1.一種雙室磁控濺射電子束鍍膜機(jī)，其特征在于：包括磁控濺射鍍膜系統(tǒng)、電子束鍍膜系統(tǒng)、轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和總控制柜，所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的控制端、所述電子束鍍膜系統(tǒng)的控制端和所述轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的控制端均與所述總控制柜連接；
所述轉(zhuǎn)換系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)換真空腔體、樣品臺、磁控濺射鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)、電子束鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)、樣品轉(zhuǎn)換傳遞系統(tǒng)、轉(zhuǎn)換真空腔體充氣機(jī)和轉(zhuǎn)換真空腔體抽氣機(jī)，所述轉(zhuǎn)換真空腔體上設(shè)置有樣品進(jìn)出口，所述樣品進(jìn)出口與所述樣品臺之間通過樣品進(jìn)出傳遞系統(tǒng)連接，所述轉(zhuǎn)換真空腔體抽氣機(jī)的進(jìn)氣口和所述轉(zhuǎn)換真空腔體充氣機(jī)的出口均與所述轉(zhuǎn)換真空腔體的內(nèi)部連通，所述轉(zhuǎn)換真空腔體上設(shè)置有磁控濺射鍍膜口和電子束鍍膜口，所述樣品轉(zhuǎn)換傳遞系統(tǒng)設(shè)置在所述磁控濺射鍍膜口與所述電子束鍍膜口之間；
所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)包括磁控濺射真空腔體、磁控濺射系統(tǒng)、磁控濺射真空腔體樣品轉(zhuǎn)接系統(tǒng)和磁控濺射真空腔體抽氣機(jī)，所述磁控濺射系統(tǒng)設(shè)置在所述磁控濺射真空腔體內(nèi)，所述磁控濺射真空腔體抽氣機(jī)的進(jìn)氣口與所述磁控濺射真空腔體內(nèi)部連通，所述磁控濺射真空腔體上設(shè)置有樣品口，所述磁控濺射真空腔體樣品轉(zhuǎn)接系統(tǒng)設(shè)置在所述樣品口與所述磁控濺射系統(tǒng)之間，所述磁控濺射真空腔體和所述轉(zhuǎn)換真空腔體通過所述磁控濺射鍍膜口和所述樣品口連通，所述磁控濺射真空腔體樣品轉(zhuǎn)接系統(tǒng)與所述樣品轉(zhuǎn)換傳遞系統(tǒng)和磁控濺射鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)連接；
所述電子束鍍膜系統(tǒng)包括電子束真空腔體、電子束系統(tǒng)、電子束真空腔體樣品轉(zhuǎn)接系統(tǒng)和電子束真空腔體抽氣機(jī)，所述電子束系統(tǒng)設(shè)置在所述電子束真空腔體內(nèi)，所述電子束真空腔體抽氣機(jī)的進(jìn)氣口與所述電子束真空腔體內(nèi)部連通，所述電子束真空腔體上設(shè)置有樣品口，所述電子束真空腔體樣品轉(zhuǎn)接系統(tǒng)設(shè)置在所述樣品口與所述電子束系統(tǒng)之間，所述電子束真空腔體和所述轉(zhuǎn)換真空腔體通過所述電子束鍍膜口和所述樣品口連通，所述電子束真空腔體樣品轉(zhuǎn)接系統(tǒng)與所述樣品轉(zhuǎn)換傳遞系統(tǒng)和電子束鍍膜樣品傳遞系統(tǒng)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙室磁控濺射電子束鍍膜機(jī)，其特征在于：所述磁控濺射鍍膜系統(tǒng)還包括磁控濺射樣品加熱裝置、磁控濺射樣品轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)和磁控濺射膜厚監(jiān)控裝置，磁控濺射樣品設(shè)置在所述磁控濺射系統(tǒng)與所述磁控濺射樣品加熱裝置之間，所述磁控濺射膜厚監(jiān)控裝置設(shè)置在所述磁控濺射樣品與所述磁控濺射系統(tǒng)之間，所述磁控濺射樣品轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)控制所述磁控濺射樣品轉(zhuǎn)動(dòng)；
所述電子束鍍膜系統(tǒng)還包括電子束鍍膜樣品加熱裝置、電子束鍍膜樣品轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)和電子束膜厚監(jiān)控裝置，電子束鍍膜樣品設(shè)置在所述電子束系統(tǒng)與所述電子束鍍膜樣品加熱裝置之間，所述電子束膜厚監(jiān)控裝置設(shè)置在所述電子束鍍膜樣品與所述電子束系統(tǒng)之間，所述電子束鍍膜樣品轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)控制所述電子束鍍膜樣品轉(zhuǎn)動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙室磁控濺射電子束鍍膜機(jī)，其特征在于：所述磁控濺射真空腔體和所述電子束真空腔體上分別設(shè)置有磁控濺射真空腔體充氣機(jī)和電子束真空腔體充氣機(jī)。