1.一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，在所述貼片步驟前還包括涮洗工序，刷洗速度500±50rpm；甩干速度2000±100rpm；甩干時間30±5s。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，所述貼片步驟中，通過旋蠟方式將液體蠟均勻涂覆在硅片表面，將液體蠟均勻滴落在硅片上，旋轉(zhuǎn)并按壓硅片，將液體蠟均勻分布在硅片表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，所述貼片步驟中，硅片表面帶蠟后，經(jīng)過烘烤硅片，并通過機械手確定參考面并翻轉(zhuǎn)后，按壓貼到預(yù)熱后的陶瓷盤上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，粗拋、中拋、精拋步驟中，通過不同的副加壓氣缸（122）帶動對應(yīng)的移動環(huán)（121）移動，改變接觸硅片表面的壓塊（116）數(shù)量，使最外側(cè)接觸硅片的壓塊（116）作用在硅片圓心處，最內(nèi)側(cè)接觸硅片的壓塊（116）作用在硅片的最大外徑處。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，所述中拋步驟中，所有與硅片接觸的壓塊（116）均施加260-300千克的壓力，磨拋3-4分鐘；靠近硅片邊緣的壓塊（116）壓力減小至220-260千克壓力，繼續(xù)磨拋3-4分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，所述精拋步驟中，所有與硅片接觸的壓塊（116）均施加170-180千克的壓力，磨拋3-4分鐘；靠近硅片邊緣的壓塊（116）壓力減小至150-170千克壓力，繼續(xù)磨拋1-2分鐘；靠近硅片邊緣的壓塊（116）壓力減小至130-150千克壓力，靠近硅片中心的壓塊（116）壓力增加至180-200千克，繼續(xù)磨拋1-2分鐘。
8.一種去厚均勻的硅片全自動拋光設(shè)備，用于實現(xiàn)權(quán)利要求1-7任一項所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光方法，其特征在于，包括：機體（3）以及磨拋機構(gòu)（1），所述磨拋機構(gòu)（1）設(shè)置于所述機體（3）上且用于調(diào)節(jié)施加在硅片（7）上不同位置的壓力；噴液機構(gòu)（2），所述噴液機構(gòu)（2）設(shè)置于所述機體（3）上且用于向所述硅片（7）均勻噴灑拋光液；所述磨拋機構(gòu)（1）包括：主壓組件（11），所述主壓組件（11）設(shè)置于所述機體（3）上且用來給陶瓷盤（6）中心處施加壓力；副壓組件（12），所述副壓組件（12）設(shè)置于所述主壓組件（11）上且用來調(diào)整對所述陶瓷盤（6）邊緣施加的壓力。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光設(shè)備，其特征在于，所述主壓組件（11）包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種去厚均勻的硅片全自動拋光設(shè)備，其特征在于，所述副壓組件（12）包括：