本發(fā)明屬于發(fā)光材料，具體涉及一種四齒環(huán)金屬配合物及其應(yīng)用。

背景技術(shù)：

1、oled(有機(jī)電致發(fā)光二極管)利用有機(jī)薄膜，其在電壓施加于裝置上時(shí)會(huì)發(fā)射光。oled正成為用于如平板顯示器、照明和背光的應(yīng)用中的日益受關(guān)注的技術(shù)。

2、磷光發(fā)射分子的一個(gè)應(yīng)用是全色顯示器。針對(duì)此類(lèi)顯示器的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)需要適合于發(fā)射特定顏色的像素。具體來(lái)說(shuō)，這些標(biāo)準(zhǔn)需要飽和紅色、綠色和藍(lán)色像素。目前，各種尺寸的oled都使用了發(fā)光效率為100％的紅色和綠色磷光材料，而至目前為止還沒(méi)有一個(gè)藍(lán)色磷光材料實(shí)現(xiàn)商用化，但藍(lán)色熒光材料發(fā)光效率僅為25％，雖然各種各樣的藍(lán)光材料被廣泛研究開(kāi)發(fā)，例如：無(wú)機(jī)熒光粉、金屬配合物和熱激活延遲熒光材料等。然而，磷光材料的三重態(tài)激子的耗散途徑很多，如非輻射躍遷、延遲熒光、三重態(tài)-三重態(tài)湮滅、氧氣水汽的猝滅等，這嚴(yán)重影響磷光性能的提升。隨著人們發(fā)現(xiàn)晶體工程能夠利用分子間的強(qiáng)相互作用，有效的抑制三重態(tài)激子非輻射躍遷，并且因?yàn)槠渲旅艿姆肿佣逊e，可以減少氧氣、水汽等對(duì)三重態(tài)激子的淬滅，是實(shí)現(xiàn)高效率室溫磷光的有效途徑。然而，在晶體聚集態(tài)下，分子間π-π堆積容易導(dǎo)致三重態(tài)-三重態(tài)湮滅，大量耗散三重態(tài)激子，影響磷光效率的提升；并且π-π堆積會(huì)使分子間共軛度增加，發(fā)光紅移，難于實(shí)現(xiàn)藍(lán)色磷光。如何構(gòu)筑長(zhǎng)壽命、高效率的藍(lán)色磷光是有機(jī)磷光材料領(lǐng)域面臨的挑戰(zhàn)之一。

3、鑒于以上原因，特提出本發(fā)明。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種四齒環(huán)金屬配合物及其應(yīng)用，所述的四齒環(huán)金屬配合物用于oled中時(shí)，尤其用于藍(lán)光發(fā)射區(qū)域中時(shí)，展現(xiàn)增強(qiáng)的磷光量子產(chǎn)率，并且在oled應(yīng)用中適用作發(fā)射體材料。

2、本發(fā)明的第一目的，提供了一種四齒環(huán)金屬配合物，所述的金屬配合物電致發(fā)光穩(wěn)定性良好，發(fā)光效率優(yōu)良。

3、本發(fā)明的第二目的，提供了一種所述的四齒環(huán)金屬配合物在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。

4、本發(fā)明的第三目的，提供了一種包括所述四齒環(huán)金屬配合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。

5、本發(fā)明的第四目的，提供了一種包括所述四齒環(huán)金屬配合物的消費(fèi)型產(chǎn)品。

6、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

7、一種四齒環(huán)金屬配合物，其具有式(i)所示的結(jié)構(gòu)：

8、

9、其中，環(huán)a、環(huán)b、環(huán)c各自獨(dú)立地選自c6～c60的芳基或c2～c60的雜芳基；

10、金屬m表示相對(duì)原子質(zhì)量大于40的金屬元素；

11、x1～x6各自獨(dú)立地選自c或者n；

12、x7～x9各自獨(dú)立地選自cr4或者n；

13、y1、y2、l1、l2各自獨(dú)立地選自單鍵、o、s、s＝o、so2、se、nr5、pr5、r5p＝o、cr5r6、c＝o、sir5r6、ger5r6或br5；條件是，l1、l2中的至少一個(gè)選自nr5、pr5、r5p＝o、cr5r6r5、sir5r6、ger5r6或br5，且l1、l2中的至少一個(gè)與其相連的環(huán)稠合成環(huán)；

14、w選自o、s、s＝o、so2、se、nr7、pr7、r7p＝o、cr7r8、c＝o、sir7r8、ger7r8或br7；

15、r1、r2、r3各自表示單取代或多取代至飽和取代、或無(wú)取代；

16、r1～r8各自獨(dú)立地選自氫、或選自由以下基團(tuán)組成的群組：氘、鹵原子、氰基、酰基、羧基、醚基、酯基、異氰基、硫基、硒烷基、亞磺?；?、磺?；?、膦基、取代或未取代的c1～c40直鏈烷基、取代或未取代的c1～c40直鏈雜烷基、取代或未取代的c3～c40支鏈或環(huán)狀的烷基、取代或未取代的c1～c40雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1～c40烷氧基、取代或未取代的c6～c60芳基烷基、取代或未取代的c6～c60芳氧基、取代或未取代的c6～c60芳胺基、取代或未取代的c1～c40烷胺基、取代或未取代的c3～c40硅烷基、取代或未取代的c3～c60芳基硅烷基、取代或未取代的c2～c40鏈烯基、取代或未取代的c4～c40環(huán)烯基、取代或未取代的c2～c40雜烯基、取代或未取代的c2～c40炔基、取代或未取代的c6～c60芳基、取代或未取代的c2～c60雜芳基和其組合，

17、當(dāng)r1～r8含取代基時(shí)，所述取代基為一個(gè)或多個(gè)，且各自獨(dú)立地選自：氘、鹵原子、氰基、酰基、羧基、醚基、酯基、異氰基、硫基、硒烷基、亞磺酰基、磺?；㈧⒒?、c1～c20直鏈或帶支鏈的烷基、c1～c20直鏈或帶支鏈的氘代烷基、c1～c20鹵代烷基、c3～c20環(huán)烷基、c1～c20烷氧基、c1～c20烷硫基、c6～c30芳基、c6～c30氘代芳基、c6～c30芳氧基、c6～c30芳硫基、c6～c30芳胺基、c3～c20硅烷基、c2～c20烯基、c2～c20炔基、c3～c30雜芳基及其組合；

18、任意相鄰的兩個(gè)或多個(gè)r1～r8任選地接合或稠合形成取代或未取代的環(huán)。

19、本技術(shù)的金屬配合物將l1和/或l2稠合固定在芳環(huán)或芳雜環(huán)上，用于oled中時(shí)，尤其用于藍(lán)光發(fā)射區(qū)域中時(shí)，展現(xiàn)增強(qiáng)的磷光量子產(chǎn)率，發(fā)光穩(wěn)定性好，發(fā)光效率高，并且在oled應(yīng)用中適用作發(fā)射體材料。本發(fā)明的金屬配合物能夠獲得電致發(fā)光為深藍(lán)色磷光且發(fā)光效率提高的有機(jī)電致發(fā)光裝置，且發(fā)光裝置的熱穩(wěn)定性好；本發(fā)明所述的金屬配合物通過(guò)調(diào)節(jié)圍繞金屬中心的配體母核的結(jié)構(gòu)以及調(diào)控配體上取代基的結(jié)構(gòu)來(lái)調(diào)控其光物理學(xué)性質(zhì)，具有發(fā)射光譜窄、穩(wěn)定性高和效率高的優(yōu)點(diǎn)，在oled顯示和照明燈諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

20、在一些實(shí)施方案中，式(i)中，所述環(huán)a選自c2～c60的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)a選自c2～c40的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)a選自c2～c30的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)a選自c2～c20的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)a選自c2～c15的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)a選自c2～c12的雜芳基。

21、在一些具體實(shí)施方式中，環(huán)a選自以下結(jié)構(gòu)組成的組：

22、

23、在一些具體實(shí)施方式中，式(i)中，r1選自氫或選自由以下基團(tuán)組成的群組：氘、鹵原子、氰基、取代或未取代的c1～c10直鏈烷基、取代或未取代的c6～c20芳基、取代或未取代的c2～c20雜芳基；當(dāng)r1含取代基時(shí)，所述取代基為一個(gè)或多個(gè)，且各自獨(dú)立地選自：氘、鹵原子、氰基、c1～c10直鏈或帶支鏈的烷基、c1～c10直鏈或帶支鏈的氘代烷基、c1～c10鹵代烷基、c6～c20芳基、c6～c20氘代芳基、c3～c20雜芳基及其組合。

24、在一些具體實(shí)施方式中，式(i)中，r1選自氫或選自由以下基團(tuán)組成的群組：氘、鹵原子、氰基、取代或未取代的c1～c6直鏈烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；當(dāng)r1含取代基時(shí)，所述取代基為一個(gè)或多個(gè)，且各自獨(dú)立地選自：氘、鹵原子、氰基、c1～c6直鏈或帶支鏈的烷基、c1～c6直鏈或帶支鏈的氘代烷基、c1～c6鹵代烷基、c6～c12芳基、c6～c12氘代芳基、c3～c12雜芳基及其組合。

25、在一些實(shí)施方案中，式(i)中，所述環(huán)b選自c6～c60的芳基或c2～c60的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)b選自c6～c40的芳基或c2～c40的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)b選自c6～c30的芳基或c2～c30的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)b選自c6～c20的芳基或c2～c20的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)b選自c6～c15的芳基或c2～c15的雜芳基。

26、在一些具體實(shí)施方案中，式(i)中，所述環(huán)b為苯基。在一些具體實(shí)施方案中，式(i)中，所述r2為氫或氘。

27、在一些實(shí)施方案中，式(i)中，所述環(huán)c選自c2～c60的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)c選自c2～c40的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)c選自c2～c30的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)c選自c2～c20的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)c選自c2～c15的雜芳基。在一些實(shí)施方案中，所述環(huán)c選自c2～c10的雜芳基。

28、在一些具體實(shí)施方案中，式(i)中，環(huán)c選自以下結(jié)構(gòu)組成的組：

29、

30、在一些具體實(shí)施方式中，式(i)中，r3選自氫或選自由以下基團(tuán)組成的群組：氘、鹵原子、氰基、取代或未取代的c1～c10直鏈烷基、取代或未取代的c6～c20芳基、取代或未取代的c2～c20雜芳基；當(dāng)r1含取代基時(shí)，所述取代基為一個(gè)或多個(gè)，且各自獨(dú)立地選自：氘、鹵原子、氰基、c1～c10直鏈或帶支鏈的烷基、c1～c10直鏈或帶支鏈的氘代烷基、c1～c10鹵代烷基、c6～c20芳基、c6～c20氘代芳基、c3～c20雜芳基、c3～c20硅烷基及其組合。

31、在一些具體實(shí)施方式中，式(i)中，r3選自氫或選自由以下基團(tuán)組成的群組：氘、鹵原子、氰基、取代或未取代的c1～c6直鏈烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基；當(dāng)r1含取代基時(shí)，所述取代基為一個(gè)或多個(gè)，且各自獨(dú)立地選自：氘、鹵原子、氰基、c1～c6直鏈或帶支鏈的烷基、c1～c6直鏈或帶支鏈的氘代烷基、c1～c6鹵代烷基、c3～c12硅烷基、c6～c12芳基、c6～c12氘代芳基、c3～c12雜芳基及其組合。

32、在一些實(shí)施方案中，所述金屬配合物選自由以下組成的群組：

33、

34、

35、

36、

37、

38、

39、

40、

41、

42、其中，y的定義同式(i)中y1或y2的定義；

43、金屬m、w、r1～r8、l1、l2的定義與式(i)的定義相同。

44、在一些實(shí)施方式中，y各自獨(dú)立地選自o、s或nr5；r5選自取代或未取代的c1～c40直鏈烷基、取代或未取代的c1～c40直鏈雜烷基、取代或未取代的c3～c40支鏈或環(huán)狀的烷基、取代或未取代的c1～c40雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1～c40烷氧基、取代或未取代的c7～c60芳基烷基、取代或未取代的c6～c60芳氧基、取代或未取代的c6～c60芳胺基、取代或未取代的c1～c40烷胺基、取代或未取代的c3～c40硅烷基、取代或未取代的c3～c60芳基硅烷基、取代或未取代的c2～c40鏈烯基、取代或未取代的c4～c40環(huán)烯基、取代或未取代的c2～c40雜烯基、取代或未取代的c2～c40炔基、取代或未取代的c6～c60芳基、取代或未取代的c2～c60雜芳基和其組合。

45、在一些實(shí)施方式中，y各自獨(dú)立地選自o、s或nr5；所述r5選自取代或未取代的c1～c40直鏈烷基、取代或未取代的c1～c40直鏈雜烷基、取代或未取代的c3～c40支鏈或環(huán)狀的烷基、取代或未取代的c7～c60芳基烷基、取代或未取代的c2～c40鏈烯基、取代或未取代的c4～c40環(huán)烯基、取代或未取代的c2～c40雜烯基、取代或未取代的c2～c40炔基、取代或未取代的c6～c60芳基、取代或未取代的c2～c60雜芳基和其組合。

46、進(jìn)一步地，金屬m選自ir、pt、pd、ru、rh、os、au、cu、ni、co、ga或ge。優(yōu)選地，所述金屬m選自pt或pd。更優(yōu)選地，所述金屬m為pt。

47、進(jìn)一步地，所述l1、l2各自獨(dú)立地選自單鍵、o、s、s＝o、nr5或cr5r6，條件是，l1、l2中的至少一個(gè)選自nr5、cr5r6r5，且l1、l2中的至少一個(gè)與其相連的環(huán)稠合成環(huán)。

48、在一些實(shí)施方式中，l2各自獨(dú)立地選自單鍵、o、s、s＝o、nr5或cr5r6；l1各自獨(dú)立地選自nr5或cr5r6，且l1與環(huán)b稠合成環(huán)，或者l1與環(huán)c稠合成環(huán)。

49、在一些實(shí)施方式中，l2選自單鍵；l1各自獨(dú)立地選自nr5或cr5r6，且l1與環(huán)b稠合成環(huán)，或者l1與環(huán)c稠合成環(huán)。

50、進(jìn)一步地，y各自獨(dú)立地選自o或s。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，y各自為o。

51、進(jìn)一步地，w各自獨(dú)立地選自o、s或nr7。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，w各自獨(dú)立地選自o或s。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，w各自獨(dú)立地選自nr7。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，當(dāng)y中的x5為n時(shí)，w可選自nr7。

52、進(jìn)一步地，y1、y2各自獨(dú)立地選自單鍵、o或s。

53、進(jìn)一步地，r1～r8各自獨(dú)立地選自氫、或選自由以下基團(tuán)組成的群組：氘、氟、氰基、異氰基、取代或未取代的c1～c20直鏈烷基、取代或未取代的c1～c20直鏈雜烷基、取代或未取代的c3～c20支鏈或環(huán)狀的烷基、取代或未取代的c1～c20雜環(huán)烷基、取代或未取代的c1～c20烷氧基、取代或未取代的c6～c30芳基烷基、取代或未取代的c6～c30芳氧基、取代或未取代的c6～c30芳胺基、取代或未取代的c1～c20烷胺基、取代或未取代的c3～c20硅烷基、取代或未取代的c3～c20芳基硅烷基、取代或未取代的c2～c20鏈烯基、取代或未取代的c4～c20環(huán)烯基、取代或未取代的c2～c20雜烯基、取代或未取代的c2～c20炔基、取代或未取代的c6～c30芳基、取代或未取代的c2～c30雜芳基和其組合；任意相鄰的兩個(gè)或多個(gè)r1～r8可任選地接合或環(huán)合形成取代或未取代的環(huán)；當(dāng)r1～r8含取代基時(shí)，所述取代基為一個(gè)或多個(gè)，且各自獨(dú)立地選自：氘、鹵原子、氰基、?；?、羧基、醚基、酯基、異氰基、硫基、硒烷基、亞磺酰基、磺酰基、膦基、c1～c20直鏈或帶支鏈的烷基、c1～c20直鏈或帶支鏈的氘代烷基、c1～c20鹵代烷基、c3～c20環(huán)烷基、c1～c20烷氧基、c1～c20烷硫基、c6～c30芳基、c6～c30氘代芳基、c6～c30芳氧基、c6～c30芳硫基、c6～c30芳胺基、c3～c20硅烷基、c2～c20烯基、c2～c20炔基、c3～c30雜芳基及其組合。

54、在一些實(shí)施方式中，r1～r8各自獨(dú)立地選自氫、或選自由以下基團(tuán)組成的群組：氘、氟、氰基、取代或未取代的c1～c10直鏈烷基、取代或未取代的c3～c15支鏈或環(huán)狀的烷基、取代或未取代的c1～c15雜環(huán)烷基、取代或未取代的c6～c20芳基烷基、取代或未取代的c6～c20芳胺基、取代或未取代的c1～c20烷胺基、取代或未取代的c3～c12硅烷基、取代或未取代的c3～c20芳基硅烷基、取代或未取代的c6～c20芳基、取代或未取代的c2～c20雜芳基和其組合；任意相鄰的兩個(gè)或多個(gè)r1～r8可任選地接合或環(huán)合形成取代或未取代的環(huán)；當(dāng)r1～r8含取代基時(shí)，所述取代基為一個(gè)或多個(gè)，且各自獨(dú)立地選自：氘、鹵原子、氰基、異氰基、c1～c10直鏈或帶支鏈的烷基、c1～c10直鏈或帶支鏈的氘代烷基、c1～c10鹵代烷基、c1～c10烷氧基、c1～c20烷硫基、c6～c30芳基、c6～c30氘代芳基、c6～c30芳氧基、c6～c30芳硫基、c3～c20硅烷基、c3～c30雜芳基及其組合。

55、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述r1～r8各自獨(dú)立地選自由氫原子、氘原子、氟、氰基、異氰基、ra1～ra30、被一個(gè)或多個(gè)氘原子取代的ra1～ra30、rb1～rb195、被一個(gè)或多個(gè)氘原子取代的rb1～rb195、rc1～rc80、被一個(gè)或多個(gè)氘原子取代的rc1～rc80組成的組。

56、本發(fā)明所述ra1～ra30所示結(jié)構(gòu)式如下表1所示：

57、表1

58、

59、本發(fā)明所述rb1～rb195所示結(jié)構(gòu)如下表2所示：

60、表2

61、

62、

63、

64、

65、本發(fā)明所述rc1～rc80所示結(jié)構(gòu)如下表3所示：

66、表3

67、

68、

69、

70、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述金屬配合物選自由以下表4中所示結(jié)構(gòu)以及被一個(gè)或多個(gè)氘取代的以下表4所示結(jié)構(gòu)所組成的群組：

71、表4

72、

73、

74、

75、

76、

77、

78、

79、

80、

81、

82、

83、

84、

85、

86、

87、其中，w選自o、s或nra；

88、ra選自rb1～rb53、rb55～rb61、rb63、rb64、rb66、rb72～rb77、rb81～rb83、rb85～rb185、rc1～rc29、rc33～rc79；其中，rb1～rb53、rb55～rb61、rb63、rb64、rb66、rb72～rb77、rb81～rb83、rb85～rb185、rc1～rc29、rc33～rc79的定義同本發(fā)明前述定義。

89、本發(fā)明第二方面提供本發(fā)明第一方面所述的金屬配合物在制備有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。

90、本發(fā)明所述金屬配合物可以作為有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層的摻雜材料。

91、優(yōu)選地，所述有機(jī)電致發(fā)光器件中的發(fā)光層發(fā)射藍(lán)色光。

92、在一些實(shí)施方式中，所述金屬配合物在所述有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中的摻雜量為所述發(fā)光層質(zhì)量的0.1％～100％，優(yōu)選為1-20％，更優(yōu)選為5-15％。

93、本發(fā)明第三方面提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)電致發(fā)光器件包括陽(yáng)極、陰極和置于所述陽(yáng)極和陰極之間的至少一層有機(jī)層，所述的有機(jī)層至少一層包含本發(fā)明第一方面所述的金屬配合物。

94、本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置還可以包含發(fā)光層，所述發(fā)光層包含有本發(fā)明第一方面所公開(kāi)的金屬配合物。

95、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述有機(jī)電致發(fā)光器件中的發(fā)光層發(fā)射藍(lán)色光。

96、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層包含本發(fā)明第一方面所述的金屬配合物，還可以包含其它化合物，例如熒光發(fā)射體、延遲熒光發(fā)射體和其組合。

97、進(jìn)一步地，所述的發(fā)光層還包括主體化合物和摻雜化合物，所述的摻雜化合物包括本發(fā)明所述的金屬配合物；所述的主體化合物可包含一種或多種；當(dāng)所述主體化合物為多種組合時(shí)，包含至少一種n-型主體化合物和至少一種p-型主體化合物。

98、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述主體化合物中的至少一種選自由苯基、萘基、吡啶基、喹啉基、異喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、菲基、氮雜菲基、嘧啶基、三嗪、三亞苯基、咔唑基、吲哚并咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、芴基、硅芴基、二苯并硒吩基、5,9-二氧雜-13b-硼萘并[3,2,1-de]蒽基、氮雜-三亞苯基、氮雜-咔唑基、氮雜-吲哚并咔唑基、氮雜-二苯并噻吩基、氮雜-二苯并呋喃基、氮雜-二苯并硒吩基和氮雜-(5,9-二氮雜-13b-硼萘并[3,2,1-de]蒽)基組成的群組或者衍生自這些體系的組合。

99、本發(fā)明所述的有機(jī)層可以是發(fā)光層并且如本文所述的金屬配合物可以是發(fā)射摻雜化合物或非發(fā)射摻雜化合物。

100、進(jìn)一步地，所述的摻雜化合物為發(fā)光層質(zhì)量的0.1％～100％。

101、在一些實(shí)施方案中，所述的摻雜化合物為發(fā)光層質(zhì)量的1％～50％。

102、在一些實(shí)施方案中，所述的摻雜化合物為發(fā)光層質(zhì)量的1％～30％。

103、在一些實(shí)施方案中，所述的摻雜化合物為發(fā)光層質(zhì)量的1％～20％。

104、在一些實(shí)施方案中，所述的摻雜化合物為發(fā)光層質(zhì)量的5％～15％。

105、在一些實(shí)施方案中，所述的主體化合物選自由以下結(jié)構(gòu)組成的群組：

106、

107、

108、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述有機(jī)電致發(fā)光器件中進(jìn)一步包含空穴注入層，所述空穴注入層可以是單一材料功能層，也可以是包含多種材料的功能層，其中包含的多種材料最常用的是空穴傳輸材料摻雜了一定比例的p-型導(dǎo)電摻雜材料。常見(jiàn)的p-型摻雜材料有：

109、

110、根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，還公開(kāi)了一種組合物，其包含一種金屬配合物，所述金屬配合物的具體結(jié)構(gòu)為前述任一實(shí)施例所示。

111、本文中描述為適用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的特定層的材料可以與器件中存在的多種其它材料組合使用。舉例來(lái)說(shuō)，本文所公開(kāi)的發(fā)射摻雜化合物可以與廣泛多種主體、傳輸層、阻擋層、注入層、電極和可能存在的其它層結(jié)合使用。下文描述或提及的材料是可以與本文所公開(kāi)的化合物組合使用的材料的非限制性實(shí)例，并且所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易地查閱文獻(xiàn)以鑒別可以組合使用的其它材料。

112、在一些實(shí)施方式中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子阻擋層中的一種或幾種。

113、這些方法是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常已知的，并且他們可以在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的情況下將其應(yīng)用于包含根據(jù)本發(fā)明的化合物的有機(jī)電致發(fā)光元件。

114、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，公開(kāi)了金屬配合物新穎的配體。本發(fā)明已發(fā)現(xiàn)這些配體的引入出乎意料地使發(fā)射光譜變窄，降低升華溫度、并提高裝置的發(fā)光效率。

115、作為本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，可以列舉出下述的制備方法，但是并不限于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)本領(lǐng)域的技術(shù)常識(shí)進(jìn)行各種改變。前述的制備方法包括以下工序：

116、清洗工序：使用清洗劑、去離子水、有機(jī)溶劑等清洗帶有ito的玻璃基片；

117、形成空穴注入層的工序：通過(guò)真空蒸鍍?cè)谇笆龅年?yáng)極層上蒸鍍含有本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料的空穴注入層形成材料，從而在前述基板上形成包含本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料的空穴注入層；

118、形成空穴傳輸層的工序：通過(guò)真空蒸鍍?cè)谇笆龅目昭ㄗ⑷雽由闲纬煽昭▊鬏攲樱?/p>

119、形成有機(jī)發(fā)光層的工序：在前述的空穴傳輸層上通過(guò)真空蒸鍍包含本發(fā)明材料的有機(jī)發(fā)光層形成材料從而在前述空穴傳輸層上形成含有本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料的有機(jī)發(fā)光層；

120、形成電子傳輸層的工序：在前述有機(jī)發(fā)光層上通過(guò)真空蒸鍍包含本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料的電子傳輸層形成材料，從而在前述有機(jī)發(fā)光層上形成含有本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光材料的電子傳輸層；

121、形成陰極層的工序：在前述電子傳輸層上蒸鍍、濺射或者旋涂陰極形成材料從而形成陰極層。

122、本發(fā)明的第四個(gè)方面提供一種包括所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的消費(fèi)型產(chǎn)品，包括但不限于顯示裝置和照明裝置。

123、本發(fā)明的消費(fèi)型產(chǎn)品可以是以下產(chǎn)品中的一種：平板顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器、醫(yī)療監(jiān)視器、電視機(jī)、告示牌、用于內(nèi)部或外部照明和/或發(fā)信號(hào)的燈、平視顯示器、全透明或部分透明的顯示器、柔性顯示器、激光打印機(jī)、電話(huà)、蜂窩電話(huà)、平板電腦、平板手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、可佩戴裝置、膝上型計(jì)算機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、取景器、對(duì)角線(xiàn)小于2英寸的微型顯示器、3-d顯示器、虛擬現(xiàn)實(shí)或增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)顯示器、交通工具、包含多個(gè)平鋪在一起的顯示器的視頻墻、劇院或體育館屏幕、光療裝置和指示牌。

124、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：

125、(1)本發(fā)明所述的金屬配合物用于oled中時(shí)，尤其用于藍(lán)光發(fā)射區(qū)域中時(shí)，展現(xiàn)增強(qiáng)的磷光量子產(chǎn)率，發(fā)光穩(wěn)定性好，發(fā)光效率高，并且在oled應(yīng)用中適用作發(fā)射摻雜劑，本發(fā)明的金屬配合物能夠獲得電致發(fā)光為藍(lán)色磷光且發(fā)光效率提高的有機(jī)電致發(fā)光裝置，且發(fā)光裝置的熱穩(wěn)定性好，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置的消費(fèi)型產(chǎn)品通過(guò)含有本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置，從而能夠獲得電致發(fā)光為藍(lán)色磷光且發(fā)光效率提高的電子設(shè)備；

126、(2)本發(fā)明所述的金屬配合物通過(guò)調(diào)節(jié)圍繞金屬中心的配體的結(jié)構(gòu)以及調(diào)控配體上取代基的結(jié)構(gòu)來(lái)調(diào)控其光物理學(xué)性質(zhì)，具有發(fā)射光譜窄、穩(wěn)定性高和效率高的優(yōu)點(diǎn)，在oled顯示和照明燈諸多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

127、在材料合成的實(shí)施例中，除非另外說(shuō)明，否則所有反應(yīng)都在氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行。所有反應(yīng)溶劑都無(wú)水并且按從商業(yè)來(lái)源原樣使用。合成產(chǎn)物使用本領(lǐng)域常規(guī)的一種或多種設(shè)備(包括但不限于核磁共振儀，液相色譜儀、液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀、氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用儀、差示掃描量熱儀、熒光分光光度計(jì)、電化學(xué)工作站、升華儀等)，以本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法進(jìn)行了結(jié)構(gòu)確認(rèn)和特性測(cè)試。在器件的實(shí)施例中，器件的特性也是使用本領(lǐng)域常規(guī)的設(shè)備(包括但不限于蒸鍍機(jī)、光學(xué)測(cè)試系統(tǒng)、壽命測(cè)試系統(tǒng)、橢偏儀等)，以本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法進(jìn)行測(cè)試。由于本領(lǐng)域技術(shù)人員均知曉上述設(shè)備使用、測(cè)試方法等相關(guān)內(nèi)容，能夠確定地、不受影響地獲得樣品的固有數(shù)據(jù)，因此上述相關(guān)內(nèi)容在本篇專(zhuān)利中不再展開(kāi)贅述。