(quán)利要求7所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，還包括：位于所述襯底內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包圍所述第一阱區(qū)和第二阱區(qū)。
9.如權(quán)利要求8所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，還包括位于第一阱區(qū)頂部表面以及第二阱區(qū)表面的柵極層。
10.如權(quán)利要求9所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，還包括位于第一摻雜區(qū)頂部表面、第二摻雜區(qū)表面、第三摻雜區(qū)頂部表面以及第四摻雜區(qū)區(qū)頂部表面的第一接觸層。
11.如權(quán)利要求10所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)在第一方向上的寬度范圍為0.5微米至8微米，所述第二摻雜區(qū)在第一方向上的寬度范圍為0.5微米至8微米。
12.如權(quán)利要求11所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的數(shù)量相同，所述第五摻雜區(qū)和所述第六摻雜區(qū)的數(shù)量相同。
13.如權(quán)利要求12所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)、所述第二摻雜區(qū)、所述第五摻雜區(qū)和所述第六摻雜區(qū)的數(shù)量范圍為1個(gè)至16個(gè)。
14.如權(quán)利要求13所述的靜電放電防護(hù)器件，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)的離子摻雜濃度為1.0×1015atom/cm3至9×1015atom/cm3，所述第二摻雜區(qū)的離子摻雜濃度為1.0×1015atom/cm3至9×1015atom/cm3，所述第三摻雜區(qū)的離子摻雜濃度為1.0×1012atom/cm3至1.0×1013atom/cm3，所述第四摻雜區(qū)的離子摻雜濃度為1.0×1012atom/cm3至1.0×1013atom/cm3，所述第五摻雜區(qū)摻雜濃度為1.0×1015atom/cm3至9×1015atom/cm3，所述第六摻雜區(qū)的離子摻雜濃度為1.0×1015atom/cm3至9×1015atom/cm3。
15.一種靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，包括：
16.如權(quán)利要求15所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的方法包括：對(duì)所述襯底進(jìn)行第一離子注入處理，形成第一阱區(qū)；對(duì)所述襯底進(jìn)行第二離子注入處理，形成第二阱區(qū)；對(duì)第一阱區(qū)進(jìn)行第三離子注入處理，形成第一摻雜區(qū)；對(duì)第二阱區(qū)進(jìn)行第四離子注入處理，形成第二摻雜區(qū)。
17.如權(quán)利要求16所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：
18.如權(quán)利要求17所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，所述第一阱區(qū)和第二阱區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型相反，所述第一離子注入處理和第二離子注入處理的離子注入能量為10kev至100kev，所述第一離子注入處理和第二離子注入處理的離子注入劑量為1.0×1012atom/cm2至1.0×1013atom/cm2；所述第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型相反，所述第三離子注入處理和所述第四離子注入處理的離子注入能量為5kev至80kev，所述第三離子注入處理和所述第四離子注入處理的離子注入劑量為1.0×1015atom/cm2至9×1015atom/cm2；所述第三摻雜區(qū)和第四摻雜區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型相反，所述第五離子注入處理和所述第六離子注入處理的離子注入能量為5kev至100kev，所述第五離子注入處理和所述第六離子注入處理的離子注入劑量為1.0×1012atom/cm2至1.0×1013atom/cm2；所述第五摻雜區(qū)和第六摻雜區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型相反，所述第七離子注入處理和所述第八離子注入處理的離子注入能量為5kev至80kev，所述第七離子注入處理和所述第八離子注入處理的離子注入劑量為1×1015atom/cm2至9×1015atom/cm2。
19.如權(quán)利要求18所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，所述襯底包括第一半導(dǎo)體層、位于第一半導(dǎo)體層表面的絕緣層以及位于絕緣層上的第二半導(dǎo)體層，所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)底部與所述絕緣層頂部表面相接觸。
20.如權(quán)利要求19所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層的層數(shù)為一層或多層的組合，所述第二半導(dǎo)體層的材料包括：?jiǎn)尉Ч琛㈡N化硅或鍺。
21.如權(quán)利要求20所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：
22.如權(quán)利要求21所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：
23.如權(quán)利要求22所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：
24.如權(quán)利要求21所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：
25.如權(quán)利要求24所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：
26.如權(quán)利要求23或25所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：所述第一摻雜區(qū)在第一方向上的寬度范圍為0.5微米至8微米，所述第二摻雜區(qū)在第一方向上的寬度范圍為0.5微米至8微米。
27.如權(quán)利要求23或25所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：所述第一摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)的數(shù)量相同，所述第五摻雜區(qū)和所述第六摻雜區(qū)的數(shù)量相同。
28.如權(quán)利要求27所述的靜電放電防護(hù)器件的形成方法，其特征在于，還包括：