1.一種包括化合物的分層半導體器件，所述化合物包括金剛烷部分和至少一個與其鍵合的低表面張力部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分的臨界表面張力為不超過約25達因/厘米、21達因/厘米、20達因/厘米、19達因/厘米、18達因/厘米、17達因/厘米、16達因/厘米、15達因/厘米、14達因/厘米、13達因/厘米、12達因/厘米、11達因/厘米和10達因/厘米中的一者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分以如下方式中的至少一者與所述金剛烷部分的原子鍵合：直接和經(jīng)由連接基部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述連接基部分包括以下中的至少一者：取代的亞烷基、未取代的亞烷基、取代的胺、未取代的胺、取代的氟代亞烷基、未取代的氟代亞烷基、碳(c)、亞甲基、亞乙基、chf、二氟卡賓、氮(n)、nh、硫(s)、氧(o)、醚、取代的亞環(huán)烷基、未取代的亞環(huán)烷基和烴芳族部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述連接基部分包括以下中的至少一者：取代的亞芳基、未取代的亞芳基、取代的亞雜芳基部分、未取代的亞雜芳基部分、取代的氟代亞芳基部分和未取代的氟代亞芳基部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分包括含氟(f)部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中所述低表面張力部分包括以下中的至少一者：f、取代的氟代烷基、未取代的氟代烷基、取代的氟代烷氧基、未取代的氟代烷氧基、取代的氟代烷基甲硅烷氧基、未取代的氟代烷基甲硅烷氧基、取代的氟代環(huán)烷基、未取代的氟代環(huán)烷基、取代的氟代芳基和未取代的氟代芳基。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中所述低表面張力部分包括cf2基團、cf2h基團、cf3基團和ch2cf3基團中的至少一者。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分包括含硅(si)部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其中所述低表面張力部分包括含硅氧烷基團。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分包括末端部分和連接基部分，并且所述低表面張力部分的分子結(jié)構(gòu)由式(ad-2)表示：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中x是約1-3之間的整數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分包括芳族部分、末端部分和連接基部分，并且所述低表面張力部分的分子結(jié)構(gòu)由式(ad-3)表示：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，其中x是約1-5之間的整數(shù)，并且y是約1-3之間的整數(shù)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分包括芳族部分、含f部分和連接基部分，并且所述低表面張力部分的分子結(jié)構(gòu)由式(ad-4)表示：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其中x是約1-5之間的整數(shù)，并且y是約1-3之間的整數(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分包括苯基部分、末端部分和連接基部分，并且所述低表面張力部分的分子結(jié)構(gòu)由式(ad-5)表示：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中x是約1-5之間的整數(shù)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述低表面張力部分包括苯基部分、含f部分和連接基部分，并且所述低表面張力部分的分子結(jié)構(gòu)由式(ad-6)表示：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中x是約1-5之間的整數(shù)。
21.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述氟代烷氧基部分的分子結(jié)構(gòu)由式(ad-7)表示：
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的器件，其中a是1，b是約1-4之間的整數(shù)，并且c是約1-12之間的整數(shù)。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述化合物的分子量為至少約500g/mol、550g/mol、580g/mol、650g/mol、750g/mol、1,000g/mol、1,200g/mol、1,300g/mol、1,500g/mol、1,700g/mol、2,000g/mol、2,200g/mol和2,500g/mol中的一者。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，所述器件還包括：
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的器件，所述器件還包括發(fā)射區(qū)域，所述發(fā)射區(qū)域包括：
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的器件，其中所述第一部分不包括所述發(fā)射區(qū)域的側(cè)向朝向。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中所述第二電極包括所述沉積層的至少一部分作為其層。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的器件，其中所述第一部分包括所述發(fā)射區(qū)域的側(cè)向朝向。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的器件，所述器件還包括輔助電極，所述輔助電極包括所述沉積層作為其層。