1.一種沉積掩模，所述沉積掩模由用于有機(jī)發(fā)光二極管oled像素沉積的金屬材料形成，所述沉積掩模包括沉積區(qū)域和除所述沉積區(qū)域之外的非沉積區(qū)域，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，所述可用部分的所述第一表面上的所述多個第一小孔的孔徑尺寸大于所述第一小孔與所述第一大孔相交的所述第一連通部分的孔徑尺寸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積掩模，其中，所述外部部分的所述第一表面上的所述多個第二小孔的孔徑尺寸大于所述第二小孔與所述第二大孔相交的所述第二連通部分的孔徑尺寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，還包括設(shè)置在所述可用部分的所述第一通孔與所述外部部分的所述第二通孔之間的至少一個第三肋。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，在包括所述可用部分和所述外部部分的所述沉積區(qū)域內(nèi)不存在未蝕刻區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，所述第二通孔的各中心之間的間距大于所述第一通孔的各中心之間的間距。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，各個可用部分包括通過使所述第一通孔的所述第一大孔彼此接觸而形成的第一肋，
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的沉積掩模，還包括通過使所述第一通孔的所述第一大孔與所述第二通孔的所述第二大孔在各個所述可用部分與所述外部部分之間的邊界中接觸而形成的第三肋，并且
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的沉積掩模，其中，所述第三肋的所述中心部分的厚度大于所述第一肋的中心部分的厚度并且小于所述第二肋的中心部分的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，還包括在各個可用部分與所述外部部分之間的邊界中位于所述第一通孔與所述第二通孔之間的第三島部，并且
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的沉積掩模，其中，所述第三島部包括：
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積掩模，其中，所述外部部分包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的沉積掩模，其中，所述第二外部部分還包括多個半蝕刻部分，所述多個半蝕刻部分位于所述第二外部部分的最外邊緣并且包括形成在所述第二表面上的多個第四大孔。